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MMBT918_R1_00001

MMBT918_R1_00001 Panjit

MMBT918-1876771.pdf Hersteller: Panjit
Bipolar Transistors - BJT VHF UHFNPNSILICONTRANSISTOR VCE15V IC50mA
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Technische Details MMBT918_R1_00001 Panjit

Description: VHF/UHF NPN SILICON TRANSISTOR, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 225mW, Current - Collector (Ic) (Max): 50mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V, Frequency - Transition: 600MHz, Supplier Device Package: SOT-23.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBT918_R1_00001 MMBT918_R1_00001 Hersteller : Panjit International Inc. MMBT918.pdf Description: VHF/UHF NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 600MHz
Supplier Device Package: SOT-23
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MMBT918_R1_00001 MMBT918_R1_00001 Hersteller : Panjit International Inc. MMBT918.pdf Description: VHF/UHF NPN SILICON TRANSISTOR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 600MHz
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MMBT918-R1-00001 MMBT918-R1-00001 Hersteller : Panjit MMBT918-1876771.pdf Bipolar Transistors - BJT SOT-23/TRA/SOT/RFT-03TN
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