MMBT7002KDW Diotec Semiconductor
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Technische Details MMBT7002KDW Diotec Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT363, Case: SOT363, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Drain-source voltage: 60V, Drain current: 0.3A, On-state resistance: 4Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 0.35W, Polarisation: unipolar, Gate charge: 0.44nC, Kind of channel: enhanced, Gate-source voltage: ±20V, Pulsed drain current: 1.2A, Anzahl je Verpackung: 20 Stücke.
Weitere Produktangebote MMBT7002KDW
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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MMBT7002KDW | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT363 Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A On-state resistance: 4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.44nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.2A Anzahl je Verpackung: 20 Stücke |
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MMBT7002KDW | Hersteller : DIOTEC SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 300mA; Idm: 1.2A; 0.35W; SOT363 Case: SOT363 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Drain-source voltage: 60V Drain current: 0.3A On-state resistance: 4Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 0.35W Polarisation: unipolar Gate charge: 0.44nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Pulsed drain current: 1.2A |
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