MMBT3906WT1G ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 30...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 3725 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 1900+ | 0.038 EUR |
| 2325+ | 0.031 EUR |
| 2650+ | 0.027 EUR |
| 2900+ | 0.025 EUR |
| 3075+ | 0.023 EUR |
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Technische Details MMBT3906WT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 200mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote MMBT3906WT1G nach Preis ab 0.023 EUR bis 0.34 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MMBT3906WT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 30...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
auf Bestellung 3725 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBT3906WT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 150 mW |
auf Bestellung 57000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MMBT3906WT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP |
auf Bestellung 40670 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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MMBT3906WT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 150 mW |
auf Bestellung 57223 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MMBT3906WT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 27370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906WT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 200mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 27370 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906WT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906WT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906WT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT3906WT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 MMBT3906WT1G TMMBT3906wt1g Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBT3906WT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
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MMBT3906WT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
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