MMBT489LT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 710 mW
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.18 EUR |
| 6000+ | 0.17 EUR |
| 9000+ | 0.16 EUR |
| 15000+ | 0.15 EUR |
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Technische Details MMBT489LT1G onsemi
Description: ONSEMI - MMBT489LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MMBT489LT1G nach Preis ab 0.14 EUR bis 0.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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MMBT489LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1A 50V NPN |
auf Bestellung 3249 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT489LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 710 mW |
auf Bestellung 16966 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT489LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT489LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT489LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 4190 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT489LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MMBT489LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| MMBT489LT1G | Hersteller : ONSEMI |
MMBT489LT1G NPN SMD transistors |
Produkt ist nicht verfügbar |