MMBTH10-4LT1G ON Semiconductor
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1000+ | 0.14 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MMBTH10-4LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 999A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 800MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote MMBTH10-4LT1G nach Preis ab 0.046 EUR bis 0.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
MMBTH10-4LT1G | onsemi |
 Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN |
auf Bestellung 240431 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
MMBTH10-4LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 999A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 800MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
MMBTH10-4LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 999A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 800MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
MMBTH10-4LT1G | ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1097 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
| MMBTH10-4LT1G | ON Semiconductor |
|
auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MMBTH10-4LT1G |
|
Hersteller: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN
Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN
auf Bestellung 240431 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 19+ | 0.15 EUR |
| 37+ | 0.077 EUR |
| 100+ | 0.063 EUR |
| 500+ | 0.062 EUR |
| 1000+ | 0.06 EUR |
| 3000+ | 0.049 EUR |
| 24000+ | 0.046 EUR |
| MMBTH10-4LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 999A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 800MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 999A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 800MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MMBTH10-4LT1G |
|
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 999A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 800MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 999A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 800MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MMBTH10-4LT1G |
|
Hersteller: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1097 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MMBTH10-4LT1G |
|
Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH