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MMBT5087LT1G

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Produktcode: 175250
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3497+0.051 EUR
6000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3497 Stücke
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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6000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3497 Stücke
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G onsemi mmbt5087lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G onsemi mmbt5087lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 5011 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
98+0.21 EUR
158+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G onsemi mmbt5087lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 50mA 50V PNP
auf Bestellung 6667 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.39 EUR
13+0.24 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.099 EUR
3000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ONSEMI 1910536.pdf Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
565+0.44 EUR
1250+0.19 EUR
1619+0.13 EUR
2041+0.1 EUR
2321+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 565 Stücke
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ONSEMI 1910536.pdf Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4495 Stücke:
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565+0.44 EUR
1250+0.19 EUR
1619+0.13 EUR
2041+0.1 EUR
2321+0.093 EUR
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G ONSEMI mmbt5087lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 250...800
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 40MHz
Collector current: 50mA
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3497+0.051 EUR
6000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3497 Stücke
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MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3497+0.051 EUR
6000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3497 Stücke
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MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 5011 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+0.36 EUR
98+0.21 EUR
158+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 50mA 50V PNP
auf Bestellung 6667 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
8+0.39 EUR
13+0.24 EUR
100+0.15 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.099 EUR
3000+0.058 EUR
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MMBT5087LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
565+0.44 EUR
1250+0.19 EUR
1619+0.13 EUR
2041+0.1 EUR
2321+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 565 Stücke
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MMBT5087LT1G 1910536.pdf
MMBT5087LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 4495 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
565+0.44 EUR
1250+0.19 EUR
1619+0.13 EUR
2041+0.1 EUR
2321+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 565 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5087LT1G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Mounting: SMD
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.25W
Polarisation: bipolar
Type of transistor: PNP
Current gain: 250...800
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 40MHz
Collector current: 50mA
auf Bestellung 397 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH