MMBT918LT1G ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 50mA; 225/300mW; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: RF
Collector-emitter voltage: 15V
Collector current: 50mA
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 20
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 600MHz
auf Bestellung 1180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
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| 540+ | 0.13 EUR |
| 770+ | 0.093 EUR |
| 860+ | 0.084 EUR |
| 1120+ | 0.064 EUR |
| 1180+ | 0.061 EUR |
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Technische Details MMBT918LT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBT918LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 50mA, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 600MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote MMBT918LT1G nach Preis ab 0.06 EUR bis 0.81 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MMBT918LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 50mA; 225/300mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 50mA Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 20 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 600MHz Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
auf Bestellung 1180 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBT918LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Gain: 11dB Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V Frequency - Transition: 600MHz Noise Figure (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MMBT918LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 50mA 15V NPN |
auf Bestellung 71718 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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MMBT918LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Gain: 11dB Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V Frequency - Transition: 600MHz Noise Figure (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active |
auf Bestellung 33000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MMBT918LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT918LT1G - Bipolarer HF-Transistor, universell, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 600MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 11515 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT918LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT918LT1G - Bipolarer HF-Transistor, universell, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 600MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 11515 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT918LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT918LT1G - Bipolarer HF-Transistor, Universal, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 50mA usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 600MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT918LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 15V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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