MMBT918LT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Gain: 11dB
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 50mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V
Frequency - Transition: 600MHz
Noise Figure (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.10 EUR |
| 6000+ | 0.09 EUR |
| 9000+ | 0.08 EUR |
| 15000+ | 0.08 EUR |
| 21000+ | 0.07 EUR |
| 30000+ | 0.07 EUR |
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Technische Details MMBT918LT1G onsemi
Description: ONSEMI - MMBT918LT1G - Bipolarer HF-Transistor, universell, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 50mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 600MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MMBT918LT1G nach Preis ab 0.06 EUR bis 0.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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MMBT918LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 50mA; 225/300mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Frequency: 600MHz Mounting: SMD Current gain: 20 Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 50mA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2889 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBT918LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; RF; 15V; 50mA; 225/300mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Kind of transistor: RF Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Kind of package: reel; tape Frequency: 600MHz Mounting: SMD Current gain: 20 Collector-emitter voltage: 15V Collector current: 50mA |
auf Bestellung 2889 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT918LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 50mA 15V NPN |
auf Bestellung 15954 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT918LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 15V 600MHZ SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Gain: 11dB Power - Max: 225mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 3mA, 1V Frequency - Transition: 600MHz Noise Figure (dB Typ @ f): 6dB @ 60MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active |
auf Bestellung 32292 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBT918LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT918LT1G - Bipolarer HF-Transistor, universell, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 600MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 10995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT918LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBT918LT1G - Bipolarer HF-Transistor, universell, NPN, 15 V, 600 MHz, 225 mW, 50 mA, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 50mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 15V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 600MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 10995 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBT918LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 15V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT918LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 15V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT918LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 15V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT918LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 15V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBT918LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 15V 0.05A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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