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MMBT6520LT1G

MMBT6520LT1G ON Semiconductor


mmbt6520lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBT6520LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBT6520LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 200MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt6520lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Hersteller : onsemi mmbt6520lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 225 mW
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6000+0.09 EUR
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21000+0.08 EUR
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MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt6520lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Hersteller : ONSEMI mmbt6520lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Frequency: 200MHz
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 30...200
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Anzahl Preis
278+0.26 EUR
491+0.15 EUR
629+0.11 EUR
687+0.10 EUR
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MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Hersteller : ONSEMI mmbt6520lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23,TO236AB
Frequency: 200MHz
Collector current: 0.5A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.225/0.3W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT23; TO236AB
Collector-emitter voltage: 350V
Current gain: 30...200
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491+0.15 EUR
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MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt6520lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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813+0.18 EUR
817+0.17 EUR
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6000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 507
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MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Hersteller : onsemi mmbt6520lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 350V PNP
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9000+0.07 EUR
24000+0.07 EUR
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MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Hersteller : onsemi mmbt6520lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 225 mW
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60+0.30 EUR
100+0.19 EUR
500+0.14 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 36
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MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Hersteller : ONSEMI 1840568.pdf Description: ONSEMI - MMBT6520LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2575 Stücke:
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MMBT6520LT1G
Produktcode: 147958
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