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MMBT5550LT1G

MMBT5550LT1G ON Semiconductor

mmbt5550lt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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Technische Details MMBT5550LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 216000 Stücke:
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3704+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3704 Stücke
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MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 216000 Stücke:
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3704+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3704 Stücke
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MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 101000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11858+0.056 EUR
100000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 11858 Stücke
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MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
11858+0.056 EUR
100000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 11858 Stücke
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MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G ONSEMI 2353991.pdf Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12000 Stücke:
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4311+0.058 EUR
9000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 4311 Stücke
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MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7018+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 7018 Stücke
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MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 60...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 7788 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.19 EUR
695+0.12 EUR
1017+0.083 EUR
1200+0.071 EUR
1725+0.049 EUR
1993+0.043 EUR
2165+0.039 EUR
3000+0.035 EUR
6000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
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MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR NPN 160V
auf Bestellung 70312 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
13+0.27 EUR
21+0.17 EUR
100+0.1 EUR
500+0.074 EUR
1000+0.065 EUR
3000+0.048 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G ONSEMI 2353991.pdf Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.31 EUR
1367+0.17 EUR
2071+0.1 EUR
2874+0.075 EUR
3290+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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MMBT5550LT1G MMBT5550LT1G ONSEMI 2353991.pdf Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+0.31 EUR
1367+0.17 EUR
2071+0.1 EUR
2874+0.075 EUR
3290+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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MMBT5550LT1G ON-Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5550LT1G MMBT5550LT3G MMBT5500 TMMBT5550
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MMBT5550LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 216000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3704+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3704 Stücke
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MMBT5550LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 216000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3704+0.048 EUR
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MMBT5550LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 101000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11858+0.056 EUR
100000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 11858 Stücke
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MMBT5550LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 102000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11858+0.056 EUR
100000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 11858 Stücke
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MMBT5550LT1G 2353991.pdf
MMBT5550LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4311+0.058 EUR
9000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 4311 Stücke
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MMBT5550LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7018+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 7018 Stücke
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MMBT5550LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 140V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 60...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
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AnzahlPrivatkunde
455+0.19 EUR
695+0.12 EUR
1017+0.083 EUR
1200+0.071 EUR
1725+0.049 EUR
1993+0.043 EUR
2165+0.039 EUR
3000+0.035 EUR
6000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
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MMBT5550LT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR NPN 160V
auf Bestellung 70312 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
13+0.27 EUR
21+0.17 EUR
100+0.1 EUR
500+0.074 EUR
1000+0.065 EUR
3000+0.048 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
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MMBT5550LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+0.31 EUR
1367+0.17 EUR
2071+0.1 EUR
2874+0.075 EUR
3290+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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MMBT5550LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5550LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 140 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 250hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5052 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+0.31 EUR
1367+0.17 EUR
2071+0.1 EUR
2874+0.075 EUR
3290+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5550LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5550LT1G MMBT5550LT3G MMBT5500 TMMBT5550
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH