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MMBT5087LT1G

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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3497+0.05 EUR
6000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3497 Stücke
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G onsemi mmbt5087lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.068 EUR
6000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ONSEMI mmbt5087lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 250...800
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 40MHz
Collector current: 50mA
auf Bestellung 397 Stücke:
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358+0.24 EUR
397+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 358 Stücke
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G onsemi mmbt5087lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 50mA 50V PNP
auf Bestellung 3173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.38 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.099 EUR
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G onsemi mmbt5087lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 78000 Stücke:
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56+0.38 EUR
96+0.21 EUR
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500+0.099 EUR
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ONSEMI 1910536.pdf Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
622+0.4 EUR
1260+0.18 EUR
1632+0.13 EUR
2189+0.098 EUR
2545+0.084 EUR
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ONSEMI 1910536.pdf Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14155 Stücke:
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MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
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MMBT5087LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5087LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.068 EUR
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MMBT5087LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 250...800
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 40MHz
Collector current: 50mA
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
358+0.24 EUR
397+0.23 EUR
Mindestbestellmenge: 358 Stücke
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MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 50mA 50V PNP
auf Bestellung 3173 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
9+0.38 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.099 EUR
3000+0.05 EUR
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MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 78000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+0.38 EUR
96+0.21 EUR
155+0.13 EUR
500+0.099 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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MMBT5087LT1G 1910536.pdf
MMBT5087LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
622+0.4 EUR
1260+0.18 EUR
1632+0.13 EUR
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2545+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 622 Stücke
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MMBT5087LT1G 1910536.pdf
MMBT5087LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 14155 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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1260+0.18 EUR
1632+0.13 EUR
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KIRLML5203TRPBF
Produktcode: 185651
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2109011630_KUU-KIRLML5203TRPBF_C2891688.pdf
KIRLML5203TRPBF
Hersteller: KUU
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Id, A: 3 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 98 mOhm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 510/9,5
Montage: SMD
auf Bestellung: 576 St.
  • 576 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.12 EUR
10+0.098 EUR
100+0.084 EUR
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100uF 50V SMD (CK1H107M08010VR259, CK1H107M08010VR200 - Samwha)
Produktcode: 98901
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100uF 50V SMD (CK1H107M08010VR259, CK1H107M08010VR200 - Samwha)
Hersteller: Samwha
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische SMD
Kapazität: 100 µF
Nennspannung: 50 V
Reihe: CK, SMD niederohmig
Temperaturbereich: -55...+105°C
Abmessungen: SMD size F
Max. Welligkeitsstrom: 670 mA
auf Bestellung: 10570 St.
  • 10570 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.24 EUR
10+0.2 EUR
100+0.17 EUR
1000+0.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10uF 25V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B106KAHNNNE – Samsung)
Produktcode: 72199
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10uF 25V X7R 10% 1206 2k/reel (CL31B106KAHNNNE – Samsung)
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 10 µF
Nennspannung: 25 V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Baugröße: 1206
auf Bestellung: 2 St.
  • 2 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.12 EUR
10+0.079 EUR
100+0.075 EUR
1000+0.067 EUR
10000+0.058 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MCL103C (BAS385)
Produktcode: 50342
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mcl103c-datasheet.pdf
MCL103C (BAS385)
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: MicroMELF
Sperrspannung Vrrm, V: 20 V
Durchlassstrom (per leg) If, A: 0,2 A
Durchlassspannung Vf, V: 0,37 V
Bemerkung: P=0.4W, T=-65 to +125C
Montage: SMD
Stoßstrom Ifsm, A: 15 А
auf Bestellung: 167 St.
  • 167 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.19 EUR
10+0.15 EUR
100+0.13 EUR
1000+0.095 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1.5KE400CA
Produktcode: 18274
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1.5KE_CA.pdf
1.5KE400CA
Hersteller: YJ/GS
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-201
Spitzenleistung, P, W: 1500 W
Durchbruchspannung, Vbr: 400 V
Sperrspannung, Vrm: 342 В
Leckstrom, Irm: 1 мкА
Diodenbauart: Bidirektional
Montage: THT
auf Bestellung: 92 St.
  • 92 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+0.39 EUR
10+0.36 EUR
100+0.31 EUR
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