MMDT5551-7-F Diodes Zetex
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Technische Details MMDT5551-7-F Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - MMDT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 200mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Weitere Produktangebote MMDT5551-7-F nach Preis ab 0.05 EUR bis 0.62 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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MMDT5551-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R |
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MMDT5551-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R |
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MMDT5551-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS 2NPN 160V 200MA SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
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MMDT5551-7-F | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 200mW; SOT363 Case: SOT363 Frequency: 300MHz Collector-emitter voltage: 160V Current gain: 80...250 Collector current: 0.2A Type of transistor: NPN x2 Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Quantity in set/package: 3000pcs. Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MMDT5551-7-F | Hersteller : DIODES INCORPORATED |
Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 200mW; SOT363 Case: SOT363 Frequency: 300MHz Collector-emitter voltage: 160V Current gain: 80...250 Collector current: 0.2A Type of transistor: NPN x2 Power dissipation: 0.2W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Quantity in set/package: 3000pcs. Mounting: SMD |
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MMDT5551-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 160V 200mW |
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MMDT5551-7-F | Hersteller : Diodes Incorporated |
Description: TRANS 2NPN 160V 200MA SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 200mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active |
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MMDT5551-7-F | Hersteller : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R |
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MMDT5551-7-F | Hersteller : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMDT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: - Übergangsfrequenz, PNP: - Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: - euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
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MMDT5551-7-F | Hersteller : Diodes Inc |
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
auf Bestellung 6000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMDT5551-7-F | Hersteller : onsemi / Fairchild |
Bipolar Transistors - BJT |
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