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MMBT5401Q-7-F

MMBT5401Q-7-F Diodes Zetex

897ds30057.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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Technische Details MMBT5401Q-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - MMBT5401Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85411000, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 350mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote MMBT5401Q-7-F nach Preis ab 0.042 EUR bis 0.45 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT5401Q-7-F MMBT5401Q-7-F Diodes Zetex 897ds30057.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.6A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101
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MMBT5401Q-7-F MMBT5401Q-7-F Diodes Incorporated ds30057.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 350 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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6000+0.062 EUR
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MMBT5401Q-7-F MMBT5401Q-7-F Diodes Incorporated MMBT5401.pdf Bipolar Transistors - BJT SS Hi Voltage Trans
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MMBT5401Q-7-F MMBT5401Q-7-F Diodes Incorporated ds30057.pdf Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
Power - Max: 350 mW
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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MMBT5401Q-7-F MMBT5401Q-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0005038985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT5401Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MMBT5401Q-7-F MMBT5401Q-7-F DIODES INC. DIOD-S-A0005038985-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT5401Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Dauerkollektorstrom: 600mA
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
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usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Description: TRANS PNP 150V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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Qualification: AEC-Q101
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16+0.21 EUR
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Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
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Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V
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Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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MMBT5401Q-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT5401Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
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Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT5401Q-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 600 mA, 350 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
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Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
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