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MMBT5551Q-7

MMBT5551Q-7 Diodes Zetex

mmbt5551q.pdf Hersteller: Diodes Zetex
160V NPN Small Signal Transistor Automotive AEC-Q101
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Technische Details MMBT5551Q-7 Diodes Zetex

Description: SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT23 T, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 300MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3, Grade: Automotive, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V, Power - Max: 300 mW, Qualification: AEC-Q101.

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MMBT5551Q-7 MMBT5551Q-7 Hersteller : Diodes Incorporated MMBT5551Q.pdf Description: SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT23 T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
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MMBT5551Q-7 MMBT5551Q-7 Hersteller : Diodes Incorporated MMBT5551Q.pdf Description: SS HI VOLTAGE TRANSISTOR SOT23 T
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160 V
Power - Max: 300 mW
Qualification: AEC-Q101
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MMBT5551Q-7 Hersteller : Diodes Incorporated MMBT5551-3240577.pdf Bipolar Transistors - BJT SS Hi Voltage Transistor SOT23 T&R 3K
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MMBT5551Q-7 Hersteller : Diodes Inc mmbt5551q.pdf SS Hi Voltage Transistor SOT23 T&R 3K
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