
MMUN2111LT1G ON Semiconductor
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Technische Details MMUN2111LT1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MMUN2111LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote MMUN2111LT1G nach Preis ab 0.01 EUR bis 0.23 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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MMUN2111LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMUN2111LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMUN2111LT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
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MMUN2111LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMUN2111LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMUN2111LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMUN2111LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMUN2111LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMUN2111LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMUN2111LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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MMUN2111LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 35...60 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.246W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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MMUN2111LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Collector-emitter voltage: 50V Current gain: 35...60 Collector current: 0.1A Type of transistor: PNP Power dissipation: 0.246W Polarisation: bipolar Kind of package: reel; tape Kind of transistor: BRT Base resistor: 10kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ Mounting: SMD |
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MMUN2111LT1G | Hersteller : onsemi |
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MMUN2111LT1G Produktcode: 49208
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MMUN2111LT1G | Hersteller : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
auf Bestellung 387309 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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MMUN2111LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 59300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2111LT1G | Hersteller : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 400mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 59300 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2111LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
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auf Bestellung 24000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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MMUN2111LT1G | Hersteller : ON-Semicoductor |
![]() Anzahl je Verpackung: 500 Stücke |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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