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MMBT3906LT1H

MMBT3906LT1H onsemi

MMBT3906LT1H_Rev1_Oct2016.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 200MA BIPO SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 105000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.077 EUR
6000+ 0.072 EUR
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Technische Details MMBT3906LT1H onsemi

Description: ONSEMI - MMBT3906LT1H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85413000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote MMBT3906LT1H nach Preis ab 0.049 EUR bis 0.44 EUR

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MMBT3906LT1H MMBT3906LT1H Hersteller : onsemi MMBT3906LT1H_Rev1_Oct2016.pdf Description: TRANS PNP 40V 200MA BIPO SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 107564 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
59+0.44 EUR
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MMBT3906LT1H MMBT3906LT1H Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003555649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906LT1H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 200mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 28424 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT3906LT1H MMBT3906LT1H Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0003555649-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906LT1H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 200 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 28424 Stücke:
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MMBT3906LT1H Hersteller : onsemi on_semiconductor_mmbt3906lt1_d-1195239.pdf Bipolar Transistors - BJT SS SOT23 GP XSTR PBFREE
auf Bestellung 8465 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
120+0.43 EUR
181+ 0.29 EUR
385+ 0.14 EUR
1000+ 0.081 EUR
3000+ 0.068 EUR
9000+ 0.052 EUR
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MMBT3906LT1H Hersteller : ON Semiconductor nods.pdf GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP SILICON
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MMBT3906LT1H Hersteller : ON Semiconductor mmbt3906lt1h-d.pdf GENERAL PURPOSE TRANSISTOR PNP SILICON
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