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MMBT3906WT1G

MMBT3906WT1G ON Semiconductor

mmbt3904wt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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Technische Details MMBT3906WT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 200mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 250MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3904wt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G Hersteller : onsemi mmbt3904wt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
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3000+0.04 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
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MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3904wt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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8000+0.015 EUR
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MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G Hersteller : ONSEMI mmbt3904wt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2768 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.14 EUR
758+0.094 EUR
1153+0.062 EUR
1382+0.052 EUR
2067+0.035 EUR
2416+0.03 EUR
2646+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G Hersteller : ONSEMI mmbt3904wt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 0.2A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
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MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G Hersteller : onsemi MMBT3904WT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 200mA 40V PNP
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14+0.21 EUR
23+0.12 EUR
100+0.072 EUR
500+0.056 EUR
1000+0.049 EUR
3000+0.028 EUR
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MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G Hersteller : onsemi mmbt3904wt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.2A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
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139+0.13 EUR
228+0.077 EUR
500+0.056 EUR
1000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 84
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MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013307668-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT3906WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 40 V, 200 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 19260 Stücke:
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tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 200mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 19260 Stücke:
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MMBT3906WT1G MMBT3906WT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt3904wt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT3906WT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbt3904wt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.2A 150mW 3-Pin SC-70 MMBT3906WT1G TMMBT3906wt1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2990 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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