Produkte > ON SEMICONDUCTOR > MMBT6520LT1G
MMBT6520LT1G

MMBT6520LT1G ON Semiconductor


mmbt6520lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3265 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2248+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 2248
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MMBT6520LT1G ON Semiconductor

Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA, Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V, Frequency - Transition: 200MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V, Power - Max: 225 mW.

Weitere Produktangebote MMBT6520LT1G nach Preis ab 0.049 EUR bis 0.8 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt6520lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3265 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
327+0.48 EUR
464+ 0.33 EUR
470+ 0.31 EUR
1042+ 0.14 EUR
1103+ 0.12 EUR
1417+ 0.088 EUR
3000+ 0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 327
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Hersteller : onsemi mmbt6520lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 3394 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
34+0.78 EUR
48+ 0.55 EUR
100+ 0.28 EUR
500+ 0.23 EUR
1000+ 0.17 EUR
Mindestbestellmenge: 34
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Hersteller : onsemi MMBT6520LT1_D-2316020.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 350V PNP
auf Bestellung 67382 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
66+0.8 EUR
94+ 0.55 EUR
228+ 0.23 EUR
1000+ 0.17 EUR
3000+ 0.14 EUR
9000+ 0.12 EUR
24000+ 0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 66
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Hersteller : ONSEMI 1840568.pdf Description: ONSEMI - MMBT6520LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Hersteller : ONSEMI 1840568.pdf Description: ONSEMI - MMBT6520LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 350 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 350V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 200MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1740 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMBT6520LT1G
Produktcode: 147958
mmbt6520lt1-d.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt6520lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbt6520lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 350V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Hersteller : ONSEMI mmbt6520lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 15...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Hersteller : onsemi mmbt6520lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 350V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 50mA, 10V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 225 mW
Produkt ist nicht verfügbar
MMBT6520LT1G MMBT6520LT1G Hersteller : ONSEMI mmbt6520lt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 350V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 350V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 15...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 200MHz
Produkt ist nicht verfügbar