MMBT5089LT1G
Produktcode: 191280
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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MMBT5089LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 639000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5089LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 44232 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5089LT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 44232 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5089LT1G | onsemi |
Description: TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V Power - Max: 300 mW |
auf Bestellung 1235 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT5089LT1G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN |
auf Bestellung 87580 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT5089LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5089LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 40453 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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MMBT5089LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5089LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 50mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 40453 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
| MMBT5089LT1G |
NPN 25V, 0.05A, general purpose transistor SOT-23-3 |
auf Bestellung 2049 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MMBT5089LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 639000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.053 EUR |
| 9000+ | 0.05 EUR |
| 27000+ | 0.048 EUR |
| 51000+ | 0.045 EUR |
| MMBT5089LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 44232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2591+ | 0.056 EUR |
| 3497+ | 0.041 EUR |
| 3938+ | 0.035 EUR |
| 4049+ | 0.034 EUR |
| 6000+ | 0.032 EUR |
| 15000+ | 0.031 EUR |
| 30000+ | 0.029 EUR |
| MMBT5089LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 44232 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 946+ | 0.15 EUR |
| 1546+ | 0.09 EUR |
| 1656+ | 0.081 EUR |
| 2500+ | 0.052 EUR |
| 2591+ | 0.048 EUR |
| 3497+ | 0.034 EUR |
| 3938+ | 0.029 EUR |
| 4049+ | 0.028 EUR |
| 6000+ | 0.027 EUR |
| MMBT5089LT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
Description: TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 1235 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 56+ | 0.32 EUR |
| 91+ | 0.19 EUR |
| 148+ | 0.12 EUR |
| 500+ | 0.087 EUR |
| 1000+ | 0.077 EUR |
| MMBT5089LT1G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN
Bipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN
auf Bestellung 87580 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9+ | 0.33 EUR |
| 15+ | 0.2 EUR |
| 100+ | 0.12 EUR |
| 500+ | 0.092 EUR |
| 1000+ | 0.081 EUR |
| 3000+ | 0.06 EUR |
| MMBT5089LT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5089LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MMBT5089LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 40453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MMBT5089LT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5089LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MMBT5089LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 40453 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MMBT5089LT1G |
![]() |
NPN 25V, 0.05A, general purpose transistor SOT-23-3
auf Bestellung 2049 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH




