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MMBTA64LT1G

MMBTA64LT1G ON Semiconductor

mmbta63lt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 32525 Stücke:
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Anzahl Preis
3135+0.046 EUR
4167+0.034 EUR
4951+0.028 EUR
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Technische Details MMBTA64LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMBTA64LT1G - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s), tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: N, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 225mW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - HF-Transistor: SOT-23, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Dauerkollektorstrom: 500mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 500mA, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote MMBTA64LT1G nach Preis ab 0.022 EUR bis 0.27 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBTA64LT1G MMBTA64LT1G onsemi mmbta63lt1-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 48000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.051 EUR
6000+0.045 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMBTA64LT1G MMBTA64LT1G ON Semiconductor mmbta63lt1-d.pdf Trans Darlington PNP 30V 0.5A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 32525 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1301+0.11 EUR
1866+0.075 EUR
2054+0.065 EUR
3068+0.042 EUR
3135+0.04 EUR
4167+0.028 EUR
4951+0.023 EUR
5051+0.022 EUR
Mindestbestellmenge: 1301
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MMBTA64LT1G MMBTA64LT1G onsemi mmbta63lt1-d.pdf Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
auf Bestellung 50252 Stücke:
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67+0.26 EUR
106+0.17 EUR
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MMBTA64LT1G MMBTA64LT1G onsemi mmbta63lt1-d.pdf Darlington Transistors 500mA 30V PNP
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3000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 11
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MMBTA64LT1G MMBTA64LT1G ONSEMI mmbta63lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBTA64LT1G - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 7954 Stücke:
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MMBTA64LT1G MMBTA64LT1G ONSEMI mmbta63lt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBTA64LT1G - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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MMBTA64LT1G mmbta63lt1-d.pdf
MMBTA64LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
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1301+0.11 EUR
1866+0.075 EUR
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3135+0.04 EUR
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Mindestbestellmenge: 1301
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MMBTA64LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
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DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 125MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 225 mW
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Hersteller: onsemi
Darlington Transistors 500mA 30V PNP
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17+0.17 EUR
100+0.1 EUR
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA64LT1G - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
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usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTA64LT1G - Darlington-Transistor, PNP, 30 V, 225 mW, 500 mA, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 10000hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 20000hFE
Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung Pd: 225mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - HF-Transistor: SOT-23
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Dauerkollektorstrom: 500mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 500mA
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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