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MMBTH10LT3G

MMBTH10LT3G ON Semiconductor

mmbth10lt1d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBTH10LT3G ON Semiconductor

Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 225mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V, Frequency - Transition: 650MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBTH10LT3G MMBTH10LT3G onsemi mmbth10lt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT SS VHF XSTR NPN 25V
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