Technische Details MMBTA56LT3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBTA56LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 225mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote MMBTA56LT3G nach Preis ab 0.021 EUR bis 0.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||||
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MMBTA56LT3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 4710000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA56LT3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA56LT3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 100000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA56LT3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 50000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA56LT3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA56LT3G | ONSEMI |
Category: PNP SMD transistorsDescription: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 100 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 50MHz |
auf Bestellung 7532 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA56LT3G | onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 9866 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBTA56LT3G | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP |
auf Bestellung 431 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBTA56LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA56LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 34724 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||
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MMBTA56LT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA56LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 34724 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MMBTA56LT3G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 4710000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10000+ | 0.025 EUR |
| MMBTA56LT3G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 5883+ | 0.03 EUR |
| MMBTA56LT3G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 100000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 10000+ | 0.069 EUR |
| 30000+ | 0.068 EUR |
| 50000+ | 0.065 EUR |
| 100000+ | 0.063 EUR |
| MMBTA56LT3G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 991+ | 0.18 EUR |
| 1651+ | 0.1 EUR |
| 2653+ | 0.062 EUR |
| 3691+ | 0.043 EUR |
| 4879+ | 0.031 EUR |
| 4927+ | 0.03 EUR |
| 5556+ | 0.025 EUR |
| 10000+ | 0.021 EUR |
| MMBTA56LT3G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1011+ | 0.18 EUR |
| 1684+ | 0.1 EUR |
| 2711+ | 0.061 EUR |
| 3760+ | 0.042 EUR |
| 4976+ | 0.03 EUR |
| 5026+ | 0.029 EUR |
| 5682+ | 0.024 EUR |
| MMBTA56LT3G |
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Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 7532 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 385+ | 0.23 EUR |
| 556+ | 0.15 EUR |
| 799+ | 0.11 EUR |
| 939+ | 0.09 EUR |
| 1359+ | 0.063 EUR |
| 1593+ | 0.054 EUR |
| 2500+ | 0.044 EUR |
| 5000+ | 0.037 EUR |
| MMBTA56LT3G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 9866 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 63+ | 0.33 EUR |
| 103+ | 0.2 EUR |
| 166+ | 0.13 EUR |
| 500+ | 0.092 EUR |
| 1000+ | 0.081 EUR |
| 2000+ | 0.071 EUR |
| 5000+ | 0.061 EUR |
| MMBTA56LT3G |
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Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP
auf Bestellung 431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 9+ | 0.38 EUR |
| 16+ | 0.21 EUR |
| 100+ | 0.13 EUR |
| 500+ | 0.11 EUR |
| 1000+ | 0.092 EUR |
| 2500+ | 0.082 EUR |
| MMBTA56LT3G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA56LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBTA56LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 34724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MMBTA56LT3G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA56LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - MMBTA56LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 34724 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)






