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MMBTA05LT1G

MMBTA05LT1G ON Semiconductor

mmbta05lt1d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4808+0.036 EUR
6000+0.035 EUR
24000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 4808 Stücke
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Technische Details MMBTA05LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA05LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 300mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBTxxxx, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf description Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
4808+0.036 EUR
24000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 4808 Stücke
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MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf description Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 19275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
15874+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 15874 Stücke
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MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G onsemi mmbta05lt1-d.pdf description Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.067 EUR
6000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G ONSEMI MMBTA05L_06L.pdf description Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
358+0.24 EUR
491+0.18 EUR
738+0.12 EUR
887+0.096 EUR
1309+0.065 EUR
1511+0.056 EUR
1634+0.052 EUR
3000+0.046 EUR
6000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 358 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G onsemi mmbta05lt1-d.pdf description Bipolar Transistors - BJT 500mA 60V NPN
auf Bestellung 76540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.36 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.086 EUR
3000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G onsemi mmbta05lt1-d.pdf description Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 58467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
59+0.36 EUR
98+0.21 EUR
158+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G ONSEMI 2353756.pdf description Description: ONSEMI - MMBTA05LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 23262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
603+0.42 EUR
1265+0.18 EUR
1637+0.13 EUR
2233+0.096 EUR
2532+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 603 Stücke
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MMBTA05LT1G MMBTA05LT1G ONSEMI 2353756.pdf description Description: ONSEMI - MMBTA05LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 23112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
585+0.43 EUR
1291+0.18 EUR
1670+0.13 EUR
2156+0.1 EUR
2422+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 585 Stücke
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MMBTA05LT1G ON-Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf description Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMBTA05-7-F MMBTA05-TP MMBTA05LT1G MMBTA05LT3G MMBTA05 TMMBTA05
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MMBTA05LT1G description mmbta05lt1d.pdf
MMBTA05LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4808+0.036 EUR
24000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 4808 Stücke
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MMBTA05LT1G description mmbta05lt1d.pdf
MMBTA05LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 19275 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
15874+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 15874 Stücke
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MMBTA05LT1G description mmbta05lt1-d.pdf
MMBTA05LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 57000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.067 EUR
6000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBTA05LT1G description MMBTA05L_06L.pdf
MMBTA05LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
358+0.24 EUR
491+0.18 EUR
738+0.12 EUR
887+0.096 EUR
1309+0.065 EUR
1511+0.056 EUR
1634+0.052 EUR
3000+0.046 EUR
6000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 358 Stücke
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MMBTA05LT1G description mmbta05lt1-d.pdf
MMBTA05LT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 60V NPN
auf Bestellung 76540 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.36 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.086 EUR
3000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA05LT1G description mmbta05lt1-d.pdf
MMBTA05LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 58467 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+0.36 EUR
98+0.21 EUR
158+0.13 EUR
500+0.096 EUR
1000+0.086 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA05LT1G description 2353756.pdf
MMBTA05LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA05LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 23262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
603+0.42 EUR
1265+0.18 EUR
1637+0.13 EUR
2233+0.096 EUR
2532+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 603 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA05LT1G description 2353756.pdf
MMBTA05LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA05LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 23112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
585+0.43 EUR
1291+0.18 EUR
1670+0.13 EUR
2156+0.1 EUR
2422+0.088 EUR
Mindestbestellmenge: 585 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: ON-Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 0.5A 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMBTA05-7-F MMBTA05-TP MMBTA05LT1G MMBTA05LT3G MMBTA05 TMMBTA05
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.071 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH