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MMBTA56LT1G

MMBTA56LT1G ON Semiconductor

mmbta55lt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBTA56LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
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Mindestbestellmenge: 3000
MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : ONSEMI MMBTA55_56.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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455+0.16 EUR
589+ 0.12 EUR
711+ 0.1 EUR
1254+ 0.057 EUR
1273+ 0.056 EUR
1425+ 0.05 EUR
1962+ 0.036 EUR
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : ONSEMI MMBTA55_56.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : onsemi mmbta55lt1-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : onsemi MMBTA55LT1_D-2316071.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbta55lt1-d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : ONSEMI 1571910.pdf Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : ONSEMI 1571910.pdf Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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MMBTA56LT1G MMBTA56LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013298818-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTA56LT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 500mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 12000 Stücke:
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MMBTA56LT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbta55lt1-d.pdf PNP 500mA 80V 225mW 50MHz MMBTA56 TMMBTA56lt1
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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400+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 400
MMBTA56LT1G
Produktcode: 177590 		mmbta55lt1-d.pdf IC > IC andere
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