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MMBZ12VALT1G

MMBZ12VALT1G ON Semiconductor

mmbz5v6alt1-d.pdf
Hersteller: ON Semiconductor
ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMBZ12VALT1G ON Semiconductor

Description: DIODE ZENER 12V SOT23-3, Power Line Protection: No, Power - Peak Pulse: 40W, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V, Voltage - Breakdown (Min): 11.4V, Bidirectional Channels: 1, Unidirectional Channels: 2, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.35A, Applications: General Purpose, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Type: Zener, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 8.5 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Power - Max: 300 mW, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V, Configuration: 1 Pair Common Anode, Tolerance: ±5%.

Weitere Produktangebote MMBZ12VALT1G nach Preis ab 0.04 EUR bis 0.63 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
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MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
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9000+0.054 EUR
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MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
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3000+0.069 EUR
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MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G onsemi mmbz5v6alt1-d.pdf Description: DIODE ZENER 12V SOT23-3
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 40W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Bidirectional Channels: 1
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.35A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 8.5 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 300 mW
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Configuration: 1 Pair Common Anode
Tolerance: ±5%
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.084 EUR
6000+0.048 EUR
9000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3949 Stücke:
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1257+0.15 EUR
2174+0.08 EUR
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MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G onsemi mmbz5v6alt1-d.pdf Description: DIODE ZENER 12V SOT23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Configuration: 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.35A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 8.5 V
auf Bestellung 20987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+0.27 EUR
113+0.19 EUR
227+0.093 EUR
500+0.089 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G onsemi mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes 12V Dual Zener Common Anode
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+0.45 EUR
11+0.31 EUR
100+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.088 EUR
3000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G ONSEMI 2236796.pdf Description: ONSEMI - MMBZ12VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 11.4V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 12.6V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 8.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 17V
auf Bestellung 22485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
519+0.49 EUR
676+0.35 EUR
1478+0.14 EUR
1728+0.12 EUR
2376+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 519 Stücke
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MMBZ12VALT1G MMBZ12VALT1G ONSEMI 2236796.pdf Description: ONSEMI - MMBZ12VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 11.4V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 12.6V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 8.5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 17V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.63 EUR
592+0.39 EUR
1491+0.14 EUR
2337+0.092 EUR
3068+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MMBZ12VALT1G ON-Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf 12V; 40W; 12V; 40W; MMBZ12VALT1G SOT23 ON SEMICONDUCTOR Zener diode DTMMBZ12VALT1G
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
500+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MMBZ12VALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 45000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13275+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
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MMBZ12VALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 727494 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13275+0.05 EUR
100000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 13275 Stücke
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MMBZ12VALT1G mmbz5v6alt1-d.pdf
MMBZ12VALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3125+0.056 EUR
9000+0.054 EUR
Mindestbestellmenge: 3125 Stücke
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MMBZ12VALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBZ12VALT1G
Hersteller: onsemi
Description: DIODE ZENER 12V SOT23-3
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 40W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Bidirectional Channels: 1
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.35A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 8.5 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 300 mW
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Configuration: 1 Pair Common Anode
Tolerance: ±5%
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.084 EUR
6000+0.048 EUR
9000+0.044 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMBZ12VALT1G
Hersteller: ON Semiconductor
ESD Suppressor Zener Uni-Dir/Bi-Dir 8.5V 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 3949 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1257+0.15 EUR
2174+0.08 EUR
Mindestbestellmenge: 1257 Stücke
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MMBZ12VALT1G
Hersteller: onsemi
Description: DIODE ZENER 12V SOT23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Configuration: 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.35A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 8.5 V
auf Bestellung 20987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+0.27 EUR
113+0.19 EUR
227+0.093 EUR
500+0.089 EUR
1000+0.087 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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MMBZ12VALT1G
Hersteller: onsemi
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 12V Dual Zener Common Anode
auf Bestellung 375 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
8+0.45 EUR
11+0.31 EUR
100+0.17 EUR
500+0.13 EUR
1000+0.088 EUR
3000+0.077 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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MMBZ12VALT1G 2236796.pdf
MMBZ12VALT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ12VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 11.4V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 12.6V
isCanonical: Y
Sperrspannung: 8.5V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 17V
auf Bestellung 22485 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
519+0.49 EUR
676+0.35 EUR
1478+0.14 EUR
1728+0.12 EUR
2376+0.09 EUR
Mindestbestellmenge: 519 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBZ12VALT1G 2236796.pdf
MMBZ12VALT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ12VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 11.4V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 12.6V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 8.5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 17V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 7020 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.63 EUR
592+0.39 EUR
1491+0.14 EUR
2337+0.092 EUR
3068+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMBZ12VALT1G mmbz5v6alt1-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
12V; 40W; 12V; 40W; MMBZ12VALT1G SOT23 ON SEMICONDUCTOR Zener diode DTMMBZ12VALT1G
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH