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MMBT8099LT1G

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G ON Semiconductor mmbt8099lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3832+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3832 Stücke
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MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G ON Semiconductor mmbt8099lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3704+0.048 EUR
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MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G ON Semiconductor mmbt8099lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3145+0.056 EUR
6000+0.054 EUR
12000+0.051 EUR
27000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3145 Stücke
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MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G onsemi mmbt8099lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.098 EUR
6000+0.087 EUR
9000+0.082 EUR
15000+0.076 EUR
21000+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G ON Semiconductor mmbt8099lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1240+0.14 EUR
1598+0.11 EUR
1796+0.093 EUR
3301+0.05 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 1240 Stücke
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MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G ONSEMI 791597.pdf Description: ONSEMI - MMBT8099LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
953+0.26 EUR
1266+0.18 EUR
1887+0.11 EUR
2084+0.1 EUR
2128+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 953 Stücke
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MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G ONSEMI 791597.pdf Description: ONSEMI - MMBT8099LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
953+0.26 EUR
1266+0.18 EUR
1887+0.11 EUR
2084+0.1 EUR
2128+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 953 Stücke
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MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G ON Semiconductor mmbt8099lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.38 EUR
792+0.21 EUR
854+0.19 EUR
1240+0.13 EUR
1252+0.12 EUR
1598+0.09 EUR
1796+0.077 EUR
3301+0.042 EUR
6000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
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MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G onsemi mmbt8099lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN
auf Bestellung 5558 Stücke:
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8+0.45 EUR
12+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8099LT1G MMBT8099LT1G onsemi mmbt8099lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 22961 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
44+0.48 EUR
72+0.3 EUR
115+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
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MMBT8099LT1G mmbt8099lt1-d.pdf
MMBT8099LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3832+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3832 Stücke
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MMBT8099LT1G mmbt8099lt1-d.pdf
MMBT8099LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3704+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3704 Stücke
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MMBT8099LT1G mmbt8099lt1-d.pdf
MMBT8099LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3145+0.056 EUR
6000+0.054 EUR
12000+0.051 EUR
27000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3145 Stücke
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MMBT8099LT1G mmbt8099lt1-d.pdf
MMBT8099LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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6000+0.087 EUR
9000+0.082 EUR
15000+0.076 EUR
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MMBT8099LT1G mmbt8099lt1-d.pdf
MMBT8099LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1240+0.14 EUR
1598+0.11 EUR
1796+0.093 EUR
3301+0.05 EUR
6000+0.046 EUR
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MMBT8099LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT8099LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3090 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
953+0.26 EUR
1266+0.18 EUR
1887+0.11 EUR
2084+0.1 EUR
2128+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 953 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMBT8099LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT8099LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 150MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3090 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
953+0.26 EUR
1266+0.18 EUR
1887+0.11 EUR
2084+0.1 EUR
2128+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 953 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8099LT1G mmbt8099lt1-d.pdf
MMBT8099LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
455+0.38 EUR
792+0.21 EUR
854+0.19 EUR
1240+0.13 EUR
1252+0.12 EUR
1598+0.09 EUR
1796+0.077 EUR
3301+0.042 EUR
6000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
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MMBT8099LT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN
auf Bestellung 5558 Stücke:
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8+0.45 EUR
12+0.29 EUR
100+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.11 EUR
3000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBT8099LT1G mmbt8099lt1-d.pdf
MMBT8099LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Power - Max: 225 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
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44+0.48 EUR
72+0.3 EUR
115+0.18 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 44 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH