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MMBT5089LT1G

MMBT5089LT1G ON Semiconductor

mmbt5088lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBT5089LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT5089LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 50mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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MMBT5089LT1G MMBT5089LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5088lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5089LT1G MMBT5089LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5088lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5089LT1G MMBT5089LT1G Hersteller : onsemi mmbt5088lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
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Mindestbestellmenge: 3000
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MMBT5089LT1G MMBT5089LT1G Hersteller : onsemi MMBT5088LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 50mA 30V NPN
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MMBT5089LT1G MMBT5089LT1G Hersteller : onsemi mmbt5088lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 25V 0.05A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25 V
Power - Max: 300 mW
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86+0.21 EUR
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MMBT5089LT1G MMBT5089LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91C12D3F357DC0CE&compId=MMBT5088L_MMBT5089L.PDF?ci_sign=a6e8d97f788a8156f13573a4886db6c597d44311 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225/0.3W
Collector-emitter voltage: 25V
Current gain: 400...1200
Frequency: 50MHz
Polarisation: bipolar
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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MMBT5089LT1G MMBT5089LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91C12D3F357DC0CE&compId=MMBT5088L_MMBT5089L.PDF?ci_sign=a6e8d97f788a8156f13573a4886db6c597d44311 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 25V; 0.05A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225/0.3W
Collector-emitter voltage: 25V
Current gain: 400...1200
Frequency: 50MHz
Polarisation: bipolar
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MMBT5089LT1G
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MMBT5089LT1G MMBT5089LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013776941-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5089LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 49734 Stücke:
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MMBT5089LT1G MMBT5089LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013776941-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5089LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 25 V, 50 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 50mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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MMBT5089LT1G MMBT5089LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt5088lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 25V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5089LT1G mmbt5088lt1-d.pdf NPN 25V, 0.05A, general purpose transistor SOT-23-3
auf Bestellung 2049 Stücke:
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