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MMBT3906WT1G

MMBT3906WT1G ON Semiconductor

mmbt3904wt1d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 50002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details MMBT3906WT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote MMBT3906WT1G nach Preis ab 0.035 EUR bis 0.52 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G onsemi mmbt3904wt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 42000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.048 EUR
6000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G ONSEMI mmbt3904wt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 7337 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.17 EUR
544+0.15 EUR
610+0.14 EUR
962+0.088 EUR
1223+0.069 EUR
1946+0.044 EUR
2213+0.038 EUR
2337+0.037 EUR
3000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G onsemi mmbt3904wt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 44949 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
84+0.25 EUR
134+0.15 EUR
217+0.096 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G ONSEMI ONSM-S-A0013307668-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
752+0.33 EUR
1498+0.15 EUR
1957+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 752 Stücke
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MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G ONSEMI ONSM-S-A0013307668-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
752+0.33 EUR
1498+0.15 EUR
1957+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 752 Stücke
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MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G onsemi mmbt3904wt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
auf Bestellung 14 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+0.52 EUR
16+0.23 EUR
100+0.12 EUR
500+0.082 EUR
1000+0.069 EUR
3000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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MMBT3906WT1G ON-Semiconductor mmbt3904wt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 MMBT3906WT1G TMMBT3906wt1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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MMBT3906WT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
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MMBT3906WT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 7337 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
500+0.17 EUR
544+0.15 EUR
610+0.14 EUR
962+0.088 EUR
1223+0.069 EUR
1946+0.044 EUR
2213+0.038 EUR
2337+0.037 EUR
3000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MMBT3906WT1G mmbt3904wt1-d.pdf
MMBT3906WT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
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Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 44949 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
84+0.25 EUR
134+0.15 EUR
217+0.096 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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MMBT3906WT1G ONSM-S-A0013307668-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT3906WT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
752+0.33 EUR
1498+0.15 EUR
1957+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 752 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906WT1G ONSM-S-A0013307668-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT3906WT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2354 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
752+0.33 EUR
1498+0.15 EUR
1957+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 752 Stücke
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MMBT3906WT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
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7+0.52 EUR
16+0.23 EUR
100+0.12 EUR
500+0.082 EUR
1000+0.069 EUR
3000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT3906WT1G mmbt3904wt1-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 MMBT3906WT1G TMMBT3906wt1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH