MMIX1F40N110P IXYS
Hersteller: IXYSCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.1kV; 24A; Idm: 100A; 500W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 500W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 310nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 2+ | 65.82 EUR |
| 20+ | 64.81 EUR |
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Technische Details MMIX1F40N110P IXYS
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.1kV; 24A; Idm: 100A; 500W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.1kV, Drain current: 24A, Pulsed drain current: 100A, Power dissipation: 500W, Case: SMPD, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.29Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 310nC, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 300ns, Technology: HiPerFET™; Polar™, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||
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MMIX1F40N110P | Hersteller : IXYS |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.1kV; 24A; Idm: 100A; 500W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.1kV Drain current: 24A Pulsed drain current: 100A Power dissipation: 500W Case: SMPD Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.29Ω Mounting: SMD Gate charge: 310nC Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 300ns Technology: HiPerFET™; Polar™ |
auf Bestellung 20 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| MMIX1F40N110P | Hersteller : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD |
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MMIX1F40N110P | Hersteller : IXYS |
MOSFET SMPD MOSFETs Power Device |
Produkt ist nicht verfügbar |