| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 19+ | 0.18 EUR |
| 37+ | 0.092 EUR |
| 100+ | 0.075 EUR |
| 500+ | 0.074 EUR |
| 1000+ | 0.071 EUR |
| 3000+ | 0.058 EUR |
| 24000+ | 0.055 EUR |
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Technische Details MMBTH10-4LT1G onsemi
Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 999A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 800MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote MMBTH10-4LT1G nach Preis ab 0.18 EUR bis 0.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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MMBTH10-4LT1G | ON Semiconductor |
 Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1097 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTH10-4LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 999A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 800MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 5 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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MMBTH10-4LT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 999A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 800MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 75 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 75 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
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MMBTH10-4LT1G | ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 1097 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 211 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||
| MMBTH10-4LT1G | ON Semiconductor |
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auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| MMBTH10-4LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1097 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1000+ | 0.18 EUR |
| MMBTH10-4LT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 999A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 800MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 999A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 800MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MMBTH10-4LT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 999A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 800MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 999A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 800MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MMBTH10-4LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1097 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| MMBTH10-4LT1G |
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Hersteller: ON Semiconductor
auf Bestellung 750 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)