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MMBT5551-7-F
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MMBT5551-7-FMMBT5551-7-F

MMBT5551-7-F DIODES INCORPORATED

MMBT5551.pdf
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 3000pcs.
Current gain: 80...250
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Technische Details MMBT5551-7-F DIODES INCORPORATED

Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F DIODES INC. DIODS21796-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Diodes Incorporated MMBT5551.pdf Bipolar Transistors - BJT SS NPN 300mW
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MMBT5551-7-F MMBT5551-7-F Diodes Zetex mmbt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5551-7-F DIODES/ZETEX MMBT5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R MMBT5551-7-F TMMBT5551-7-F Diodes
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Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMBT5551-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 600 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
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Wandlerpolarität: NPN
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Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT SS NPN 300mW
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MMBT5551-7-F
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: DIODES/ZETEX
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R MMBT5551-7-F TMMBT5551-7-F Diodes
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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