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MMUN2112LT1G

MMUN2112LT1G ON Semiconductor

dta124e-d.pdf Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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Technische Details MMUN2112LT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).

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MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Hersteller : ON Semiconductor dta124e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Hersteller : ON Semiconductor dta124e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Hersteller : onsemi dta124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
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MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Hersteller : ONSEMI MMUN2112.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
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MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Hersteller : ONSEMI MMUN2112.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 22kΩ
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MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Hersteller : ON Semiconductor dta124e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Hersteller : onsemi dta124e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
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MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Hersteller : onsemi DTA124E_D-2310946.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50V BRT PNP
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45000+ 0.031 EUR
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MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Hersteller : ONSEMI 78656.pdf Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Hersteller : ONSEMI 2354280.pdf Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
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MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Hersteller : ON Semiconductor dta124e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2112LT1G Hersteller : ON-Semicoductor dta124e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2112LT1G TMMUN2112
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
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1000+0.032 EUR
Mindestbestellmenge: 1000
MMUN2112LT1G Hersteller : ONSEMI ONSMS38500-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - MMUN2112LT1G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
auf Bestellung 181517 Stücke:
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MMUN2112LT1G MMUN2112LT1G Hersteller : ON Semiconductor dta124e-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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