MMBZ12VALT1G onsemi
Hersteller: onsemiDescription: TVS DIODE 8.5VWM 17VC SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.35A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
auf Bestellung 30000 Stücke:
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| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 3000+ | 0.074 EUR |
| 6000+ | 0.064 EUR |
| 15000+ | 0.055 EUR |
| 30000+ | 0.051 EUR |
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Technische Details MMBZ12VALT1G onsemi
Description: ONSEMI - MMBZ12VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 Pin(s), tariffCode: 85363010, Bauform - Diode: SOT-23, rohsCompliant: YES, Diodenmontage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Durchbruchspannung, min.: 11.4V, Qualifikation: AEC-Q101, Durchbruchspannung, max.: 12.6V, usEccn: EAR99, Sperrspannung: 8.5V, euEccn: NLR, Spitzenimpulsverlustleistung: 40W, TVS-Polarität: Unidirektional, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: MMBZ, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Klemmspannung, max.: 17V.
Weitere Produktangebote MMBZ12VALT1G nach Preis ab 0.058 EUR bis 0.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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MMBZ12VALT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TVS DIODE 8.5VWM 17VC SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.35A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Unidirectional Channels: 2 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 11.4V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V Power - Peak Pulse: 40W Power Line Protection: No Part Status: Active |
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MMBZ12VALT1G | Hersteller : onsemi |
ESD Suppressors / TVS Diodes 12V Dual Zener Common Anode |
auf Bestellung 56457 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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MMBZ12VALT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBZ12VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 Pin(s) tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 11.4V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 12.6V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 8.5V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 17V |
auf Bestellung 2545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBZ12VALT1G | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBZ12VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 Pin(s) tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 11.4V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 12.6V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 8.5V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 17V |
auf Bestellung 2545 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBZ12VALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 12Vbr 17Vc 3-Pin SOT-23 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMBZ12VALT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
12V; 40W; 12V; 40W; MMBZ12VALT1G SOT-23 DTMMBZ12VALT1G Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBZ12VALT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: Transil diodes - arrays Description: Diode: TVS array; 12V; 2.35A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5% Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Features of semiconductor devices: ESD protection Peak pulse power dissipation: 40W Case: SOT23 Tolerance: ±5% Max. off-state voltage: 8.5V Semiconductor structure: common anode; double Max. forward impulse current: 2.35A Breakdown voltage: 12V Leakage current: 0.2µA Anzahl je Verpackung: 10 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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MMBZ12VALT1G | Hersteller : ONSEMI |
Category: Transil diodes - arrays Description: Diode: TVS array; 12V; 2.35A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5% Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Type of diode: TVS array Features of semiconductor devices: ESD protection Peak pulse power dissipation: 40W Case: SOT23 Tolerance: ±5% Max. off-state voltage: 8.5V Semiconductor structure: common anode; double Max. forward impulse current: 2.35A Breakdown voltage: 12V Leakage current: 0.2µA |
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