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MMBTA06LT1G ON Semiconductor

Name: MMBTA06LT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 17793691-5
Price: 141.51 EUR
Availability: InStock

Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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Technische Details MMBTA06LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote MMBTA06LT1G nach Preis ab 0.012 EUR bis 0.21 EUR

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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6667+	0.021 EUR
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21000+	0.014 EUR
30000+	0.013 EUR

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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3922+	0.037 EUR
6000+	0.031 EUR
9000+	0.025 EUR
27000+	0.021 EUR
51000+	0.018 EUR

Mindestbestellmenge: 3922

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MMBTA06LT1G

Hersteller : onsemi

Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW

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3000+	0.04 EUR
6000+	0.036 EUR
9000+	0.033 EUR
15000+	0.031 EUR
21000+	0.029 EUR
30000+	0.028 EUR
75000+	0.024 EUR
150000+	0.022 EUR
300000+	0.021 EUR

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

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3323+	0.043 EUR
6000+	0.037 EUR
9000+	0.03 EUR
24000+	0.027 EUR

Mindestbestellmenge: 3323

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

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3312+	0.044 EUR
6000+	0.037 EUR
9000+	0.03 EUR
24000+	0.027 EUR

Mindestbestellmenge: 3312

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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Anzahl	Preis
1299+	0.11 EUR
2189+	0.064 EUR
3598+	0.037 EUR
4927+	0.026 EUR
5781+	0.021 EUR
8334+	0.014 EUR
8929+	0.013 EUR
9434+	0.012 EUR

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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Anzahl	Preis
1208+	0.12 EUR
1223+	0.11 EUR
3000+	0.1 EUR
6000+	0.098 EUR
15000+	0.092 EUR

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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1153+	0.13 EUR
1166+	0.12 EUR
1180+	0.11 EUR
1208+	0.1 EUR
1223+	0.097 EUR
1238+	0.092 EUR
3000+	0.091 EUR
6000+	0.089 EUR

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ONSEMI

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C052121529EAF1A6F5005056AB5A8F&compId=mmbta05.pdf?ci_sign=b895910f566e550c18f0d2ef62c925a0321e5016

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
438+	0.16 EUR
500+	0.14 EUR
864+	0.083 EUR
2373+	0.03 EUR

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ONSEMI

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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Anzahl	Preis
748+	0.19 EUR
1258+	0.11 EUR
2071+	0.065 EUR
2841+	0.045 EUR
3323+	0.037 EUR
4808+	0.025 EUR
6000+	0.022 EUR
9000+	0.018 EUR
24000+	0.013 EUR

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1998 Stücke:

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Anzahl	Preis
729+	0.2 EUR
1226+	0.11 EUR

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MMBTA06LT1G

Hersteller : onsemi

Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN

auf Bestellung 112351 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
14+	0.21 EUR
23+	0.13 EUR
100+	0.079 EUR
500+	0.058 EUR
1000+	0.049 EUR
3000+	0.039 EUR
6000+	0.035 EUR

Mindestbestellmenge: 14

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MMBTA06LT1G

Hersteller : onsemi

Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW

auf Bestellung 383224 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
84+	0.21 EUR
139+	0.13 EUR
226+	0.078 EUR
500+	0.056 EUR
1000+	0.049 EUR

Mindestbestellmenge: 84

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 10405 Stücke:

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1116779 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 30000 Stücke:

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON-Semicoductor

Transistor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA06LT1G; MMBTA06-DIO; MMBTA06 DIOTEC; MMBTA06-7-F Diodes; MMBTA06LT3G; MMBTA06LT1G TMMBTA06lt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke

auf Bestellung 1826 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
500+	0.075 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON-Semicoductor

auf Bestellung 3000 Stücke:

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Anzahl	Preis
500+	0.075 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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MMBTA06LT1G

Hersteller : On Semiconductor

NPN, Uкэ=80V, Iк=0.5A, h21=100, 100МГц, 0.225Вт, SOT-23 (SMD)

auf Bestellung 2680 Stücke:

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,225; Uceo, В = 80; Ic = 500 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 100 @ 100 мA, 1 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3

auf Bestellung 46 Stücke:

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - TRANSISTOR, NPN, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 193546 Stücke:

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MMBTA06LT1G
Produktcode: 164531

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Hersteller : ON

Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,5 A
ZCODE: SMD

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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