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MMBTA06LT1G ON Semiconductor

Name: MMBTA06LT1G
Brand: ON Semiconductor
SKU: 30364806-5
Price: 162.00000000000003 EUR
Availability: InStock

Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 198000 Stücke:

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6000+	0.027 EUR
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Technische Details MMBTA06LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Weitere Produktangebote MMBTA06LT1G nach Preis ab 0.012 EUR bis 0.23 EUR

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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4785+	0.031 EUR
6000+	0.026 EUR
9000+	0.017 EUR
21000+	0.016 EUR
30000+	0.014 EUR

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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4785+	0.031 EUR
6000+	0.026 EUR
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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

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4785+	0.031 EUR

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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4274+	0.034 EUR
6000+	0.03 EUR
9000+	0.019 EUR
21000+	0.017 EUR
30000+	0.016 EUR
75000+	0.015 EUR
150000+	0.014 EUR

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MMBTA06LT1G

Hersteller : onsemi

Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW

auf Bestellung 45000 Stücke:

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Anzahl	Preis
3000+	0.041 EUR
6000+	0.037 EUR
9000+	0.034 EUR
15000+	0.031 EUR
21000+	0.03 EUR
30000+	0.028 EUR

Mindestbestellmenge: 3000

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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3226+	0.045 EUR
3760+	0.037 EUR
5026+	0.027 EUR
6000+	0.023 EUR
9000+	0.015 EUR
24000+	0.013 EUR

Mindestbestellmenge: 3226

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ONSEMI

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E1C052121529EAF1A6F5005056AB5A8F&compId=mmbta05.pdf?ci_sign=b895910f566e550c18f0d2ef62c925a0321e5016

Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Frequency: 100MHz
Collector-emitter voltage: 80V
Current gain: 100
Collector current: 0.5A
Type of transistor: NPN
Power dissipation: 0.225W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

auf Bestellung 10598 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
455+	0.16 EUR
676+	0.11 EUR
923+	0.078 EUR
1060+	0.067 EUR
1489+	0.048 EUR
2326+	0.031 EUR
2464+	0.029 EUR

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ONSEMI

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Anzahl	Preis
455+	0.16 EUR
676+	0.11 EUR
923+	0.078 EUR
1060+	0.067 EUR
1489+	0.048 EUR
2326+	0.031 EUR
2464+	0.029 EUR

Mindestbestellmenge: 455

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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Anzahl	Preis
802+	0.18 EUR
808+	0.17 EUR
3000+	0.16 EUR
6000+	0.15 EUR
15000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 802

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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Anzahl	Preis
758+	0.19 EUR
1274+	0.11 EUR
2084+	0.065 EUR
2882+	0.045 EUR
3345+	0.037 EUR
4274+	0.028 EUR
6000+	0.024 EUR
9000+	0.016 EUR
24000+	0.015 EUR

Mindestbestellmenge: 758

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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Anzahl	Preis
738+	0.2 EUR

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 201094 Stücke:

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ONSEMI

ONSM-S-A0013776900-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)

auf Bestellung 30000 Stücke:

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MMBTA06LT1G
Produktcode: 164531

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Hersteller : ON

Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,5 A
ZCODE: SMD

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 116456 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
851+	0.17 EUR
1431+	0.099 EUR
2342+	0.058 EUR
3226+	0.04 EUR
3760+	0.033 EUR
5026+	0.024 EUR
6000+	0.02 EUR
9000+	0.014 EUR
24000+	0.012 EUR

Mindestbestellmenge: 851

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 47807 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
777+	0.19 EUR
783+	0.18 EUR
789+	0.17 EUR
795+	0.16 EUR
808+	0.15 EUR
1000+	0.14 EUR

Mindestbestellmenge: 777

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MMBTA06LT1G

Hersteller : onsemi

Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW

auf Bestellung 47095 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
84+	0.21 EUR
136+	0.13 EUR
222+	0.08 EUR
500+	0.057 EUR
1000+	0.05 EUR

Mindestbestellmenge: 84

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MMBTA06LT1G

Hersteller : onsemi

Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN

auf Bestellung 149620 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
13+	0.23 EUR
21+	0.14 EUR
100+	0.06 EUR
1000+	0.055 EUR
3000+	0.039 EUR
9000+	0.032 EUR
24000+	0.03 EUR

Mindestbestellmenge: 13

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

auf Bestellung 1116779 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON-Semicoductor

Transistor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA06LT1G; MMBTA06-DIO; MMBTA06 DIOTEC; MMBTA06-7-F Diodes; MMBTA06LT3G; MMBTA06LT1G TMMBTA06lt1
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke

auf Bestellung 1956 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
500+	0.074 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON-Semicoductor

auf Bestellung 3000 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
500+	0.074 EUR

Mindestbestellmenge: 500

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,225; Uceo, В = 80; Ic = 500 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 100 @ 100 мA, 1 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3

auf Bestellung 46 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ONSEMI

Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - TRANSISTOR, NPN, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)

auf Bestellung 201094 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

Produkt ist nicht verfügbar

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MMBTA06LT1G

Hersteller : ON Semiconductor

Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R

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