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MMBTA55LT1G

MMBTA55LT1G ON Semiconductor

mmbta55lt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 210000 Stücke:
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Technische Details MMBTA55LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 16575 Stücke
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MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
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3746+0.046 EUR
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MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3279+0.054 EUR
4386+0.039 EUR
5051+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3279 Stücke
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MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.062 EUR
6000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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auf Bestellung 6000 Stücke:
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3000+0.062 EUR
6000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.063 EUR
6000+0.056 EUR
9000+0.052 EUR
15000+0.049 EUR
21000+0.046 EUR
30000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
3000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1208+0.14 EUR
2033+0.083 EUR
2156+0.076 EUR
3247+0.049 EUR
3279+0.046 EUR
4386+0.033 EUR
5051+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 1208 Stücke
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MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 54835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
67+0.31 EUR
108+0.19 EUR
176+0.12 EUR
500+0.087 EUR
1000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
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MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G onsemi mmbta55lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 60V PNP
auf Bestellung 9262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+0.35 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.094 EUR
1000+0.082 EUR
3000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G ONSEMI 2353823.pdf Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G ONSEMI 2353823.pdf Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MMBTA55LT1G MMBTA55LT1G ONSEMI 2353823.pdf Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBTA55LT1G ON-Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMBTA55-7-F MMBTA55LT1G MMBTA55 TMMBTA55
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MMBTA55LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16575+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 16575 Stücke
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MMBTA55LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 21000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3746+0.046 EUR
9000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3746 Stücke
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MMBTA55LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3279+0.054 EUR
4386+0.039 EUR
5051+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 3279 Stücke
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MMBTA55LT1G
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auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.062 EUR
6000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBTA55LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
3000+0.062 EUR
6000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBTA55LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.063 EUR
6000+0.056 EUR
9000+0.052 EUR
15000+0.049 EUR
21000+0.046 EUR
30000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBTA55LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.079 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA55LT1G mmbta55lt1-d.pdf
MMBTA55LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 6113 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1208+0.14 EUR
2033+0.083 EUR
2156+0.076 EUR
3247+0.049 EUR
3279+0.046 EUR
4386+0.033 EUR
5051+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 1208 Stücke
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MMBTA55LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 54835 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
67+0.31 EUR
108+0.19 EUR
176+0.12 EUR
500+0.087 EUR
1000+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 67 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMBTA55LT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 60V PNP
auf Bestellung 9262 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.35 EUR
16+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.094 EUR
1000+0.082 EUR
3000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMBTA55LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA55LT1G 2353823.pdf
MMBTA55LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2055 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA55LT1G 2353823.pdf
MMBTA55LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 12000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA55LT1G mmbta55lt1-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMBTA55-7-F MMBTA55LT1G MMBTA55 TMMBTA55
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
500+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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