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MMBTH10LT3G

MMBTH10LT3G onsemi

mmbth10lt1-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
auf Bestellung 30000 Stücke:
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Anzahl Preis
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Technische Details MMBTH10LT3G onsemi

Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Power - Max: 225mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V, Frequency - Transition: 650MHz, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active.

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MMBTH10LT3G MMBTH10LT3G Hersteller : onsemi MMBTH10LT1_D-1811631.pdf Bipolar Transistors - BJT SS VHF XSTR NPN 25V
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MMBTH10LT3G MMBTH10LT3G Hersteller : onsemi mmbth10lt1-d.pdf Description: RF TRANS NPN 25V 650MHZ SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 4mA, 10V
Frequency - Transition: 650MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
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MMBTH10LT3G MMBTH10LT3G Hersteller : ON Semiconductor mmbth10lt1-d.pdf Trans RF BJT NPN 25V 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
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