
MMBT8099LT1G ON Semiconductor
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
3704+ | 0.04 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MMBT8099LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBT8099LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 150MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MMBT8099LT1G nach Preis ab 0.03 EUR bis 0.40 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
MMBT8099LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT8099LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT8099LT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT8099LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 6146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT8099LT1G | Hersteller : onsemi |
![]() |
auf Bestellung 8687 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT8099LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 6146 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT8099LT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 22961 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT8099LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3090 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT8099LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 150MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 3090 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT8099LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT8099LT1G Produktcode: 95963
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() 8542 39 90 00 |
Produkt ist nicht verfügbar
|
||||||||||||||||||||||
![]() |
MMBT8099LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |