MMBTA06LT1G ON Semiconductor
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Technische Details MMBTA06LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MMBTA06LT1G nach Preis ab 0.012 EUR bis 0.22 EUR
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MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBTA06LT1G Produktcode: 164531
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Hersteller : ON |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: SOT-23 fT: 100 MHz Uceo,V: 80 V Ucbo,V: 80 V Ic,A: 0,5 A ZCODE: SMD |
Produkt ist nicht verfügbar
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MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 10227000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 183000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2628000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 112826 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 2628 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA06LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V NPN |
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MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBTA06LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 197087 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBTA06LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBTA06LT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
Transistor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA06LT1G; MMBTA06-DIO; MMBTA06 DIOTEC; MMBTA06-7-F Diodes; MMBTA06LT3G; MMBTA06LT1G TMMBTA06lt1 Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
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| MMBTA06LT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
Transistor NPN; 100; 300mW; 80V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Replacement: MMBTA06LT1G; MMBTA06-DIO; MMBTA06 DIOTEC; MMBTA06-7-F Diodes; MMBTA06LT3G; MMBTA06LT1G TMMBTA06lt1 Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 1906 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Транзистор NPN; Ptot, Вт = 0,225; Uceo, В = 80; Ic = 500 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 100; hFE = 100 @ 100 мA, 1 В; Icutoff-max = 100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 10 мA, 100 мА; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3 |
auf Bestellung 46 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBTA06LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA06LT1G - TRANSISTOR, NPN, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 197087 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA06LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW |
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MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBTA06LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS NPN 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW |
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MMBTA06LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 100 Collector current: 0.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.225W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MMBTA06LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBTA06LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Frequency: 100MHz Collector-emitter voltage: 80V Current gain: 100 Collector current: 0.5A Type of transistor: NPN Power dissipation: 0.225W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape |
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