MMBTA06LT1G ON Semiconductor
auf Bestellung 111226 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 9434+ | 0.015 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MMBTA06LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MMBTA06LT1G nach Preis ab 0.013 EUR bis 0.21 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 8807000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 8805000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2166000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2166000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 177000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 495000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 111226 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 27237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 868 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
auf Bestellung 868 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBTA06LT1G Produktcode: 164531
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
Hersteller : ON |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPNGehäuse: SOT-23 fT: 100 MHz Uceo,V: 80 V Ucbo,V: 80 V Ic,A: 0,5 A ZCODE: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
|
||||||||||||||||||||||
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 27237 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 36000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1438 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN |
auf Bestellung 138649 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 603878 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 10405 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 192746 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1116779 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 27000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
Transistor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA06LT1G; MMBTA06-DIO; MMBTA06 DIOTEC; MMBTA06-7-F Diodes; MMBTA06LT3G; MMBTA06LT1G TMMBTA06lt1Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 1826 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
Transistor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA06LT1G; MMBTA06-DIO; MMBTA06 DIOTEC; MMBTA06-7-F Diodes; MMBTA06LT3G; MMBTA06LT1G TMMBTA06lt1Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G | Hersteller : On Semiconductor |
NPN, Uкэ=80V, Iк=0.5A, h21=100, 100МГц, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) |
auf Bestellung 2680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,225; Uceo, В = 80; Ic = 500 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 100 @ 100 мA, 1 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3 |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - TRANSISTOR, NPN, SOT-23tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 192746 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||||||
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |




