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MMBT5087LT1G

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Produktcode: 175250
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42000 Stücke:
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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9000+0.035 EUR
27000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3585
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 225000 Stücke:
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3585+0.04 EUR
6000+0.036 EUR
9000+0.034 EUR
24000+0.028 EUR
Mindestbestellmenge: 3585
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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6000+0.036 EUR
9000+0.034 EUR
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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Anzahl Preis
3135+0.046 EUR
6000+0.027 EUR
9000+0.026 EUR
15000+0.024 EUR
21000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 3135
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 27000 Stücke:
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3145+0.046 EUR
6000+0.027 EUR
9000+0.026 EUR
15000+0.024 EUR
21000+0.022 EUR
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Hersteller : onsemi mmbt5087lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 199900 Stücke:
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3000+0.055 EUR
6000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 61979 Stücke:
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1690+0.12 EUR
2000+0.073 EUR
5000+0.054 EUR
6000+0.039 EUR
24000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 1690
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Hersteller : ONSEMI mmbt5087lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.05A; 0.25W; SOT23,TO236AB
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Type of transistor: PNP
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.25W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 250...800
Frequency: 40MHz
auf Bestellung 1111 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
385+0.19 EUR
575+0.12 EUR
817+0.088 EUR
951+0.075 EUR
1111+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 385
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Hersteller : onsemi MMBT5087LT1_D-1811711.pdf Bipolar Transistors - BJT 50mA 50V PNP
auf Bestellung 30717 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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11+0.27 EUR
18+0.16 EUR
100+0.1 EUR
500+0.077 EUR
1000+0.067 EUR
3000+0.049 EUR
6000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Hersteller : onsemi mmbt5087lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
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99+0.18 EUR
160+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 59
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Hersteller : ONSEMI 1910536.pdf Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 23476 Stücke:
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Hersteller : ONSEMI 1910536.pdf Description: ONSEMI - MMBT5087LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 50 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 40MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 24626 Stücke:
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Hersteller : On Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Bipolar (BJT) Transistor PNP 50V 50mA 40MHz 300mW Surface Mount SOT-23-3 (TO-236) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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MMBT5087LT1G MMBT5087LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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KIRLML5203TRPBF
Produktcode: 185651
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2109011630_KUU-KIRLML5203TRPBF_C2891688.pdf
KIRLML5203TRPBF
Hersteller: KUU
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 30 V
Id,A: 3 A
Rds(on),Om: 98 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 510/9,5
/: SMD
auf Bestellung 1110 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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100uF 50V SMD (CK1H107M08010VR259, CK1H107M08010VR200)
Produktcode: 98901
3 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
100uF 50V SMD (CK1H107M08010VR259, CK1H107M08010VR200)
Hersteller: Samwha
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische SMD
Kapazität: 100uF
Nennspannung: 50V
Reihe: CK-SMD niedriger Impedanz
Temp.Bereich: -55...+105°C
Abmessungen: SMD
Макс.пульс.струм: 670mA
auf Bestellung 10842 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.2 EUR
10+0.17 EUR
100+0.14 EUR
1000+0.11 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
10uF 25V +/-10% X7R 1206 (CL31B106KAHNNNE - Samsung)
Produktcode: 72199
5 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
10uF 25V +/-10% X7R 1206 (CL31B106KAHNNNE - Samsung)
Kondensatoren SMD > Kondensatoren 1206
Kapazität: 10uF
Nennspannung: 25V
Dielektrikum: X7R
Präzision: ±10% K
Gro?entyp: 1206
auf Bestellung 9456 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MCL103С ( BAS385)
Produktcode: 50342
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mcl103c-datasheet.pdf
MCL103С ( BAS385)
Hersteller: Vishay
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Schottkydioden
Gehäuse: MicroMELF
Vrrm(V): 20
If(A): 15
VF@IF: 0,37
Bemerkung: P=0.4W, T=-65 to +125C
Монтаж: SMD
Імпульсний струм, Ifsm: 15 A
auf Bestellung 169 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.16 EUR
10+0.12 EUR
100+0.086 EUR
1000+0.08 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
1.5KE400CA
Produktcode: 18274
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1.5KE_CA.pdf
1.5KE400CA
Hersteller: YJ/GS
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Suppressordioden (Schutzdioden, restriktive)
Gehäuse: DO-201
P, Wt: 1500
U Durchbruch: 400
n: 342 V
n: 1 µA
n: Двоспрямований
Монтаж: THT
auf Bestellung 427 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.3 EUR
10+0.27 EUR
100+0.22 EUR
1000+0.2 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH