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MMBT6429LT1G

MMBT6429LT1G ONSEMI

mmbt6428lt1-d.pdf Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 500...1250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 700MHz
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Technische Details MMBT6429LT1G ONSEMI

Description: TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V, Frequency - Transition: 700MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V, Power - Max: 225 mW.

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MMBT6429LT1G MMBT6429LT1G Hersteller : ONSEMI mmbt6428lt1-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.2A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 500...1250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 700MHz
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MMBT6429LT1G MMBT6429LT1G Hersteller : onsemi MMBT6428LT1_D-2316300.pdf Bipolar Transistors - BJT 200mA 55V NPN
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9000+ 0.033 EUR
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MMBT6429LT1G MMBT6429LT1G Hersteller : onsemi mmbt6428lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
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MMBT6429LT1G MMBT6429LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt6428lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 45V 0.2A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT6429LT1G MMBT6429LT1G Hersteller : onsemi mmbt6428lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 45V 0.2A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 500 @ 100µA, 5V
Frequency - Transition: 700MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 200 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V
Power - Max: 225 mW
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