MMBTH10-4LT1G ON Semiconductor
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Technische Details MMBTH10-4LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 999A, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 800MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).
Weitere Produktangebote MMBTH10-4LT1G nach Preis ab 0.03 EUR bis 0.46 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||||||
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MMBTH10-4LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBTH10-4LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 800MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active |
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MMBTH10-4LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 18303 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTH10-4LT1G | Hersteller : onsemi |
Bipolar Transistors - BJT 25V VHF Mixer NPN |
auf Bestellung 270252 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBTH10-4LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: RF TRANS NPN 25V 800MHZ SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 225mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 4mA, 10V Frequency - Transition: 800MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active |
auf Bestellung 19652 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBTH10-4LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 999A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 800MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 8200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBTH10-4LT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBTH10-4LT1G - Bipolarer HF-Transistor, NPN, 25 V, 800 MHz, 225 mW, 999 A, SOT-23 tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Dauer-Kollektorstrom: 999A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 225mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 25V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 800MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
auf Bestellung 8200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBTH10-4LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 750 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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MMBTH10-4LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
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MMBTH10-4LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |