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MMBTA06LT1G

MMBTA06LT1G ON Semiconductor

mmbta05lt1d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBTA06LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Hersteller : onsemi mmbta05lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 142421 Stücke:
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3000+0.04 EUR
6000+0.04 EUR
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21000+0.03 EUR
30000+0.03 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
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auf Bestellung 116456 Stücke:
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3226+0.05 EUR
3760+0.04 EUR
5026+0.03 EUR
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9000+0.02 EUR
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Mindestbestellmenge: 3226
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C052121529EAF1A6F5005056AB5A8F&compId=mmbta05.pdf?ci_sign=b895910f566e550c18f0d2ef62c925a0321e5016 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
455+0.16 EUR
676+0.11 EUR
923+0.08 EUR
1060+0.07 EUR
1489+0.05 EUR
2326+0.03 EUR
2464+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 455
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C052121529EAF1A6F5005056AB5A8F&compId=mmbta05.pdf?ci_sign=b895910f566e550c18f0d2ef62c925a0321e5016 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
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1000+0.17 EUR
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3345+0.04 EUR
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24000+0.02 EUR
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Hersteller : ONSEMI 1842125.pdf Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 201094 Stücke:
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013776900-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 30000 Stücke:
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MMBTA06LT1G
Produktcode: 164531
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Hersteller : ON MMBTA05LT1_D-2316070.pdf Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,5 A
ZCODE: SMD
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Anzahl Preis
851+0.17 EUR
1431+0.10 EUR
2342+0.06 EUR
3226+0.04 EUR
3760+0.03 EUR
5026+0.02 EUR
6000+0.02 EUR
9000+0.01 EUR
24000+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 851
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 47807 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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777+0.19 EUR
783+0.18 EUR
789+0.17 EUR
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808+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 777
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Hersteller : onsemi mmbta05lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 142421 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
84+0.21 EUR
136+0.13 EUR
221+0.08 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 84
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Hersteller : onsemi mmbta05lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN
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Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
13+0.23 EUR
21+0.14 EUR
100+0.06 EUR
1000+0.06 EUR
3000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
24000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1116779 Stücke:
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MMBTA06LT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbta05lt1-d.pdf Transistor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA06LT1G; MMBTA06-DIO; MMBTA06 DIOTEC; MMBTA06-7-F Diodes; MMBTA06LT3G; MMBTA06LT1G TMMBTA06lt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1956 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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MMBTA06LT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbta05lt1-d.pdf Transistor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA06LT1G; MMBTA06-DIO; MMBTA06 DIOTEC; MMBTA06-7-F Diodes; MMBTA06LT3G; MMBTA06LT1G TMMBTA06lt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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MMBTA06LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,225; Uceo, В = 80; Ic = 500 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 100 @ 100 мA, 1 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3
auf Bestellung 46 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBTA06LT1G Hersteller : ONSEMI 1842125.pdf Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - TRANSISTOR, NPN, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 201094 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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