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MMBZ12VALT1G

MMBZ12VALT1G ON Semiconductor

mmbz5v6alt1-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBZ12VALT1G ON Semiconductor

Description: DIODE ZENER 12V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.35A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Unidirectional Channels: 2, Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 11.4V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V, Power - Peak Pulse: 40W, Power Line Protection: No, Part Status: Active, Tolerance: ±5%, Configuration: 1 Pair Common Anode, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V, Power - Max: 300 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 8.5 V.

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MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Hersteller : onsemi mmbz5v6alt1-d.pdf Description: DIODE ZENER 12V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.35A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Tolerance: ±5%
Configuration: 1 Pair Common Anode
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 8.5 V
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MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Hersteller : onsemi mmbz5v6alt1-d.pdf Description: DIODE ZENER 12V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.35A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Tolerance: ±5%
Configuration: 1 Pair Common Anode
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 8.5 V
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113+0.16 EUR
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Mindestbestellmenge: 77
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MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AEDED6F98B88AA14&compId=MMBZ_ser.PDF?ci_sign=1f35ddf42140d92ef46c86e862bfcafdd39158da Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 12V; 2.35A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5%
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 12V
Max. forward impulse current: 2.35A
Peak pulse power dissipation: 40W
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 8.5V
Kind of package: reel; tape
Tolerance: ±5%
Version: ESD
Leakage current: 0.2µA
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 1640 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
295+0.24 EUR
455+0.16 EUR
831+0.086 EUR
1021+0.07 EUR
1640+0.043 EUR
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MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AEDED6F98B88AA14&compId=MMBZ_ser.PDF?ci_sign=1f35ddf42140d92ef46c86e862bfcafdd39158da Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 12V; 2.35A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5%
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 12V
Max. forward impulse current: 2.35A
Peak pulse power dissipation: 40W
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 8.5V
Kind of package: reel; tape
Tolerance: ±5%
Version: ESD
Leakage current: 0.2µA
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Anzahl Preis
295+0.24 EUR
455+0.16 EUR
831+0.086 EUR
1021+0.07 EUR
1640+0.043 EUR
Mindestbestellmenge: 295
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MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Hersteller : onsemi mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes 12V Dual Zener Common Anode
auf Bestellung 16408 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
9+0.33 EUR
14+0.21 EUR
100+0.13 EUR
500+0.095 EUR
1000+0.076 EUR
3000+0.055 EUR
6000+0.051 EUR
Mindestbestellmenge: 9
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MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Hersteller : ONSEMI 2236796.pdf Description: ONSEMI - MMBZ12VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 11.4V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 12.6V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 8.5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 17V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 12Vbr 17Vc 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBZ12VALT1G Hersteller : ON-Semicoductor mmbz5v6alt1-d.pdf 12V; 40W; 12V; 40W; MMBZ12VALT1G SOT-23 DTMMBZ12VALT1G
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
600+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 600
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MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Hersteller : ONSEMI 2236796.pdf Description: ONSEMI - MMBZ12VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 11.4V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 12.6V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 8.5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 17V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
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