MMBTA56LT3G ON Semiconductor
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Technische Details MMBTA56LT3G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBTA56LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 500mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote MMBTA56LT3G nach Preis ab 0.019 EUR bis 0.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MMBTA56LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBTA56LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBTA56LT3G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW |
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MMBTA56LT3G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Anzahl je Verpackung: 5 Stücke |
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MMBTA56LT3G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 80V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape |
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MMBTA56LT3G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 50MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 225 mW |
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MMBTA56LT3G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP |
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MMBTA56LT3G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA56LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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MMBTA56LT3G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA56LT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 500mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 50MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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MMBTA56LT3G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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