MMBT5551LT1G ON Semiconductor
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Technische Details MMBT5551LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 600mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote MMBT5551LT1G nach Preis ab 0.029 EUR bis 0.42 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MMBT5551LT1G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT5551LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 225 mW |
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MMBT5551LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 160V Current gain: 30...250 Collector current: 0.6A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.225/0.3W Polarisation: bipolar Mounting: SMD Case: SOT23 Anzahl je Verpackung: 25 Stücke |
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MMBT5551LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.6A; 0.225/0.3W; SOT23 Kind of package: reel; tape Collector-emitter voltage: 160V Current gain: 30...250 Collector current: 0.6A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.225/0.3W Polarisation: bipolar Mounting: SMD Case: SOT23 |
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MMBT5551LT1G | Hersteller : onsemi | Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN |
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MMBT5551LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.6A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 225 mW |
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MMBT5551LT1G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT5551LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 600mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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MMBT5551LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Dauer-Kollektorstrom: 600mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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MMBT5551LT1G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 237000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5551LT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 MMBT5551LT3G MMBT5551LT1 MMBT5551LT1G TMMBT5551 ON Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 8361 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBT5551LT1G | Hersteller : On Semiconductor | NPN, Uкэ=140V, Iк=0.6A, h21=20...250, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) |
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MMBT5551LT1G | Hersteller : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 160V 0.6A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT5551LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5551LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 160 V, 600 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 600mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: -MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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