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MMBT7002KDW

MMBT7002KDW DIOTEC SEMICONDUCTOR

mmbt7002kdw.pdf
Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002KDW - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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auf Bestellung 2375 Stücke:
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725+0.32 EUR
863+0.25 EUR
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Technische Details MMBT7002KDW DIOTEC SEMICONDUCTOR

Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002KDW - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm, tariffCode: 85412100, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -, Verlustleistung, p-Kanal: -, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: Zweifach n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 350mW, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT7002KDW MMBT7002KDW DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt7002kdw.pdf Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002KDW - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm
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Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
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Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MMBT7002KDW MMBT7002KDW Diotec Semiconductor mmbt7002kdw.pdf Description: MOSFET, SOT-363, N+N, 60V, 0.3A,
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
750+0.54 EUR
1500+0.27 EUR
3000+0.14 EUR
6000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 750 Stücke
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MMBT7002KDW MMBT7002KDW DIOTEC SEMICONDUCTOR mmbt7002kdw.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1.2A; 0.35W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.44nC
Version: ESD
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MMBT7002KDW Diotec Semiconductor mmbt7002kdw.pdf SMD MOSFET
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1129+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 1129 Stücke
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Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMBT7002KDW - Dual-MOSFET, Zweifach n-Kanal, 60 V, 300 mA, 3 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: -
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 300mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: -
Verlustleistung, p-Kanal: -
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 60V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Hersteller: Diotec Semiconductor
Description: MOSFET, SOT-363, N+N, 60V, 0.3A,
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Hersteller: DIOTEC SEMICONDUCTOR
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.3A; Idm: 1.2A; 0.35W; ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.3A
Pulsed drain current: 1.2A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT363
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 0.44nC
Version: ESD
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Hersteller: Diotec Semiconductor
SMD MOSFET
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