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MMBT6520LT1G

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Produktcode: 147958
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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G ON Semiconductor mmbt6520lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G ON Semiconductor mmbt6520lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G ON Semiconductor mmbt6520lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G ON Semiconductor mmbt6520lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G ON Semiconductor mmbt6520lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G onsemi mmbt6520lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.12 EUR
6000+0.1 EUR
9000+0.098 EUR
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MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G ON Semiconductor mmbt6520lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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1092+0.17 EUR
1104+0.15 EUR
1240+0.14 EUR
1480+0.11 EUR
3000+0.094 EUR
6000+0.076 EUR
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MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G ON Semiconductor mmbt6520lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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670+0.25 EUR
678+0.24 EUR
1021+0.15 EUR
1032+0.14 EUR
1240+0.12 EUR
1435+0.096 EUR
3000+0.08 EUR
6000+0.064 EUR
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MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G onsemi MMBT6520LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 500mA 350V PNP
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8+0.46 EUR
12+0.29 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.09 EUR
6000+0.077 EUR
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MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G onsemi mmbt6520lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 13773 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
38+0.57 EUR
62+0.35 EUR
100+0.21 EUR
500+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 38 Stücke
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MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G ONSEMI 1840568.pdf Description: ONSEMI - MMBT6520LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
375+0.67 EUR
827+0.29 EUR
1012+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 375 Stücke
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MMBT6520LT1G mmbt6520lt1-d.pdf
MMBT6520LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT6520LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT6520LT1G mmbt6520lt1-d.pdf
MMBT6520LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.082 EUR
6000+0.076 EUR
9000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT6520LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT6520LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
7026+0.094 EUR
10000+0.082 EUR
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MMBT6520LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.1 EUR
6000+0.098 EUR
12000+0.093 EUR
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MMBT6520LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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6000+0.1 EUR
9000+0.098 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT6520LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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AnzahlPrivatkunde
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1104+0.15 EUR
1240+0.14 EUR
1480+0.11 EUR
3000+0.094 EUR
6000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 1092 Stücke
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MMBT6520LT1G mmbt6520lt1-d.pdf
MMBT6520LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8489 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
385+0.45 EUR
670+0.25 EUR
678+0.24 EUR
1021+0.15 EUR
1032+0.14 EUR
1240+0.12 EUR
1435+0.096 EUR
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6000+0.064 EUR
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MMBT6520LT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 350V PNP
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AnzahlPrivatkunde
8+0.46 EUR
12+0.29 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.13 EUR
3000+0.09 EUR
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MMBT6520LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 200MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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MMBT6520LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT6520LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1240 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
375+0.67 EUR
827+0.29 EUR
1012+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 375 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH