MMBT5550LT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 56891 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 0.064 EUR |
| 6000+ | 0.061 EUR |
| 9000+ | 0.052 EUR |
| 30000+ | 0.048 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MMBT5550LT1G onsemi
Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote MMBT5550LT1G nach Preis ab 0.029 EUR bis 0.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBT5550LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 140V Current gain: 20...250 Collector current: 0.6A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.225/0.3W Polarisation: bipolar Mounting: SMD Case: SOT23 Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2538 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT5550LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 140V Current gain: 20...250 Collector current: 0.6A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.225/0.3W Polarisation: bipolar Mounting: SMD Case: SOT23 |
auf Bestellung 2538 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT5550LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR NPN 160V |
auf Bestellung 129482 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
MMBT5550LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 56891 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
MMBT5550LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 53139 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
MMBT5550LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 53139 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
| MMBT5550LT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5550LT1G MMBT5550LT3G MMBT5500 TMMBT5550 Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||
 |
MMBT5550LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
|
|
MMBT5550LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||
 |
MMBT5550LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |