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MMBZ12VALT1G

MMBZ12VALT1G ON Semiconductor

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Hersteller: ON Semiconductor
ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBZ12VALT1G ON Semiconductor

Description: DIODE ZENER ARRAY 12V SOT-23-3, Tolerance: ±5%, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Configuration: 1 Pair Common Anode, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.35A, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Unidirectional Channels: 2, Bidirectional Channels: 1, Voltage - Breakdown (Min): 11.4V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V, Power - Peak Pulse: 40W, Power Line Protection: No, Part Status: Active, Power - Max: 300 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 8.5 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G onsemi mmbz5v6alt1-d.pdf Description: DIODE ZENER ARRAY 12V SOT-23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Configuration: 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.35A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 8.5 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
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3000+0.094 EUR
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MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
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10000+0.1 EUR
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MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3349 Stücke:
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MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3349 Stücke:
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MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G onsemi mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes 12V Dual Zener Common Anode
auf Bestellung 6480 Stücke:
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16+0.2 EUR
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MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G onsemi mmbz5v6alt1-d.pdf Description: DIODE ZENER ARRAY 12V SOT-23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Configuration: 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.35A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 8.5 V
auf Bestellung 32850 Stücke:
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46+0.46 EUR
75+0.29 EUR
104+0.2 EUR
120+0.18 EUR
500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G ONSEMI 2236796.pdf Description: ONSEMI - MMBZ12VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 11.4V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 12.6V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 8.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 17V
auf Bestellung 18369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
463+0.54 EUR
672+0.35 EUR
1320+0.17 EUR
1621+0.13 EUR
1985+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 463 Stücke
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MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G ONSEMI 2236796.pdf Description: ONSEMI - MMBZ12VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 11.4V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 12.6V
isCanonical: N
Sperrspannung: 8.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 17V
auf Bestellung 21519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.55 EUR
663+0.35 EUR
1359+0.15 EUR
1606+0.13 EUR
2332+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G ONSEMI MMBZ_ser.PDF Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 12V; 2.35A; 40W; double,common anode; ESD; SOT23
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 40W
Version: ESD
Max. off-state voltage: 8.5V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common anode; double
Leakage current: 0.2µA
Case: SOT23
Type of diode: TVS array
Number of channels: 2
Tolerance: ±5%
Breakdown voltage: 12V
Max. forward impulse current: 2.35A
auf Bestellung 2733 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBZ12VALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3125+0.057 EUR
9000+0.055 EUR
Mindestbestellmenge: 3125 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMBZ12VALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBZ12VALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.083 EUR
6000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBZ12VALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.083 EUR
6000+0.065 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBZ12VALT1G
Hersteller: onsemi
Description: DIODE ZENER ARRAY 12V SOT-23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Configuration: 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.35A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 8.5 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.094 EUR
6000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBZ12VALT1G mmbz5v6alt1-d.pdf
MMBZ12VALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 51000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.1 EUR
9000+0.093 EUR
27000+0.082 EUR
51000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBZ12VALT1G mmbz5v6alt1-d.pdf
MMBZ12VALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10494 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5770+0.12 EUR
10000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 5770 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMBZ12VALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1257+0.15 EUR
2174+0.082 EUR
Mindestbestellmenge: 1257 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMBZ12VALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
982+0.18 EUR
1141+0.15 EUR
1575+0.11 EUR
3000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 982 Stücke
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MMBZ12VALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3349 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
974+0.19 EUR
1130+0.15 EUR
1563+0.11 EUR
3000+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 974 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMBZ12VALT1G
Hersteller: onsemi
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 12V Dual Zener Common Anode
auf Bestellung 6480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+0.45 EUR
16+0.2 EUR
100+0.15 EUR
500+0.12 EUR
1000+0.096 EUR
3000+0.083 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMBZ12VALT1G
Hersteller: onsemi
Description: DIODE ZENER ARRAY 12V SOT-23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Configuration: 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.35A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 8.5 V
auf Bestellung 32850 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
46+0.46 EUR
75+0.29 EUR
104+0.2 EUR
120+0.18 EUR
500+0.13 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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MMBZ12VALT1G 2236796.pdf
MMBZ12VALT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ12VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 11.4V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 12.6V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 8.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 17V
auf Bestellung 18369 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
463+0.54 EUR
672+0.35 EUR
1320+0.17 EUR
1621+0.13 EUR
1985+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 463 Stücke
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MMBZ12VALT1G 2236796.pdf
MMBZ12VALT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ12VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 11.4V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 12.6V
isCanonical: N
Sperrspannung: 8.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 17V
auf Bestellung 21519 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.55 EUR
663+0.35 EUR
1359+0.15 EUR
1606+0.13 EUR
2332+0.092 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MMBZ12VALT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 12V; 2.35A; 40W; double,common anode; ESD; SOT23
Mounting: SMD
Peak pulse power dissipation: 40W
Version: ESD
Max. off-state voltage: 8.5V
Kind of package: reel; tape
Semiconductor structure: common anode; double
Leakage current: 0.2µA
Case: SOT23
Type of diode: TVS array
Number of channels: 2
Tolerance: ±5%
Breakdown voltage: 12V
Max. forward impulse current: 2.35A
auf Bestellung 2733 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH