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MMBT5401M3T5G

MMBT5401M3T5G onsemi

mmbt5401m3-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 150V 0.06A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 130 mW
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Technische Details MMBT5401M3T5G onsemi

Description: TRANS PNP 150V 0.06A SOT-723, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 180MHz, Supplier Device Package: SOT-723, Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V, Power - Max: 130 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT5401M3T5G MMBT5401M3T5G Hersteller : onsemi mmbt5401m3-d.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.06A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 130 mW
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MMBT5401M3T5G MMBT5401M3T5G Hersteller : onsemi mmbt5401m3-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 150 V, 60 mA
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