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MMBT5401WT1G onsemi


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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT PNP HIGH VOLTAGE TRANSISTOR
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Technische Details MMBT5401WT1G onsemi

Description: ONSEMI - MMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 400mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V, productTraceability: No, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT5401WT1G MMBT5401WT1G ON Semiconductor mmbt5401w-d.pdf Trans GP BJT PNP 150V 0.5A 400mW 3-Pin SC-70 T/R
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Verlustleistung: 400mW
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Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V
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Wandlerpolarität: PNP
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Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 10 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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Description: ONSEMI - MMBT5401WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 150 V, 500 mA, 400 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
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