MMBTA64LT1G ON Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3135+ | 0.056 EUR |
| 4167+ | 0.042 EUR |
| 4951+ | 0.035 EUR |
| 5051+ | 0.033 EUR |
| 6000+ | 0.032 EUR |
| 15000+ | 0.031 EUR |
| 30000+ | 0.03 EUR |
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Technische Details MMBTA64LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBTA64LT1G - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 225mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 500mA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote MMBTA64LT1G nach Preis ab 0.027 EUR bis 0.32 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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MMBTA64LT1G | onsemi |
 Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 48000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBTA64LT1G | ON Semiconductor |
Trans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 32525 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTA64LT1G | onsemi |
Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 225 mW |
auf Bestellung 50252 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBTA64LT1G | onsemi |
Darlington Transistors 500mA 30V PNP |
auf Bestellung 15229 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBTA64LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA64LT1G - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 225mW euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 500mA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 7954 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
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MMBTA64LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTA64LT1G - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s) tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 225mW euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - HF-Transistor: SOT-23 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 500mA Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 7954 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MMBTA64LT1G |
|
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3000+ | 0.061 EUR |
| 6000+ | 0.054 EUR |
| MMBTA64LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 32525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1301+ | 0.13 EUR |
| 1866+ | 0.09 EUR |
| 2054+ | 0.08 EUR |
| 3068+ | 0.051 EUR |
| 3135+ | 0.048 EUR |
| 4167+ | 0.035 EUR |
| 4951+ | 0.027 EUR |
| MMBTA64LT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 50252 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 67+ | 0.31 EUR |
| 106+ | 0.2 EUR |
| 171+ | 0.12 EUR |
| 500+ | 0.089 EUR |
| 1000+ | 0.079 EUR |
| MMBTA64LT1G |
|
Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 500mA 30V PNP
Darlington Transistors 500mA 30V PNP
auf Bestellung 15229 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 11+ | 0.32 EUR |
| 17+ | 0.2 EUR |
| 100+ | 0.12 EUR |
| 500+ | 0.09 EUR |
| 1000+ | 0.08 EUR |
| 3000+ | 0.061 EUR |
| MMBTA64LT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA64LT1G - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MMBTA64LT1G - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MMBTA64LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA64LT1G - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MMBTA64LT1G - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7954 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)