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MMBTA06LT1G

MMBTA05LT1_D-2316070.pdf
Produktcode: 164531
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Hersteller:
Transitfrequenz fT: 100 МГц
Kollektor-Emitter-Spannung Uceo, V: 80 В
Kollektor-Basis-Spannung Ucbo, V: 80 В
Kollektorstrom Ic, A: 0,5 А
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 171126 Stücke:
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7519+0.024 EUR
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4398000 Stücke:
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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6000+0.037 EUR
9000+0.035 EUR
27000+0.033 EUR
51000+0.031 EUR
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G onsemi mmbta05lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 858000 Stücke:
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3000+0.048 EUR
6000+0.043 EUR
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2763+0.063 EUR
3206+0.052 EUR
6494+0.025 EUR
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 171126 Stücke:
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2977+0.057 EUR
4808+0.035 EUR
6667+0.024 EUR
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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1425+0.12 EUR
1498+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.098 EUR
15000+0.092 EUR
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 46700 Stücke:
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1000+0.18 EUR
1667+0.1 EUR
2696+0.061 EUR
3718+0.043 EUR
4330+0.035 EUR
8696+0.017 EUR
8850+0.015 EUR
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G ONSEMI mmbta05.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 30891 Stücke:
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455+0.19 EUR
610+0.14 EUR
705+0.12 EUR
1038+0.082 EUR
1229+0.069 EUR
1774+0.048 EUR
2058+0.042 EUR
2233+0.038 EUR
3000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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1234+0.14 EUR
1244+0.13 EUR
1299+0.12 EUR
1359+0.11 EUR
1425+0.1 EUR
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G ON Semiconductor mmbta05lt1d.pdf Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8590 Stücke:
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2000+0.082 EUR
2763+0.057 EUR
3206+0.048 EUR
6494+0.023 EUR
6536+0.021 EUR
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G onsemi mmbta05lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN
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13+0.27 EUR
21+0.17 EUR
100+0.099 EUR
500+0.071 EUR
1000+0.063 EUR
3000+0.046 EUR
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G onsemi mmbta05lt1-d.pdf Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 858244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+0.27 EUR
132+0.15 EUR
214+0.099 EUR
500+0.071 EUR
1000+0.062 EUR
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G ONSEMI 1842125.pdf Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 212251 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G ONSEMI 1842125.pdf Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 212251 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MMBTA06LT1G MMBTA06LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013776900-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBTA06LT1G On Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf NPN, Uкэ=80V, Iк=0.5A, h21=100, 100МГц, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
auf Bestellung 2680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA06LT1G ON-Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Transistor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA06LT1G; MMBTA06-DIO; MMBTA06 DIOTEC; MMBTA06-7-F Diodes; MMBTA06LT3G; MMBTA06LT1G TMMBTA06lt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA06LT1G ON-Semiconductor mmbta05lt1-d.pdf Transistor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA06LT1G; MMBTA06-DIO; MMBTA06 DIOTEC; MMBTA06-7-F Diodes; MMBTA06LT3G; MMBTA06LT1G TMMBTA06lt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1726 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA06LT1G ON Semiconductor MMBTA05LT1-D_ONS.PDF Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 80, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 16 Stücke:
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MMBTA06LT1G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 171126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7519+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 7519 Stücke
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MMBTA06LT1G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4398000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6135+0.029 EUR
6173+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 6135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA06LT1G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4398000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6135+0.029 EUR
Mindestbestellmenge: 6135 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA06LT1G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 120000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4630+0.038 EUR
6000+0.037 EUR
9000+0.035 EUR
27000+0.033 EUR
51000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 4630 Stücke
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MMBTA06LT1G mmbta05lt1-d.pdf
MMBTA06LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 858000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.048 EUR
6000+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA06LT1G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+0.088 EUR
2763+0.063 EUR
3206+0.052 EUR
6494+0.025 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA06LT1G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 171126 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1786+0.099 EUR
2977+0.057 EUR
4808+0.035 EUR
6667+0.024 EUR
7519+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 1786 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA06LT1G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1359+0.13 EUR
1425+0.12 EUR
1498+0.11 EUR
3000+0.1 EUR
6000+0.098 EUR
15000+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 1359 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA06LT1G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 46700 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.18 EUR
1667+0.1 EUR
2696+0.061 EUR
3718+0.043 EUR
4330+0.035 EUR
8696+0.017 EUR
8850+0.015 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA06LT1G mmbta05.pdf
MMBTA06LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
auf Bestellung 30891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
455+0.19 EUR
610+0.14 EUR
705+0.12 EUR
1038+0.082 EUR
1229+0.069 EUR
1774+0.048 EUR
2058+0.042 EUR
2233+0.038 EUR
3000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA06LT1G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21358 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
760+0.23 EUR
1234+0.14 EUR
1244+0.13 EUR
1299+0.12 EUR
1359+0.11 EUR
1425+0.1 EUR
1498+0.093 EUR
3000+0.088 EUR
6000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 760 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA06LT1G mmbta05lt1d.pdf
MMBTA06LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 8590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
743+0.24 EUR
1238+0.14 EUR
2000+0.082 EUR
2763+0.057 EUR
3206+0.048 EUR
6494+0.023 EUR
6536+0.021 EUR
Mindestbestellmenge: 743 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA06LT1G mmbta05lt1-d.pdf
MMBTA06LT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN
auf Bestellung 375701 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+0.27 EUR
21+0.17 EUR
100+0.099 EUR
500+0.071 EUR
1000+0.063 EUR
3000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA06LT1G mmbta05lt1-d.pdf
MMBTA06LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 858244 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+0.27 EUR
132+0.15 EUR
214+0.099 EUR
500+0.071 EUR
1000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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MMBTA06LT1G 1842125.pdf
MMBTA06LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 212251 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MMBTA06LT1G 1842125.pdf
MMBTA06LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 212251 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA06LT1G ONSM-S-A0013776900-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBTA06LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBTA06LT1G mmbta05lt1-d.pdf
Hersteller: On Semiconductor
NPN, Uкэ=80V, Iк=0.5A, h21=100, 100МГц, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори
auf Bestellung 2680 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
91+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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MMBTA06LT1G mmbta05lt1-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA06LT1G; MMBTA06-DIO; MMBTA06 DIOTEC; MMBTA06-7-F Diodes; MMBTA06LT3G; MMBTA06LT1G TMMBTA06lt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA06LT1G mmbta05lt1-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Transistor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA06LT1G; MMBTA06-DIO; MMBTA06 DIOTEC; MMBTA06-7-F Diodes; MMBTA06LT3G; MMBTA06LT1G TMMBTA06lt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 1726 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.093 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA06LT1G MMBTA05LT1-D_ONS.PDF
Hersteller: ON Semiconductor
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 80, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
verfügbar 16 Stücke:
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