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MMBTA56LT1G

MMBTA56LT1G ON Semiconductor

mmbta55lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBTA56LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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9000+0.023 EUR
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102000+0.019 EUR
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 212500 Stücke:
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3000+0.047 EUR
6000+0.042 EUR
9000+0.039 EUR
15000+0.036 EUR
21000+0.035 EUR
30000+0.033 EUR
75000+0.029 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
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6000+0.045 EUR
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15000+0.036 EUR
21000+0.033 EUR
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Mindestbestellmenge: 3000
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6000+0.045 EUR
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15000+0.036 EUR
21000+0.033 EUR
30000+0.03 EUR
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auf Bestellung 55610 Stücke:
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9037+0.06 EUR
10136+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 9037
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9037+0.06 EUR
10136+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 9037
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auf Bestellung 29732 Stücke:
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1863+0.078 EUR
2526+0.055 EUR
2924+0.046 EUR
5051+0.026 EUR
6000+0.023 EUR
15000+0.021 EUR
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE591CCB53338608469&compId=MMBTA55_56.pdf?ci_sign=1d16c5d6636324bb0e2f83eeb74a50843fe87e52 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1455 Stücke:
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Anzahl Preis
625+0.11 EUR
863+0.083 EUR
1382+0.052 EUR
1455+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 625
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE591CCB53338608469&compId=MMBTA55_56.pdf?ci_sign=1d16c5d6636324bb0e2f83eeb74a50843fe87e52 Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
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Mindestbestellmenge: 625
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Produktcode: 177590
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auf Bestellung 29732 Stücke:
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703+0.21 EUR
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1863+0.067 EUR
2526+0.047 EUR
2924+0.039 EUR
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6000+0.021 EUR
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1050+0.13 EUR
1774+0.076 EUR
2440+0.053 EUR
2841+0.044 EUR
4330+0.027 EUR
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : onsemi MMBTA55LT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP
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12+0.24 EUR
20+0.15 EUR
100+0.088 EUR
500+0.063 EUR
1000+0.056 EUR
3000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 212809 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+0.25 EUR
120+0.15 EUR
195+0.091 EUR
500+0.066 EUR
1000+0.058 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 69121 Stücke:
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 69121 Stücke:
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013298818-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56LT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbta55lt1-d.pdf PNP 500mA 80V 225mW 50MHz MMBTA56 TMMBTA56lt1
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
400+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 400
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