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MMBTA14LT1

MMBTA14LT1 ON Semiconductor

mmbta13lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBTA14LT1 ON Semiconductor

Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3, Packaging: Cut Tape (CT), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Darlington, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V, Frequency - Transition: 125MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 225 mW.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBTA14LT1 Hersteller : ONSEMI ONSMS10407-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTA14LT1 - TRANSISTOR NPN DARL 30V 0.3A
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SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
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