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MMBT5087LT3G

MMBT5087LT3G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Technische Details MMBT5087LT3G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V, Frequency - Transition: 40MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 300 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT5087LT3G MMBT5087LT3G ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5087LT3G MMBT5087LT3G ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5087LT3G MMBT5087LT3G ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5087LT3G MMBT5087LT3G ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5087LT3G MMBT5087LT3G onsemi mmbt5087lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 20000 Stücke:
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MMBT5087LT3G MMBT5087LT3G ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2916+0.058 EUR
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6000+0.037 EUR
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30000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 1619 Stücke
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MMBT5087LT3G MMBT5087LT3G ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9047 Stücke:
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1997+0.087 EUR
2476+0.069 EUR
2605+0.064 EUR
5000+0.054 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5087LT3G MMBT5087LT3G ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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575+0.31 EUR
968+0.18 EUR
978+0.17 EUR
1603+0.098 EUR
1619+0.093 EUR
2248+0.064 EUR
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6000+0.031 EUR
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MMBT5087LT3G MMBT5087LT3G ON Semiconductor mmbt5087lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9047 Stücke:
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521+0.33 EUR
875+0.19 EUR
1435+0.11 EUR
1997+0.079 EUR
2476+0.061 EUR
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MMBT5087LT3G MMBT5087LT3G onsemi mmbt5087lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 50mA 50V PNP
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MMBT5087LT3G MMBT5087LT3G onsemi mmbt5087lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
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2000+0.076 EUR
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Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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MMBT5087LT3G ONSEMI ONSM-S-A0002809705-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMBT5087LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
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SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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20000+0.069 EUR
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MMBT5087LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 205000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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15874+0.042 EUR
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Mindestbestellmenge: 15874 Stücke
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MMBT5087LT3G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
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MMBT5087LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 103224 Stücke:
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15874+0.042 EUR
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MMBT5087LT3G mmbt5087lt1-d.pdf
MMBT5087LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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15874+0.042 EUR
100000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 15874 Stücke
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MMBT5087LT3G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
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20000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 50V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9047 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1435+0.12 EUR
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2476+0.069 EUR
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Mindestbestellmenge: 1435 Stücke
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MMBT5087LT3G
Hersteller: ON Semiconductor
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auf Bestellung 38162 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
575+0.31 EUR
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Mindestbestellmenge: 575 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
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auf Bestellung 9047 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
521+0.33 EUR
875+0.19 EUR
1435+0.11 EUR
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Mindestbestellmenge: 521 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMBT5087LT3G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 50mA 50V PNP
auf Bestellung 18101 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.36 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.096 EUR
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MMBT5087LT3G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 50V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 26887 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+0.38 EUR
96+0.21 EUR
155+0.13 EUR
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1000+0.087 EUR
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Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5087LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 738224 Stücke:
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20000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 20000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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