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MMBTA56WT1G

MMBTA56WT1G ON Semiconductor

mmbta56wt1d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
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Technische Details MMBTA56WT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA56WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 150mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-323, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 50MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Weitere Produktangebote MMBTA56WT1G nach Preis ab 0.037 EUR bis 0.42 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBTA56WT1G MMBTA56WT1G ON Semiconductor mmbta56wt1d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
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MMBTA56WT1G MMBTA56WT1G ON Semiconductor mmbta56wt1d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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3049+0.057 EUR
6000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3049 Stücke
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auf Bestellung 18000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3049 Stücke
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MMBTA56WT1G MMBTA56WT1G onsemi mmbta56wt1-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.063 EUR
6000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBTA56WT1G MMBTA56WT1G ON Semiconductor mmbta56wt1d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 405780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1553+0.11 EUR
2170+0.08 EUR
2476+0.069 EUR
3216+0.051 EUR
6000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1553 Stücke
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MMBTA56WT1G MMBTA56WT1G ONSEMI mmbta56wt1-d.pdf Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
385+0.23 EUR
481+0.18 EUR
545+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
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MMBTA56WT1G MMBTA56WT1G ON Semiconductor mmbta56wt1d.pdf Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 405780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
578+0.31 EUR
1157+0.14 EUR
1553+0.1 EUR
2170+0.073 EUR
2476+0.061 EUR
3216+0.045 EUR
6000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 578 Stücke
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MMBTA56WT1G MMBTA56WT1G onsemi mmbta56wt1-d.pdf Description: TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 11800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
63+0.33 EUR
102+0.2 EUR
165+0.13 EUR
500+0.093 EUR
1000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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MMBTA56WT1G MMBTA56WT1G onsemi mmbta56wt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
9+0.42 EUR
14+0.24 EUR
100+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.094 EUR
3000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
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MMBTA56WT1G MMBTA56WT1G ONSEMI ONSM-S-A0013579384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTA56WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MMBTA56WT1G MMBTA56WT1G ONSEMI ONSM-S-A0013579384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMBTA56WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 813 Stücke:
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 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MMBTA56WT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
24000+0.056 EUR
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MMBTA56WT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3049+0.057 EUR
6000+0.048 EUR
Mindestbestellmenge: 3049 Stücke
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MMBTA56WT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 3049 Stücke
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MMBTA56WT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 9000 Stücke:
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MMBTA56WT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 405780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1553+0.11 EUR
2170+0.08 EUR
2476+0.069 EUR
3216+0.051 EUR
6000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 1553 Stücke
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MMBTA56WT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; 80V; 0.5A; 0.15W; SC70,SOT323
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 80V
Collector current: 0.5A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC70; SOT323
Current gain: 100
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 50MHz
auf Bestellung 545 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
385+0.23 EUR
481+0.18 EUR
545+0.15 EUR
Mindestbestellmenge: 385 Stücke
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MMBTA56WT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans GP BJT PNP 80V 0.5A 150mW 3-Pin SC-70 T/R
auf Bestellung 405780 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
578+0.31 EUR
1157+0.14 EUR
1553+0.1 EUR
2170+0.073 EUR
2476+0.061 EUR
3216+0.045 EUR
6000+0.037 EUR
Mindestbestellmenge: 578 Stücke
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MMBTA56WT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP 80V 0.5A SC70-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V
Frequency - Transition: 50MHz
Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 150 mW
auf Bestellung 11800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
63+0.33 EUR
102+0.2 EUR
165+0.13 EUR
500+0.093 EUR
1000+0.081 EUR
Mindestbestellmenge: 63 Stücke
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MMBTA56WT1G
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 500mA 80V PNP
auf Bestellung 478 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
9+0.42 EUR
14+0.24 EUR
100+0.14 EUR
500+0.11 EUR
1000+0.094 EUR
3000+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 9 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBTA56WT1G ONSM-S-A0013579384-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMBTA56WT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA56WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMBTA56WT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA56WT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 80 V, 500 mA, 150 mW, SOT-323, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 80V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 50MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 813 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH