MMBTA42LT1 ON Semiconductor
Hersteller: ON SemiconductorТранзистор NPN; Ptot, Вт = 0,225; Uceo, В = 300; Ic = 500 мА; Тип монт. = smd; ft, МГц = 50; hFE = 40 @ 30 мA, 10 В; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 2 мA, 20 мA; Тексп, °С = -55...+150; SOT-23-3
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Technische Details MMBTA42LT1 ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V, Frequency - Transition: 50MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Power - Max: 225 mW.
Möglichen Substitutionen MMBTA42LT1 ON Semiconductor
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MMBTA42LT1 (JSCJ) Produktcode: 189267 |
Hersteller : JSCJ |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: SOT-23 fT: 50 MHz Uceo,V: 300 V Ucbo,V: 300 V Ic,A: 0,5 A ZCODE: SMD |
auf Bestellung 1814 Stück: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt |
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MMBTA42LT1 (Bipolartransistor NPN) Produktcode: 18086 |
Hersteller : ON |
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN Gehäuse: SOT-23 fT: 50 MHz Uceo,V: 300 Ucbo,V: 300 Ic,A: 0,05 h21: 40 ZCODE: SMD |
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MMBTA42LT1 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 300V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MMBTA42LT1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRANS NPN 300V 0.5A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 2mA, 20mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 30mA, 10V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 225 mW |
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MMBTA42LT1 | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 200V NPN |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MMBTA 42 LT1 | Hersteller : Infineon Technologies |
Bipolar Transistors - BJT AF GP BJT NPN 300V 0.5A |
Produkt ist nicht verfügbar |