
MMBZ33VALT1G onsemi

Description: DIODE ZENER 33V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 870mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 31.35V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Tolerance: ±5%
Configuration: 1 Pair Common Anode
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 26 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl | Preis |
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3000+ | 0.04 EUR |
6000+ | 0.04 EUR |
9000+ | 0.04 EUR |
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Technische Details MMBZ33VALT1G onsemi
Description: DIODE ZENER 33V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 870mA, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Unidirectional Channels: 2, Voltage - Breakdown (Min): 31.35V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V, Power - Peak Pulse: 40W, Power Line Protection: No, Tolerance: ±5%, Configuration: 1 Pair Common Anode, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V, Power - Max: 300 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 26 V.
Weitere Produktangebote MMBZ33VALT1G nach Preis ab 0.03 EUR bis 0.29 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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MMBZ33VALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 30000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBZ33VALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1596 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBZ33VALT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Diode: TVS array; 33V; 0.87A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5% Type of diode: TVS array Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Mounting: SMD Tolerance: ±5% Semiconductor structure: common anode; double Version: ESD Peak pulse power dissipation: 40W Max. off-state voltage: 26V Max. forward impulse current: 0.87A Breakdown voltage: 33V Leakage current: 50nA Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 3300 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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MMBZ33VALT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Diode: TVS array; 33V; 0.87A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5% Type of diode: TVS array Kind of package: reel; tape Case: SOT23 Mounting: SMD Tolerance: ±5% Semiconductor structure: common anode; double Version: ESD Peak pulse power dissipation: 40W Max. off-state voltage: 26V Max. forward impulse current: 0.87A Breakdown voltage: 33V Leakage current: 50nA |
auf Bestellung 3300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBZ33VALT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Type: Zener Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Applications: General Purpose Current - Peak Pulse (10/1000µs): 870mA Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Unidirectional Channels: 2 Voltage - Breakdown (Min): 31.35V Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V Power - Peak Pulse: 40W Power Line Protection: No Tolerance: ±5% Configuration: 1 Pair Common Anode Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V Power - Max: 300 mW Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 26 V |
auf Bestellung 15596 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBZ33VALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 1596 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBZ33VALT1G | Hersteller : onsemi |
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auf Bestellung 191438 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMBZ33VALT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 31.35V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 34.65V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 26V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: MMBZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 46V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 27699 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBZ33VALT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOT-23 rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Durchbruchspannung, min.: 31.35V Qualifikation: AEC-Q101 Durchbruchspannung, max.: 34.65V usEccn: EAR99 Sperrspannung: 26V euEccn: NLR Spitzenimpulsverlustleistung: 40W TVS-Polarität: Unidirektional Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MMBZ productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Klemmspannung, max.: 46V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 30025 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBZ33VALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 87000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMBZ33VALT1G Produktcode: 200057
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MMBZ33VALT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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