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MMBT5551-7-F

MMBT5551-7-F DIODES INC.

DIODS21796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
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Wandlerpolarität: NPN
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Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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Technische Details MMBT5551-7-F DIODES INC.

Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 300MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5319 Stücke:
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3000+0.06 EUR
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MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 5319 Stücke:
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565+0.31 EUR
885+0.19 EUR
905+0.18 EUR
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1676+0.088 EUR
3000+0.05 EUR
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Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3825 Stücke:
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622+0.4 EUR
991+0.24 EUR
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Übergangsfrequenz: 300MHz
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MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Diodes Incorporated MMBT5551.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
auf Bestellung 1812 Stücke:
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44+0.48 EUR
71+0.3 EUR
87+0.24 EUR
100+0.21 EUR
115+0.18 EUR
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MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Diodes Incorporated MMBT5551.pdf Bipolar Transistors - BJT SS NPN 300mW
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7+0.54 EUR
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3000+0.096 EUR
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MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: Diodes Zetex
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MMBT5551-7-F
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Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5551-7-F
Hersteller: DIODES INC.
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
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usEccn: EAR99
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 3825 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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991+0.24 EUR
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MMBT5551-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
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Wandlerpolarität: NPN
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
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AnzahlPrivatkunde
44+0.48 EUR
71+0.3 EUR
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Bipolar Transistors - BJT SS NPN 300mW
auf Bestellung 4927 Stücke:
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7+0.54 EUR
12+0.29 EUR
100+0.2 EUR
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3000+0.096 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 84 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH