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MMDT5551-7-F

MMDT5551-7-F Diodes Incorporated

MMDT5551.pdf
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 160V 200mW
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Technische Details MMDT5551-7-F Diodes Incorporated

Description: DIODES INC. - MMDT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 200mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F DIODES INC. DIODS10933-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMDT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
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Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
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Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F DIODES INC. ds30172.pdf Description: DIODES INC. - MMDT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
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Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
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Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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MMDT5551-7-F
Hersteller: DIODES INC.
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
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Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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MMDT5551-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMDT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
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Wandlerpolarität: Zweifach npn
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Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 97529 Stücke:
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463+0.5 EUR
730+0.3 EUR
1060+0.2 EUR
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