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MMBT4403LT3G

MMBT4403LT3G ON Semiconductor


mmbt4403lt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBT4403LT3G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT4403LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT4403LT3G MMBT4403LT3G Hersteller : onsemi mmbt4403lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 10000 Stücke:
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MMBT4403LT3G MMBT4403LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt4403lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT4403LT3G MMBT4403LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt4403lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2365+0.061 EUR
3165+0.044 EUR
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MMBT4403LT3G MMBT4403LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbt4403lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2365+0.05 EUR
3165+0.036 EUR
3650+0.031 EUR
6000+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 699
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MMBT4403LT3G MMBT4403LT3G Hersteller : onsemi mmbt4403lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 11659 Stücke:
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72+0.25 EUR
118+0.15 EUR
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2000+0.052 EUR
5000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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MMBT4403LT3G MMBT4403LT3G Hersteller : onsemi mmbt4403lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 40V PNP
auf Bestellung 7607 Stücke:
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Anzahl Preis
10+0.29 EUR
17+0.17 EUR
100+0.1 EUR
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1000+0.065 EUR
2500+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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MMBT4403LT3G MMBT4403LT3G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0002809651-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT4403LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 87815 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT4403LT3G MMBT4403LT3G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0002809651-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT4403LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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MMBT4403LT3G Hersteller : ONSEMI mmbt4403lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 40V; 600mA; 225mW; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Current gain: 100
Mounting: SMD
auf Bestellung 190000 Stücke:
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Anzahl Preis
60000+0.011 EUR
Mindestbestellmenge: 60000
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