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MMBT7002KDW-AQ

MMBT7002KDW-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR


mmbt7002kdw.pdf Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1.2A; 0.35W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Application: automotive industry
Version: ESD
auf Bestellung 2960 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
633+0.11 EUR
890+0.08 EUR
1651+0.04 EUR
1743+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 455
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Technische Details MMBT7002KDW-AQ DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 N-Channel (Dual), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 295mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-363, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT7002KDW-AQ MMBT7002KDW-AQ Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt7002kdw.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1.2A; 0.35W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance:
Mounting: SMD
Gate charge: 0.44nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 1.2A
Application: automotive industry
Version: ESD
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MMBT7002KDW-AQ MMBT7002KDW-AQ Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt7002kdw.pdf MOSFETs MOSFET, SOT-363, 60V, 0.3A, 150C, N, AEC-Q101
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MMBT7002KDW-AQ MMBT7002KDW-AQ Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt7002kdw.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-VSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 295mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.75V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
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48+0.37 EUR
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MMBT7002KDW-AQ Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt7002kdw.pdf N-Channel Enhancement Mode FET Automotive AEC-Q101
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MMBT7002KDW-AQ Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt7002kdw.pdf N-Channel Enhancement Mode FET
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MMBT7002KDW-AQ MMBT7002KDW-AQ Hersteller : Diotec Semiconductor mmbt7002kdw.pdf Description: MOSFET 2N-CH 60V 0.3A SOT363
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Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.44nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
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Grade: Automotive
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