MMBT6520LT1G


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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt6520lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Hersteller : onsemi mmbt6520lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 225 mW
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MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt6520lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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6000+0.056 EUR
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MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt6520lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Hersteller : onsemi MMBT6520LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 500mA 350V PNP
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MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Hersteller : onsemi mmbt6520lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 225 mW
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MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Hersteller : ONSEMI 1840568.pdf Description: ONSEMI - MMBT6520LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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MMBT6520LT1G Hersteller : On Semiconductor mmbt6520lt1-d.pdf TRANS PNP 350V 0.5A SOT23 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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