MMBTA06LT1G ON
Produktcode: 164531
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 80 V
Ucbo,V: 80 V
Ic,A: 0,5 A
ZCODE: SMD
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Weitere Produktangebote MMBTA06LT1G nach Preis ab 0.014 EUR bis 0.23 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 4131000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 4131000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 123000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBTA06LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 902500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3126 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 8590 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBTA06LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz |
auf Bestellung 37491 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2348 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 3126 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 21608 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 21608 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBTA06LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN |
auf Bestellung 306741 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 902645 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBTA06LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 213227 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 213923 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA06LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G | Hersteller : On Semiconductor |
NPN, Uкэ=80V, Iк=0.5A, h21=100, 100МГц, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Транзистори |
auf Bestellung 2680 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G | Hersteller : ON-Semiconductor |
Transistor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA06LT1G; MMBTA06-DIO; MMBTA06 DIOTEC; MMBTA06-7-F Diodes; MMBTA06LT3G; MMBTA06LT1G TMMBTA06lt1 Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G | Hersteller : ON-Semiconductor |
Transistor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA06LT1G; MMBTA06-DIO; MMBTA06 DIOTEC; MMBTA06-7-F Diodes; MMBTA06LT3G; MMBTA06LT1G TMMBTA06lt1 Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 1726 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||||
| MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Транзистор NPN, Ptot, Вт = 0,225, Uceo, В = 80, Ic = 500 мА, Тип монт. = smd, ft, МГц = 100, hFE = 100 @ 100 мA, 1 В, Icutoff-max = 100 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА, Тексп, °С = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke |
verfügbar 16 Stücke: |