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MMBT4401LT3G

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Produktcode: 186458
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT4401LT3G MMBT4401LT3G ON Semiconductor mmbt4401lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT4401LT3G MMBT4401LT3G onsemi mmbt4401lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10000+0.046 EUR
20000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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MMBT4401LT3G MMBT4401LT3G onsemi mmbt4401lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
120+0.18 EUR
194+0.11 EUR
500+0.079 EUR
1000+0.069 EUR
2000+0.061 EUR
5000+0.051 EUR
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MMBT4401LT3G MMBT4401LT3G onsemi mmbt4401lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V NPN
auf Bestellung 29031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.32 EUR
18+0.19 EUR
100+0.12 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.071 EUR
2500+0.063 EUR
5000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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MMBT4401LT3G MMBT4401LT3G ONSEMI ONSM-S-A0013307720-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT4401LT3G - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
auf Bestellung 5518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
654+0.38 EUR
1069+0.21 EUR
1670+0.13 EUR
1909+0.11 EUR
2228+0.096 EUR
2488+0.086 EUR
2809+0.076 EUR
5000+0.068 EUR
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MMBT4401LT3G MMBT4401LT3G ONSEMI ONSM-S-A0013307720-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT4401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 38620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
637+0.39 EUR
1108+0.21 EUR
1799+0.12 EUR
2500+0.086 EUR
2882+0.074 EUR
5000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 637 Stücke
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MMBT4401LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT4401LT3G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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20000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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MMBT4401LT3G mmbt4401lt1-d.pdf
MMBT4401LT3G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+0.3 EUR
120+0.18 EUR
194+0.11 EUR
500+0.079 EUR
1000+0.069 EUR
2000+0.061 EUR
5000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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MMBT4401LT3G mmbt4401lt1-d.pdf
MMBT4401LT3G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 600mA 60V NPN
auf Bestellung 29031 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+0.32 EUR
18+0.19 EUR
100+0.12 EUR
500+0.083 EUR
1000+0.071 EUR
2500+0.063 EUR
5000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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MMBT4401LT3G ONSM-S-A0013307720-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT4401LT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT4401LT3G - BIPOLAR TRANSISTOR, NPN, 40V
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Surface Mount
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - Unlimited
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
directShipCharge: 25
auf Bestellung 5518 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
654+0.38 EUR
1069+0.21 EUR
1670+0.13 EUR
1909+0.11 EUR
2228+0.096 EUR
2488+0.086 EUR
2809+0.076 EUR
5000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 654 Stücke
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MMBT4401LT3G ONSM-S-A0013307720-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT4401LT3G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT4401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 250MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 38620 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
637+0.39 EUR
1108+0.21 EUR
1799+0.12 EUR
2500+0.086 EUR
2882+0.074 EUR
5000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 637 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH