MMBT489LT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 710 mW
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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Technische Details MMBT489LT1G onsemi
Description: ONSEMI - MMBT489LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 1A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 310mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote MMBT489LT1G nach Preis ab 0.21 EUR bis 1.14 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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MMBT489LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 1A 50V NPN |
auf Bestellung 3249 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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MMBT489LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 30V 1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 710 mW |
auf Bestellung 8997 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MMBT489LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 44 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT489LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT489LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 300hFE Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT489LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT489LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 1 A, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 1A usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT489LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MMBT489LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 30V 1A 710mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MMBT489LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 2A; 0.31/0.71W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 2A Power dissipation: 0.31/0.71W Case: SOT23 Current gain: 200...900 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MMBT489LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 2A; 0.31/0.71W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 2A Power dissipation: 0.31/0.71W Case: SOT23 Current gain: 200...900 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
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