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MMBT5551LT1G

MMBT5551LT1G ON Semiconductor

mmbt5550lt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12033000 Stücke:
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Technische Details MMBT5551LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 600mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G On Semiconductor MMBT5550LT1-D.pdf NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
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MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 540000 Stücke:
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3000+0.055 EUR
6000+0.049 EUR
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MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013307714-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3774+0.067 EUR
9000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3774 Stücke
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MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 19840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
9346+0.069 EUR
10490+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 9346 Stücke
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MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1884+0.092 EUR
2381+0.07 EUR
2711+0.06 EUR
7353+0.021 EUR
7408+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1884 Stücke
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MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1884+0.092 EUR
2381+0.071 EUR
2711+0.061 EUR
7353+0.023 EUR
7408+0.021 EUR
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MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ONSEMI mmbt5550lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
556+0.15 EUR
794+0.11 EUR
1075+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 556 Stücke
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MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
auf Bestellung 260635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+0.29 EUR
19+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.082 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G onsemi mmbt5550lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 540108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
72+0.3 EUR
117+0.18 EUR
190+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
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MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ONSEMI 1571923.pdf Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
685+0.37 EUR
1208+0.19 EUR
1780+0.12 EUR
2458+0.087 EUR
2802+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
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MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ONSEMI 1571923.pdf Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
685+0.37 EUR
1208+0.19 EUR
1780+0.12 EUR
2458+0.087 EUR
2802+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
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MMBT5551LT1G MMBT5551LT1G ON Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 129 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT5551LT1G ON-Semiconductor mmbt5550lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5551LT3G MMBT5551LT1 MMBT5551LT1G TMMBT5551 ON
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1981 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MMBT5551LT1G ON Semiconductor MMBT5551LT1.pdf Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 160, Ic = 600 мА, Тип монт. = smd, hFE = 80 @ 10 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,2 @ 5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 281 Stücke:
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MMBT5551LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12033000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
7463+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 7463 Stücke
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MMBT5551LT1G MMBT5550LT1-D.pdf
MMBT5551LT1G
Hersteller: On Semiconductor
NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
auf Bestellung 289 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
110+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 110 Stücke
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MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 540000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.055 EUR
6000+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT5551LT1G ONSM-S-A0013307714-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBT5551LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3774+0.067 EUR
9000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3774 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 19840 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9346+0.069 EUR
10490+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 9346 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1884+0.092 EUR
2381+0.07 EUR
2711+0.06 EUR
7353+0.021 EUR
7408+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1884 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 11650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1884+0.092 EUR
2381+0.071 EUR
2711+0.061 EUR
7353+0.023 EUR
7408+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 1884 Stücke
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MMBT5551LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1075 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
556+0.15 EUR
794+0.11 EUR
1075+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 556 Stücke
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MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN
auf Bestellung 260635 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
12+0.29 EUR
19+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.082 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1G mmbt5550lt1-d.pdf
MMBT5551LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 540108 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
72+0.3 EUR
117+0.18 EUR
190+0.11 EUR
500+0.08 EUR
1000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 72 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMBT5551LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 5239 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
685+0.37 EUR
1208+0.19 EUR
1780+0.12 EUR
2458+0.087 EUR
2802+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT5551LT1G 1571923.pdf
MMBT5551LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MMBT5551LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Hersteller: ON-Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5551LT3G MMBT5551LT1 MMBT5551LT1G TMMBT5551 ON
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Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 160, Ic = 600 мА, Тип монт. = smd, hFE = 80 @ 10 мA, 5 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,2 @ 5 мA, 50 мA, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
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