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MMUN2111LT1G

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Produktcode: 49208
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Verschiedene Bauteile > Verschiedene Bauteile 2

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25211+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 25211 Stücke
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 34387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25211+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 25211 Stücke
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.048 EUR
6000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2674+0.065 EUR
3559+0.049 EUR
4033+0.042 EUR
4274+0.039 EUR
6000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 2674 Stücke
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G ON Semiconductor dta114e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1096+0.15 EUR
1731+0.098 EUR
2674+0.061 EUR
3559+0.044 EUR
4033+0.037 EUR
4274+0.033 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1096 Stücke
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G ONSEMI DTA114E_MUNx111.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
auf Bestellung 16844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
500+0.17 EUR
736+0.12 EUR
1083+0.079 EUR
1289+0.065 EUR
1634+0.052 EUR
1977+0.043 EUR
2393+0.036 EUR
3312+0.026 EUR
6000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G onsemi dta114e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 98752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
14+0.25 EUR
22+0.15 EUR
100+0.096 EUR
500+0.071 EUR
1000+0.061 EUR
3000+0.046 EUR
6000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G onsemi dta114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 19927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
84+0.25 EUR
134+0.15 EUR
216+0.098 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G ONSEMI 2353760.pdf Description: ONSEMI - MMUN2111LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 55320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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MMUN2111LT1G MMUN2111LT1G ONSEMI 2353760.pdf Description: ONSEMI - MMUN2111LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 55320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MMUN2111LT1G ON-Semiconductor dta114e-d.pdf PNP 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2111LT1G TMMUN2111lt1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
1000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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MMUN2111LT1G dta114e-d.pdf
MMUN2111LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 42952 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25211+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 25211 Stücke
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MMUN2111LT1G dta114e-d.pdf
MMUN2111LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 34387 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
25211+0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 25211 Stücke
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MMUN2111LT1G dta114e-d.pdf
MMUN2111LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.048 EUR
6000+0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMUN2111LT1G dta114e-d.pdf
MMUN2111LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2674+0.065 EUR
3559+0.049 EUR
4033+0.042 EUR
4274+0.039 EUR
6000+0.035 EUR
Mindestbestellmenge: 2674 Stücke
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MMUN2111LT1G dta114e-d.pdf
MMUN2111LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 7639 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1096+0.15 EUR
1731+0.098 EUR
2674+0.061 EUR
3559+0.044 EUR
4033+0.037 EUR
4274+0.033 EUR
6000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 1096 Stücke
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MMUN2111LT1G DTA114E_MUNx111.PDF
MMUN2111LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
auf Bestellung 16844 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
500+0.17 EUR
736+0.12 EUR
1083+0.079 EUR
1289+0.065 EUR
1634+0.052 EUR
1977+0.043 EUR
2393+0.036 EUR
3312+0.026 EUR
6000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
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MMUN2111LT1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 98752 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
14+0.25 EUR
22+0.15 EUR
100+0.096 EUR
500+0.071 EUR
1000+0.061 EUR
3000+0.046 EUR
6000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 14 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1G dta114e-d.pdf
MMUN2111LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 19927 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
84+0.25 EUR
134+0.15 EUR
216+0.098 EUR
500+0.07 EUR
1000+0.062 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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MMUN2111LT1G 2353760.pdf
MMUN2111LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2111LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 55320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1G 2353760.pdf
MMUN2111LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2111LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 55320 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2111LT1G dta114e-d.pdf
Hersteller: ON-Semiconductor
PNP 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2111LT1G TMMUN2111lt1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 2850 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1000+0.057 EUR
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH