Technische Details MMBT3906WT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote MMBT3906WT1G nach Preis ab 0.018 EUR bis 0.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||||
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MMBT3906WT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R |
auf Bestellung 55002 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906WT1G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.2A Power dissipation: 0.15W Case: SC70; SOT323 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz |
auf Bestellung 7497 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906WT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 15645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906WT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, OberflächenmontagetariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 200mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 15645 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT3906WT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP |
auf Bestellung 3724 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT3906WT1G | onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 150 mW |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT3906WT1G | ON-Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 MMBT3906WT1G TMMBT3906wt1gAnzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MMBT3906WT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 55002 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 4652+ | 0.037 EUR |
| 7937+ | 0.021 EUR |
| 9091+ | 0.018 EUR |
| MMBT3906WT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
auf Bestellung 7497 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 500+ | 0.17 EUR |
| 544+ | 0.15 EUR |
| 610+ | 0.14 EUR |
| 962+ | 0.088 EUR |
| 1223+ | 0.069 EUR |
| 1946+ | 0.044 EUR |
| 2213+ | 0.038 EUR |
| 2337+ | 0.037 EUR |
| 3000+ | 0.035 EUR |
| MMBT3906WT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 747+ | 0.33 EUR |
| 1262+ | 0.18 EUR |
| 2054+ | 0.1 EUR |
| 2825+ | 0.076 EUR |
| 3175+ | 0.068 EUR |
| MMBT3906WT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 747+ | 0.33 EUR |
| 1262+ | 0.18 EUR |
| 2054+ | 0.1 EUR |
| 2825+ | 0.076 EUR |
| 3175+ | 0.068 EUR |
| MMBT3906WT1G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
auf Bestellung 3724 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 0.52 EUR |
| 16+ | 0.23 EUR |
| 100+ | 0.12 EUR |
| 500+ | 0.082 EUR |
| 1000+ | 0.069 EUR |
| 3000+ | 0.058 EUR |
| MMBT3906WT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 19 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| MMBT3906WT1G |
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Hersteller: ON-Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 MMBT3906WT1G TMMBT3906wt1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 MMBT3906WT1G TMMBT3906wt1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.057 EUR |





