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MMDT5551-7-F

MMDT5551-7-F Diodes Zetex

ds30172.pdf Hersteller: Diodes Zetex
Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
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Technische Details MMDT5551-7-F Diodes Zetex

Description: DIODES INC. - MMDT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -, Übergangsfrequenz, PNP: -, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 200mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30172.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
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MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30172.pdf Description: TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
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MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30172.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
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MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED ds30172.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 200mW; SOT363
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 80...250
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT363
Frequency: 300MHz
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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845+ 0.085 EUR
960+ 0.075 EUR
1105+ 0.065 EUR
1170+ 0.061 EUR
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MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Hersteller : DIODES INCORPORATED ds30172.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; 160V; 0.2A; 200mW; SOT363
Kind of package: reel; tape
Collector-emitter voltage: 160V
Current gain: 80...250
Collector current: 0.2A
Type of transistor: NPN x2
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Mounting: SMD
Case: SOT363
Frequency: 300MHz
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MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Hersteller : Diodes Zetex ds30172.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
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MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30172.pdf Description: TRANS 2NPN 160V 0.2A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 160V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
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500+ 0.21 EUR
1000+ 0.15 EUR
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MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Hersteller : Diodes Incorporated ds30172.pdf Bipolar Transistors - BJT 160V 200mW
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186+ 0.28 EUR
1000+ 0.22 EUR
3000+ 0.15 EUR
9000+ 0.13 EUR
24000+ 0.12 EUR
Mindestbestellmenge: 62
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Hersteller : DIODES INC. DIODS10933-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMDT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 79224 Stücke:
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MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Hersteller : DIODES INC. DIODS10933-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: DIODES INC. - MMDT5551-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Zweifach npn, 160 V, 200 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 80hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 300MHz
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Verlustleistung, PNP: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: -
Übergangsfrequenz, PNP: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 160V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: -
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 200mA
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 79224 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMDT5551-7-F MMDT5551-7-F Hersteller : Diodes Inc ds30172.pdf Trans GP BJT NPN 160V 0.2A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
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