MMBTA63LT1G ON Semiconductor
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| 4567+ | 0.03 EUR |
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Technische Details MMBTA63LT1G ON Semiconductor
Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Darlington, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 100mA, 5V, Frequency - Transition: 125MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V, Power - Max: 225 mW.
Weitere Produktangebote MMBTA63LT1G nach Preis ab 0.02 EUR bis 0.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||
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MMBTA63LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBTA63LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBTA63LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBTA63LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 225 mW |
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MMBTA63LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBTA63LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.225W Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of transistor: Darlington Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MMBTA63LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: PNP SMD Darlington transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; Darlington; 30V; 0.5A; 0.225W Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.5A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of transistor: Darlington |
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MMBTA63LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBTA63LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBTA63LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBTA63LT1G | Hersteller : onsemi |
Darlington Transistors 500mA 30V PNP |
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MMBTA63LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 5000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 225 mW |
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MMBTA63LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA63LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBTA63LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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