MMBTA55LT1G ONSEMI
Hersteller: ONSEMICategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225/0.3W
Case: SOT23
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2220 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 1544+ | 0.046 EUR |
| 1713+ | 0.042 EUR |
| 2058+ | 0.035 EUR |
| 2174+ | 0.033 EUR |
| 12000+ | 0.032 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MMBTA55LT1G ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote MMBTA55LT1G nach Preis ab 0.024 EUR bis 1.49 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMBTA55LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 60V; 0.5A; 0.225/0.3W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225/0.3W Case: SOT23 Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz |
auf Bestellung 2220 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBTA55LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 105000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBTA55LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 9000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA55LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 24128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA55LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 24128 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA55LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 60V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 11034 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBTA55LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 60V PNP |
auf Bestellung 11836 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
|
||||||||||||||||||||
 |
MMBTA55LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA55LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBTxxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 4720 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA55LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 60 V, 500 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 21000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||||||
| MMBTA55LT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMBTA55-7-F MMBTA55LT1G MMBTA55 TMMBTA55 Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||||
| MMBTA55LT1G | Hersteller : ONS |
Транз. Бипол. ММ PNP SOT23 Uceo=60V; Ic=0,5A; f=100MHz; Pdmax=0,225W; hfemin=100@100mA,1V |
auf Bestellung 2697 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
|||||||||||||||||||||
| MMBTA55LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA55LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
auf Bestellung 300422 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||||||||||||||||||
|
|
MMBTA55LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||||||||||
 |
MMBTA55LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 60V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |