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MMBT4403WT1G

MMBT4403WT1G ON Semiconductor

mmbt4403wt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 2430000 Stücke:
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Technische Details MMBT4403WT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT4403WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-70, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT4403WT1G MMBT4403WT1G ON Semiconductor mmbt4403wt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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MMBT4403WT1G MMBT4403WT1G onsemi mmbt4403wt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
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MMBT4403WT1G MMBT4403WT1G onsemi mmbt4403wt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 40V PNP
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13+0.27 EUR
21+0.17 EUR
100+0.1 EUR
500+0.074 EUR
1000+0.065 EUR
3000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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MMBT4403WT1G MMBT4403WT1G onsemi mmbt4403wt1-d.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
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127+0.17 EUR
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MMBT4403WT1G MMBT4403WT1G ONSEMI 1842037.pdf Description: ONSEMI - MMBT4403WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 35 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MMBT4403WT1G MMBT4403WT1G ONSEMI 1842037.pdf Description: ONSEMI - MMBT4403WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE
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Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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 Mindestbestellmenge: 35 Stücke
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Trans GP BJT PNP 40V 0.6A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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MMBT4403WT1G
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Description: TRANS PNP 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
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Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
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Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
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Bipolar Transistors - BJT 600mA 40V PNP
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1000+0.065 EUR
3000+0.048 EUR
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MMBT4403WT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 40V 0.6A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
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Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
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Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 150 mW
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Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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MMBT4403WT1G 1842037.pdf
MMBT4403WT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT4403WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 35 Stücke:
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MMBT4403WT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT4403WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 40 V, 600 mA, 150 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 35 Stücke:
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