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MMIX1F40N110P

MMIX1F40N110P IXYS

DS100431(MMIX1F40N110P).pdf Hersteller: IXYS
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.1kV; 24A; Idm: 100A; 500W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 500W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 310nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 20 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
1+73.67 EUR
3+65.09 EUR
10+58.46 EUR
20+58.43 EUR
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Technische Details MMIX1F40N110P IXYS

Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.1kV; 24A; Idm: 100A; 500W, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 1.1kV, Drain current: 24A, Pulsed drain current: 100A, Power dissipation: 500W, Case: SMPD, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 0.29Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 310nC, Kind of channel: enhancement, Reverse recovery time: 300ns, Technology: HiPerFET™; Polar™, Anzahl je Verpackung: 1 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMIX1F40N110P MMIX1F40N110P Hersteller : IXYS DS100431(MMIX1F40N110P).pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 1.1kV; 24A; Idm: 100A; 500W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.1kV
Drain current: 24A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 500W
Case: SMPD
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 310nC
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 300ns
Technology: HiPerFET™; Polar™
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MMIX1F40N110P Hersteller : IXYS DS100431(MMIX1F40N110P).pdf Description: MOSFET N-CH 1100V 24A SMPD
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MMIX1F40N110P MMIX1F40N110P Hersteller : IXYS ixyss06320_1-2272357.pdf MOSFET SMPD MOSFETs Power Device
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