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MMBTA06LT1G

MMBTA06LT1G ON Semiconductor

mmbta05lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBTA06LT1G ON Semiconductor

Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V, Frequency - Transition: 100MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V, Power - Max: 225 mW.

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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Hersteller : onsemi mmbta05lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Hersteller : onsemi mmbta05lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Hersteller : onsemi MMBTA05LT1_D-2316070.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Hersteller : ONSEMI 1842125.pdf Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
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Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
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Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Hersteller : ONSEMI 1842125.pdf Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
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Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013776900-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
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Dauer-Kollektorstrom: 500mA
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Verlustleistung: 225mW
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MMBTA06LT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbta05lt1-d.pdf NPN 500mA 80V 300mW 100MHz MMBTA06LT1G MMBTA06 smd TMMBTA06lt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Anzahl Preis ohne MwSt
500+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 500
MMBTA06LT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbta05lt1-d.pdf NPN 500mA 80V 300mW 100MHz MMBTA06LT1G MMBTA06 smd TMMBTA06lt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1056 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
500+0.078 EUR
Mindestbestellmenge: 500
MMBTA06LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,225; Uceo, В = 80; Ic = 500 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 100 @ 100 мA, 1 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
46+0.13 EUR
100+ 0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 46
MMBTA06LT1G
Produktcode: 164531 		Hersteller : ON MMBTA05LT1_D-2316070.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,5 A
ZCODE: SMD
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Hersteller : ONSEMI mmbta05.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Anzahl je Verpackung: 25 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Hersteller : ONSEMI mmbta05.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.35W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.35W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Produkt ist nicht verfügbar