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MMBZ33VALT1G

MMBZ33VALT1G onsemi

mmbz5v6alt1-d.pdf Hersteller: onsemi
Description: DIODE ZENER 33V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 870mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 31.35V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Tolerance: ±5%
Configuration: 1 Pair Common Anode
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 26 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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6000+0.037 EUR
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Technische Details MMBZ33VALT1G onsemi

Description: DIODE ZENER 33V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Type: Zener, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Applications: General Purpose, Current - Peak Pulse (10/1000µs): 870mA, Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Unidirectional Channels: 2, Voltage - Breakdown (Min): 31.35V, Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V, Power - Peak Pulse: 40W, Power Line Protection: No, Tolerance: ±5%, Configuration: 1 Pair Common Anode, Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V, Power - Max: 300 mW, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA, Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 26 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMBZ33VALT1G MMBZ33VALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 26V 33Vbr 46Vc 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 30000 Stücke:
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3461+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3461
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MMBZ33VALT1G MMBZ33VALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 26V 33Vbr 46Vc 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1596 Stücke:
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1401+0.1 EUR
1561+0.089 EUR
Mindestbestellmenge: 1401
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MMBZ33VALT1G MMBZ33VALT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AEDED6F98B88AA14&compId=MMBZ_ser.PDF?ci_sign=1f35ddf42140d92ef46c86e862bfcafdd39158da Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 33V; 0.87A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5%
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: common anode; double
Max. off-state voltage: 26V
Max. forward impulse current: 0.87A
Breakdown voltage: 33V
Leakage current: 50nA
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 40W
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 3300 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
556+0.13 EUR
650+0.11 EUR
817+0.088 EUR
1005+0.071 EUR
1238+0.058 EUR
2093+0.034 EUR
2213+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 556
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MMBZ33VALT1G MMBZ33VALT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7AEDED6F98B88AA14&compId=MMBZ_ser.PDF?ci_sign=1f35ddf42140d92ef46c86e862bfcafdd39158da Category: Protection diodes - arrays
Description: Diode: TVS array; 33V; 0.87A; 40W; double,common anode; SOT23; ±5%
Type of diode: TVS array
Mounting: SMD
Tolerance: ±5%
Kind of package: reel; tape
Case: SOT23
Semiconductor structure: common anode; double
Max. off-state voltage: 26V
Max. forward impulse current: 0.87A
Breakdown voltage: 33V
Leakage current: 50nA
Version: ESD
Peak pulse power dissipation: 40W
auf Bestellung 3300 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
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650+0.11 EUR
817+0.088 EUR
1005+0.071 EUR
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MMBZ33VALT1G MMBZ33VALT1G Hersteller : onsemi mmbz5v6alt1-d.pdf Description: DIODE ZENER 33V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Applications: General Purpose
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 870mA
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 26V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 31.35V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 46V
Power - Peak Pulse: 40W
Power Line Protection: No
Tolerance: ±5%
Configuration: 1 Pair Common Anode
Voltage - Zener (Nom) (Vz): 33 V
Power - Max: 300 mW
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 10 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 nA @ 26 V
auf Bestellung 15596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
91+0.19 EUR
127+0.14 EUR
262+0.067 EUR
500+0.066 EUR
1000+0.064 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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MMBZ33VALT1G MMBZ33VALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 26V 33Vbr 46Vc 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 1596 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
601+0.24 EUR
663+0.21 EUR
756+0.18 EUR
1387+0.093 EUR
1401+0.088 EUR
1561+0.076 EUR
Mindestbestellmenge: 601
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MMBZ33VALT1G MMBZ33VALT1G Hersteller : onsemi MMBZ5V6ALT1_D-2315988.pdf ESD Protection Diodes / TVS Diodes 33V 225mW Dual Common Anode
auf Bestellung 191438 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
10+0.29 EUR
16+0.18 EUR
100+0.083 EUR
1000+0.072 EUR
3000+0.042 EUR
9000+0.04 EUR
24000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 10
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MMBZ33VALT1G MMBZ33VALT1G Hersteller : ONSEMI mmbz5v6alt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBZ33VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 26 V, 46 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 31.35V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 34.65V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 26V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 46V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 27699 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBZ33VALT1G MMBZ33VALT1G Hersteller : ONSEMI mmbz5v6alt1-d.pdf Description: ONSEMI - MMBZ33VALT1G - TVS-Diode, MMBZ, Unidirektional, 26 V, 46 V, SOT-23, 3 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 31.35V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 34.65V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 26V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 40W
TVS-Polarität: Unidirektional
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MMBZ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 46V
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 30025 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBZ33VALT1G MMBZ33VALT1G Hersteller : ON Semiconductor mmbz5v6alt1-d.pdf ESD Suppressor Diode Zener Uni-Dir/Bi-Dir 26V 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 87000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMBZ33VALT1G
Produktcode: 200057
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