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MMBT5551M3T5G

MMBT5551M3T5G onsemi

mmbt5551m3-d.pdf
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 265 mW
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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Technische Details MMBT5551M3T5G onsemi

Description: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 265mW, SVHC: No SVHC (04-Feb-2026), Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 60mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote MMBT5551M3T5G nach Preis ab 0.046 EUR bis 0.33 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT5551M3T5G MMBT5551M3T5G onsemi mmbt5551m3-d.pdf Description: TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 265 mW
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MMBT5551M3T5G MMBT5551M3T5G onsemi mmbt5551m3-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT-723 GP NPN TRANS
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11+0.32 EUR
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MMBT5551M3T5G MMBT5551M3T5G ONSEMI ONSM-S-A0013776986-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 60mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBT5551M3T5G MMBT5551M3T5G ONSEMI ONSM-S-A0013776986-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 60mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MMBT5551M3T5G MMBT5551M3T5G ON Semiconductor mmbt5551m3-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
auf Bestellung 20 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 20 Stücke
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MMBT5551M3T5G ON-Semiconductor mmbt5551m3-d.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 MMBT5551M3T5G TMMBT5551m3
Anzahl je Verpackung: 50 Stücke
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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Description: TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 265 mW
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MMBT5551M3T5G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 60mA
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productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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MMBT5551M3T5G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 265mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 60mA
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Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
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Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2 Stücke:
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MMBT5551M3T5G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
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Hersteller: ON-Semiconductor
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