MMBZ12VALT1G onsemi
Hersteller: onsemi
Description: DIODE ZENER 12V SOT23-3
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 40W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Bidirectional Channels: 1
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.35A
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 8.5 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 300 mW
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Configuration: 1 Pair Common Anode
Tolerance: ±5%
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 0.071 EUR |
| 6000+ | 0.04 EUR |
| 9000+ | 0.037 EUR |
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Technische Details MMBZ12VALT1G onsemi
Description: DIODE ZENER 12V SOT23-3, Power Line Protection: No, Power - Peak Pulse: 40W, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V, Voltage - Breakdown (Min): 11.4V, Bidirectional Channels: 1, Unidirectional Channels: 2, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.35A, Applications: General Purpose, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Type: Zener, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Part Status: Active, Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 8.5 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Power - Max: 300 mW, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V, Configuration: 1 Pair Common Anode, Tolerance: ±5%.
Weitere Produktangebote MMBZ12VALT1G nach Preis ab 0.058 EUR bis 0.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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MMBZ12VALT1G | onsemi |
Description: DIODE ZENER 12V SOT23-3Tolerance: ±5% Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Configuration: 1 Pair Common Anode Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.35A Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Unidirectional Channels: 2 Bidirectional Channels: 1 Voltage - Breakdown (Min): 11.4V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V Power - Peak Pulse: 40W Power Line Protection: No Part Status: Active Power - Max: 300 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 8.5 V |
auf Bestellung 20987 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBZ12VALT1G | onsemi |
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 12V Dual Zener Common Anode |
auf Bestellung 1360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBZ12VALT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MMBZ12VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 Pin(s)tariffCode: 85363010 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 11.4V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 12.6V isCanonical: Y usEccn: EAR99 Sperrspannung: 8.5V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 17V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 9249 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||
| MMBZ12VALT1G | ON-Semiconductor |
12V; 40W; 12V; 40W; MMBZ12VALT1G SOT-23 DTMMBZ12VALT1GAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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| MMBZ12VALT1G |
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Hersteller: onsemi
Description: DIODE ZENER 12V SOT23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Configuration: 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.35A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 8.5 V
Description: DIODE ZENER 12V SOT23-3
Tolerance: ±5%
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Configuration: 1 Pair Common Anode
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 2.35A
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 8.5V
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 12 V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Bidirectional Channels: 1
Voltage - Breakdown (Min): 11.4V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 17V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 nA @ 8.5 V
auf Bestellung 20987 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 77+ | 0.23 EUR |
| 113+ | 0.16 EUR |
| 227+ | 0.078 EUR |
| 500+ | 0.075 EUR |
| 1000+ | 0.073 EUR |
| MMBZ12VALT1G |
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Hersteller: onsemi
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 12V Dual Zener Common Anode
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 12V Dual Zener Common Anode
auf Bestellung 1360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 0.38 EUR |
| 11+ | 0.26 EUR |
| 100+ | 0.13 EUR |
| 500+ | 0.11 EUR |
| 1000+ | 0.074 EUR |
| 3000+ | 0.065 EUR |
| MMBZ12VALT1G |
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Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ12VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 11.4V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 12.6V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 8.5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 17V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MMBZ12VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 8.5 V, 17 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85363010
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 11.4V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 12.6V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 8.5V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 17V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9249 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| MMBZ12VALT1G |
![]() |
Hersteller: ON-Semiconductor
12V; 40W; 12V; 40W; MMBZ12VALT1G SOT-23 DTMMBZ12VALT1G
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
12V; 40W; 12V; 40W; MMBZ12VALT1G SOT-23 DTMMBZ12VALT1G
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 500+ | 0.058 EUR |


