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MMBTA14LT1G

MMBTA14LT1G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBTA14LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA14LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, Verlustleistung Pd: 225mW, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Dauerkollektorstrom: 300mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, DC-Kollektorstrom: 300mA, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
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auf Bestellung 78000 Stücke:
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2733+0.063 EUR
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2718+0.057 EUR
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2733+0.052 EUR
3000+0.05 EUR
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MMBTA14LT1G MMBTA14LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013299593-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTA14LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 300mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 26144 Stücke:
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685+0.37 EUR
1178+0.2 EUR
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MMBTA14LT1G MMBTA14LT1G ONSEMI ONSM-S-A0013299593-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTA14LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 225mW
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 300mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 26144 Stücke:
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685+0.37 EUR
1178+0.2 EUR
1710+0.13 EUR
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MMBTA14LT1G MMBTA14LT1G onsemi mmbta13lt1-d.pdf Darlington Transistors 300mA 30V NPN
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MMBTA14LT1G MMBTA14LT1G onsemi mmbta13lt1-d.pdf Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 3568 Stücke:
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56+0.38 EUR
88+0.24 EUR
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Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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MMBTA14LT1G MMBTA14LT1G ON Semiconductor mmbta13lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA14LT1G ON-Semiconductor mmbta13lt1-d.pdf Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R NTE2404 MMBTA14LT1G ON Semiconductor TMMBTA14l
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.063 EUR
6000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20997 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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AnzahlPrivatkunde
993+0.18 EUR
1695+0.099 EUR
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2718+0.057 EUR
2725+0.055 EUR
2733+0.052 EUR
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 993 Stücke
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MMBTA14LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA14LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung Pd: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 300mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 26144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
685+0.37 EUR
1178+0.2 EUR
1710+0.13 EUR
2381+0.09 EUR
2632+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
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MMBTA14LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA14LT1G - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 30 V, 225 mW, 300 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung Pd: 225mW
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 300mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
DC-Kollektorstrom: 300mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 26144 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
685+0.37 EUR
1178+0.2 EUR
1710+0.13 EUR
2381+0.09 EUR
2632+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 685 Stücke
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MMBTA14LT1G
Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 300mA 30V NPN
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AnzahlPrivatkunde
9+0.38 EUR
16+0.23 EUR
100+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.094 EUR
3000+0.067 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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MMBTA14LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 300 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 3568 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
56+0.38 EUR
88+0.24 EUR
143+0.14 EUR
500+0.11 EUR
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MMBTA14LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Mindestbestellmenge: 345 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA14LT1G mmbta13lt1-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Trans Darlington NPN 30V 0.3A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R NTE2404 MMBTA14LT1G ON Semiconductor TMMBTA14l
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 820 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
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500+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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