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MMDT5551-7-F

MMDT5551-7-F Diodes Zetex

mmdt5551.pdf
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
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Technische Details MMDT5551-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - MMDT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 200mW, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Diodes Zetex mmdt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
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MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Diodes Zetex mmdt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
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MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Diodes Zetex mmdt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
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9000+0.065 EUR
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21000+0.06 EUR
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MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Diodes Zetex mmdt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
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6000+0.07 EUR
9000+0.068 EUR
15000+0.065 EUR
21000+0.064 EUR
30000+0.063 EUR
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MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Diodes Zetex mmdt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
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MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Diodes Incorporated ds30172.pdf Description: TRANS 2NPN 160V 200MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 15000 Stücke:
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6000+0.13 EUR
15000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Diodes Incorporated MMDT5551.pdf Bipolar Transistors - BJT 160V 200mW
auf Bestellung 34556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+0.67 EUR
10+0.4 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Diodes Incorporated ds30172.pdf Description: TRANS 2NPN 160V 200MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 17327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
31+0.69 EUR
49+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F DIODES INC. DIODS10933-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMDT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 104274 Stücke:
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500+0.88 EUR
532+0.44 EUR
794+0.27 EUR
1129+0.19 EUR
1227+0.18 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F DIODES INC. ds30172.pdf Description: DIODES INC. - MMDT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 97529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
278+0.9 EUR
463+0.5 EUR
730+0.3 EUR
1060+0.2 EUR
1500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
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MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F DIODES INCORPORATED ds30172.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 3000pcs.
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Diodes Zetex mmdt5551.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMDT5551-7-F
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.098 EUR
6000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMDT5551-7-F
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 54000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.11 EUR
6000+0.068 EUR
9000+0.065 EUR
15000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMDT5551-7-F
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
6000+0.069 EUR
9000+0.065 EUR
15000+0.062 EUR
21000+0.06 EUR
30000+0.056 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMDT5551-7-F
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 36000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.12 EUR
6000+0.07 EUR
9000+0.068 EUR
15000+0.065 EUR
21000+0.064 EUR
30000+0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMDT5551-7-F
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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MMDT5551-7-F
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN 160V 200MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.15 EUR
6000+0.13 EUR
15000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551-7-F MMDT5551.pdf
MMDT5551-7-F
Hersteller: Diodes Incorporated
Bipolar Transistors - BJT 160V 200mW
auf Bestellung 34556 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6+0.67 EUR
10+0.4 EUR
100+0.26 EUR
500+0.19 EUR
1000+0.17 EUR
3000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551-7-F ds30172.pdf
MMDT5551-7-F
Hersteller: Diodes Incorporated
Description: TRANS 2NPN 160V 200MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
auf Bestellung 17327 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
31+0.69 EUR
49+0.43 EUR
100+0.27 EUR
500+0.2 EUR
1000+0.18 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551-7-F DIODS10933-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MMDT5551-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMDT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 104274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.88 EUR
532+0.44 EUR
794+0.27 EUR
1129+0.19 EUR
1227+0.18 EUR
5000+0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551-7-F ds30172.pdf
MMDT5551-7-F
Hersteller: DIODES INC.
Description: DIODES INC. - MMDT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 97529 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
278+0.9 EUR
463+0.5 EUR
730+0.3 EUR
1060+0.2 EUR
1500+0.19 EUR
Mindestbestellmenge: 278 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551-7-F ds30172.pdf
MMDT5551-7-F
Hersteller: DIODES INCORPORATED
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 160V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 80...250
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 3000pcs.
auf Bestellung 54 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
54+1.58 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMDT5551-7-F mmdt5551.pdf
MMDT5551-7-F
Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
auf Bestellung 49 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH