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MMBTA56LT1G


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Produktcode: 177590
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 387000 Stücke:
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4066+0.036 EUR
9000+0.033 EUR
27000+0.03 EUR
51000+0.028 EUR
102000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 4066
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 210000 Stücke:
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3345+0.043 EUR
6000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 3345
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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auf Bestellung 25815 Stücke:
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2748+0.053 EUR
2841+0.049 EUR
2950+0.045 EUR
3059+0.042 EUR
6000+0.039 EUR
15000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 2748
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
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Anzahl Preis
9037+0.06 EUR
10136+0.052 EUR
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 55610 Stücke:
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9037+0.06 EUR
10136+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 9037
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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1009+0.14 EUR
1664+0.084 EUR
1681+0.08 EUR
2733+0.047 EUR
2748+0.045 EUR
2841+0.042 EUR
2950+0.038 EUR
3059+0.037 EUR
6000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 1009
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
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625+0.23 EUR
1041+0.13 EUR
1722+0.078 EUR
2387+0.054 EUR
2899+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 625
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 52694 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : ONSEMI mmbta55lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 50hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBTxxxx
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 189520 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.047 EUR
6000+0.041 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 190842 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
72+0.25 EUR
114+0.15 EUR
187+0.095 EUR
500+0.069 EUR
1000+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 72
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : onsemi mmbta55lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP
auf Bestellung 80346 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
11+0.26 EUR
18+0.16 EUR
100+0.097 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.062 EUR
3000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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MMBTA56LT1G Hersteller : ON-Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf PNP 500mA 80V 225mW 50MHz MMBTA56 TMMBTA56lt1
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
400+0.084 EUR
Mindestbestellmenge: 400
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MMBTA56LT1G Hersteller : On Semiconductor MMBTA55LT1-D.pdf PNP, Uкэ=80V, Iк=0.5A, h21=100, 50МГц, 0.225Вт, SOT-23 (SMD) Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : ONSEMI MMBTA55_56.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
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