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MMBT5401LT3G

MMBT5401LT3G onsemi

mmbt5401lt1-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10000+0.049 EUR
20000+0.044 EUR
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Technische Details MMBT5401LT3G onsemi

Description: ONSEMI - MMBT5401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT5401LT3G MMBT5401LT3G ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
10000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 10000 Stücke
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MMBT5401LT3G MMBT5401LT3G ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1716+0.1 EUR
2273+0.076 EUR
2916+0.058 EUR
4167+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 1716 Stücke
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MMBT5401LT3G MMBT5401LT3G ON Semiconductor mmbt5401lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5130 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
656+0.27 EUR
935+0.18 EUR
1013+0.17 EUR
1637+0.096 EUR
1716+0.088 EUR
2273+0.063 EUR
2916+0.048 EUR
4167+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 656 Stücke
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MMBT5401LT3G MMBT5401LT3G onsemi mmbt5401lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 160V PNP
auf Bestellung 21241 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.31 EUR
18+0.19 EUR
100+0.12 EUR
500+0.086 EUR
1000+0.067 EUR
5000+0.058 EUR
10000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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MMBT5401LT3G MMBT5401LT3G onsemi mmbt5401lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 21362 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
107+0.2 EUR
174+0.12 EUR
500+0.088 EUR
1000+0.077 EUR
2000+0.068 EUR
5000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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MMBT5401LT3G MMBT5401LT3G ONSEMI 2355038.pdf Description: ONSEMI - MMBT5401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 36433 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
603+0.42 EUR
1118+0.2 EUR
1891+0.11 EUR
2428+0.088 EUR
5000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 603 Stücke
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MMBT5401LT3G MMBT5401LT3G ONSEMI 2355038.pdf Description: ONSEMI - MMBT5401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Dauerkollektorstrom: 500mA
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
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Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MMBT5401LT3G
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Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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AnzahlPrivatkunde
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1013+0.17 EUR
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100+0.12 EUR
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Description: TRANS PNP 150V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 300 mW
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
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Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 36433 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
603+0.42 EUR
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Description: ONSEMI - MMBT5401LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
603+0.42 EUR
1118+0.2 EUR
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