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MMBT5087LT1G

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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 144000 Stücke:
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G onsemi mmbt5087lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 199900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.055 EUR
6000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 61979 Stücke:
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982+0.15 EUR
1525+0.093 EUR
2029+0.069 EUR
2440+0.056 EUR
3664+0.037 EUR
6000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 982 Stücke
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ONSEMI mmbt5087lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 40MHz
auf Bestellung 459 Stücke:
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385+0.19 EUR
459+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G onsemi mmbt5087lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 200632 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.3 EUR
99+0.18 EUR
160+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G onsemi mmbt5087lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 50mA 50V PNP
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.33 EUR
16+0.18 EUR
100+0.12 EUR
500+0.093 EUR
1000+0.083 EUR
3000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ONSEMI 1910536.pdf Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15375 Stücke:
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ONSEMI 1910536.pdf Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15375 Stücke:
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MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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MMBT5087LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 144000 Stücke:
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MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 144000 Stücke:
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3497+0.041 EUR
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MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 199900 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.055 EUR
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MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 61979 Stücke:
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Anzahl Preis
982+0.15 EUR
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MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 250...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 40MHz
auf Bestellung 459 Stücke:
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Anzahl Preis
385+0.19 EUR
459+0.16 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
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MMBT5087LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 200632 Stücke:
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Anzahl Preis
59+0.3 EUR
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500+0.08 EUR
1000+0.071 EUR
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MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 50mA 50V PNP
auf Bestellung 463 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+0.33 EUR
16+0.18 EUR
100+0.12 EUR
500+0.093 EUR
1000+0.083 EUR
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MMBT5087LT1G 1910536.pdf
MMBT5087LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15375 Stücke:
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MMBT5087LT1G 1910536.pdf
MMBT5087LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 15375 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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KIRLML5203TRPBF
Produktcode: 185651
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2109011630_KUU-KIRLML5203TRPBF_C2891688.pdf
KIRLML5203TRPBF
Hersteller: KUU
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3 A
Rds(on),Om: 98 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9,5
/: SMD
auf Bestellung 590 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
100uF 50V SMD (CK1H107M08010VR259, CK1H107M08010VR200)
Produktcode: 98901
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
100uF 50V SMD (CK1H107M08010VR259, CK1H107M08010VR200)
Hersteller: Samwha
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische SMD
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 50V
Reihe: CK-SMD niedriger Impedanz
Temp.Bereich: -55...+105°C
Abmessungen: SMD
Макс.пульс.струм: 670mA
auf Bestellung 10808 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.2 EUR
10+0.17 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10uF 25V +/-10% X7R 1206 (CL31B106KAHNNNE - Samsung)
Produktcode: 72199
5 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
10uF 25V +/-10% X7R 1206 (CL31B106KAHNNNE - Samsung)
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 25V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Gro?entyp: 1206
auf Bestellung 9157 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MCL103С ( BAS385)
Produktcode: 50342
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mcl103c-datasheet.pdf
MCL103С ( BAS385)
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: MicroMELF
Vrrm(V): 20
If(A): 15
VF@IF: 0,37
Bemerkung: P=0.4W, T=-65 to +125C
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 15 A
auf Bestellung 147 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 20 St.:
Anzahl Preis
1+0.16 EUR
10+0.12 EUR
100+0.086 EUR
1000+0.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1.5KE400CA
Produktcode: 18274
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1.5KE_CA.pdf
1.5KE400CA
Hersteller: YJ/GS
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-201
P, Wt: 1500
U Durchbruch: 400
n: 342 V
n: 1 µA
n: Двоспрямований
Монтаж: THT
auf Bestellung 425 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.3 EUR
10+0.27 EUR
100+0.22 EUR
1000+0.2 EUR
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