MMBT5551M3T5G ON Semiconductor
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Technische Details MMBT5551M3T5G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 265mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 60mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
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MMBT5551M3T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
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MMBT5551M3T5G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 265 mW |
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MMBT5551M3T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
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MMBT5551M3T5G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT SOT-723 GP NPN TRANS |
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MMBT5551M3T5G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 160V 0.06A SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SOT-723 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 60 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V Power - Max: 265 mW |
auf Bestellung 30282 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT5551M3T5G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 60mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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MMBT5551M3T5G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT5551M3T5G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 160 V, 60 mA, 265 mW, SOT-723, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 60mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 160V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT5551M3T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
auf Bestellung 1438 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBT5551M3T5G | Hersteller : ON-Semicoductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 MMBT5551M3T5G TMMBT5551m3 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBT5551M3T5G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 160V 0.06A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R |
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| MMBT5551M3T5G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 160V; 0.06A; 0.64W; SOT723 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 160V Collector current: 60mA Power dissipation: 0.64W Case: SOT723 Current gain: 80...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
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