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MMBZ33VALT1G

mmbz5v6alt1-d.pdf
Produktcode: 200057
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Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMBZ33VALT1G MMBZ33VALT1G onsemi mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes 33V 225mW Dual Common Anode
auf Bestellung 122185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
16+0.21 EUR
23+0.14 EUR
100+0.071 EUR
1000+0.069 EUR
3000+0.042 EUR
6000+0.039 EUR
9000+0.038 EUR
Mindestbestellmenge: 16 Stücke
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MMBZ33VALT1G MMBZ33VALT1G onsemi mmbz5v6alt1-d.pdf Description: DIODE ZENER ARRAY 33V SOT-23-3
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 40W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Voltage - Breakdown (Min): 31.35V
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 870mA
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 26 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 300 mW
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Configuration: 1 Pair Common Anode
Tolerance: ±5%
auf Bestellung 1859 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
100+0.21 EUR
139+0.15 EUR
290+0.073 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.069 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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MMBZ33VALT1G MMBZ33VALT1G ONSEMI MMBZ_ser.PDF Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 33V; 0.87A; 40W; double,common anode; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 0.87A
Peak pulse power dissipation: 40W
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 26V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Tolerance: ±5%
Version: ESD
Leakage current: 50nA
auf Bestellung 145 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
145+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 145 Stücke
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MMBZ33VALT1G MMBZ33VALT1G ONSEMI mmbz5v6alt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBZ33VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 26 V, 46 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 31.35V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 34.65V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 26V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 46V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9917 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MMBZ33VALT1G mmbz5v6alt1-d.pdf
MMBZ33VALT1G
Hersteller: onsemi
ESD Protection Diodes / TVS Diodes 33V 225mW Dual Common Anode
auf Bestellung 122185 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
16+0.21 EUR
23+0.14 EUR
100+0.071 EUR
1000+0.069 EUR
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MMBZ33VALT1G
Hersteller: onsemi
Description: DIODE ZENER ARRAY 33V SOT-23-3
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 40W
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Voltage - Breakdown (Min): 31.35V
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 870mA
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 26 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Power - Max: 300 mW
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Configuration: 1 Pair Common Anode
Tolerance: ±5%
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MMBZ33VALT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 33V; 0.87A; 40W; double,common anode; SOT23; Ch: 2
Type of diode: TVS array
Breakdown voltage: 33V
Max. forward impulse current: 0.87A
Peak pulse power dissipation: 40W
Semiconductor structure: common anode; double
Mounting: SMD
Case: SOT23
Max. off-state voltage: 26V
Number of channels: 2
Kind of package: reel; tape
Tolerance: ±5%
Version: ESD
Leakage current: 50nA
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MMBZ33VALT1G mmbz5v6alt1-d.pdf
MMBZ33VALT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMBZ33VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 26 V, 46 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 31.35V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 34.65V
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 26V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 46V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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