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MMBT5550LT3G

MMBT5550LT3G ON Semiconductor

mmbt5550lt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBT5550LT3G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 225 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT5550LT3G MMBT5550LT3G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5550LT3G MMBT5550LT3G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 140V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 225 mW
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MMBT5550LT3G MMBT5550LT3G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5550LT3G ONSEMI ONSM-S-A0002809745-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMBT5550LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 225 mW
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5550LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
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euEccn: NLR
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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