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MMUN2111LT1G

MMUN2111LT1G ON Semiconductor

dta114e-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMUN2111LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2111LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Hersteller : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Hersteller : onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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21000+0.031 EUR
30000+0.03 EUR
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3760+0.034 EUR
3788+0.033 EUR
3985+0.03 EUR
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78689D21284E98745&compId=DTA114E_MUNx111.PDF?ci_sign=e153c563522733d5e2528bad70709c0adbda812b Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 35...60
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.246W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 14744 Stücke:
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Anzahl Preis
556+0.13 EUR
725+0.099 EUR
1060+0.067 EUR
1257+0.057 EUR
1558+0.046 EUR
1819+0.039 EUR
4033+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 556
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE78689D21284E98745&compId=DTA114E_MUNx111.PDF?ci_sign=e153c563522733d5e2528bad70709c0adbda812b Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Case: SOT23; TO236AB
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 35...60
Collector current: 0.1A
Type of transistor: PNP
Power dissipation: 0.246W
Polarisation: bipolar
Kind of package: reel; tape
Kind of transistor: BRT
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Mounting: SMD
auf Bestellung 14744 Stücke:
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1060+0.067 EUR
1257+0.057 EUR
1558+0.046 EUR
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4033+0.018 EUR
4274+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 556
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Hersteller : onsemi DTA114E_D-1773641.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
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500+0.058 EUR
1000+0.051 EUR
3000+0.037 EUR
6000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Hersteller : onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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77+0.23 EUR
132+0.13 EUR
214+0.083 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.052 EUR
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Hersteller : ONSEMI 2353760.pdf Description: ONSEMI - MMUN2111LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 56840 Stücke:
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Hersteller : ONSEMI 2353760.pdf Description: ONSEMI - MMUN2111LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Hersteller : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G Hersteller : ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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auf Bestellung 3000 Stücke:
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MMUN2111LT1G Hersteller : ON-Semicoductor dta114e-d.pdf PNP 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2111LT1G TMMUN2111lt1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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Anzahl Preis
1000+0.052 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
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