MMBT4403LT3G ON Semiconductor
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Technische Details MMBT4403LT3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT4403LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MMBT4403LT3G nach Preis ab 0.018 EUR bis 0.19 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MMBT4403LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT4403LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT4403LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT4403LT3G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW |
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MMBT4403LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT4403LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT4403LT3G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 600mA 40V PNP |
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MMBT4403LT3G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 40V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 300 mW |
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MMBT4403LT3G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT4403LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 95760 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT4403LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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