MMBT5550LT3G ON Semiconductor
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Technische Details MMBT5550LT3G ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 225 mW.
Weitere Produktangebote MMBT5550LT3G nach Preis ab 0.024 EUR bis 0.47 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
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MMBT5550LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT5550LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT5550LT3G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 225 mW |
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MMBT5550LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6492 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5550LT3G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SS HV XSTR NPN 160V |
auf Bestellung 119616 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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MMBT5550LT3G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 160356 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MMBT5550LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 160000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5550LT3G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5550LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 30142 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5550LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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