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MMBTA05LT1G

MMBTA05LT1G ON Semiconductor

mmbta05lt1d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBTA05LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA05LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 4311
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MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Hersteller : onsemi mmbta05lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
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3000+0.056 EUR
6000+0.05 EUR
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MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE996BEFD3DD28078BF&compId=MMBTA05L_06L.pdf?ci_sign=2bae7ffe7ac3cc2b64ecbbd79ef74816a5ffaafb Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Anzahl Preis
455+0.16 EUR
650+0.11 EUR
958+0.075 EUR
1134+0.063 EUR
1645+0.043 EUR
1902+0.038 EUR
2084+0.034 EUR
3000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 455
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MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Hersteller : onsemi mmbta05lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 22311 Stücke:
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103+0.17 EUR
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500+0.078 EUR
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Mindestbestellmenge: 63
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MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Hersteller : onsemi MMBTA05LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 500mA 60V NPN
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10+0.29 EUR
17+0.17 EUR
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1000+0.069 EUR
3000+0.042 EUR
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MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Hersteller : ONSEMI 2353756.pdf Description: ONSEMI - MMBTA05LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 2180 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Hersteller : ONSEMI 2353756.pdf Description: ONSEMI - MMBTA05LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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MMBTA05LT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMBTA05-7-F MMBTA05-TP MMBTA05LT1G MMBTA05LT3G MMBTA05 TMMBTA05
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auf Bestellung 3000 Stücke:
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Anzahl Preis
500+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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