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MMUN2114LT1G

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Produktcode: 152085
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Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
MMUN2114LT1G MMUN2114LT1G ON Semiconductor dta114yd.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
6000+0.035 EUR
12000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
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MMUN2114LT1G MMUN2114LT1G ON Semiconductor dta114yd.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48000+0.042 EUR
60000+0.04 EUR
75000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 48000 Stücke
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MMUN2114LT1G MMUN2114LT1G ON Semiconductor dta114yd.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 123000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48000+0.042 EUR
60000+0.04 EUR
75000+0.037 EUR
120000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 48000 Stücke
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MMUN2114LT1G MMUN2114LT1G onsemi dta114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Resistors Included: R1 and R2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3000+0.052 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMUN2114LT1G MMUN2114LT1G ONSEMI MMUN2114.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...140
auf Bestellung 1712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
455+0.19 EUR
582+0.14 EUR
667+0.13 EUR
973+0.088 EUR
1147+0.074 EUR
1645+0.051 EUR
1712+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2114LT1G MMUN2114LT1G ON Semiconductor dta114yd.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
681+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 681 Stücke
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MMUN2114LT1G MMUN2114LT1G onsemi dta114y-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
77+0.27 EUR
122+0.17 EUR
198+0.11 EUR
500+0.077 EUR
1000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
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MMUN2114LT1G MMUN2114LT1G onsemi dta114y-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
11+0.32 EUR
19+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.082 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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MMUN2114LT1G MMUN2114LT1G ONSEMI 2237089.pdf Description: ONSEMI - MMUN2114LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 38645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
695+0.36 EUR
1387+0.17 EUR
1839+0.12 EUR
2532+0.084 EUR
3165+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 695 Stücke
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MMUN2114LT1G MMUN2114LT1G ONSEMI 2237089.pdf Description: ONSEMI - MMUN2114LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 38645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
695+0.36 EUR
1387+0.17 EUR
1839+0.12 EUR
2532+0.084 EUR
3165+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 695 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2114LT1G MMUN2114LT1G ON Semiconductor dta114yd.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 404 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2114LT1G dta114yd.pdf
MMUN2114LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 24000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
6000+0.035 EUR
12000+0.031 EUR
Mindestbestellmenge: 6000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2114LT1G dta114yd.pdf
MMUN2114LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 96000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
48000+0.042 EUR
60000+0.04 EUR
75000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 48000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2114LT1G dta114yd.pdf
MMUN2114LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 123000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
48000+0.042 EUR
60000+0.04 EUR
75000+0.037 EUR
120000+0.036 EUR
Mindestbestellmenge: 48000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2114LT1G dta114y-d.pdf
MMUN2114LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Resistors Included: R1 and R2
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3000+0.052 EUR
6000+0.046 EUR
Mindestbestellmenge: 3000 Stücke
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MMUN2114LT1G MMUN2114.PDF
MMUN2114LT1G
Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 80...140
auf Bestellung 1712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
455+0.19 EUR
582+0.14 EUR
667+0.13 EUR
973+0.088 EUR
1147+0.074 EUR
1645+0.051 EUR
1712+0.049 EUR
Mindestbestellmenge: 455 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2114LT1G dta114yd.pdf
MMUN2114LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
681+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 681 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2114LT1G dta114y-d.pdf
MMUN2114LT1G
Hersteller: onsemi
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Power - Max: 246 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
77+0.27 EUR
122+0.17 EUR
198+0.11 EUR
500+0.077 EUR
1000+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 77 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2114LT1G dta114y-d.pdf
MMUN2114LT1G
Hersteller: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+0.32 EUR
19+0.18 EUR
100+0.11 EUR
500+0.082 EUR
1000+0.071 EUR
3000+0.061 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2114LT1G 2237089.pdf
MMUN2114LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2114LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 38645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
695+0.36 EUR
1387+0.17 EUR
1839+0.12 EUR
2532+0.084 EUR
3165+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 695 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2114LT1G 2237089.pdf
MMUN2114LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2114LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 38645 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
695+0.36 EUR
1387+0.17 EUR
1839+0.12 EUR
2532+0.084 EUR
3165+0.068 EUR
Mindestbestellmenge: 695 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2114LT1G dta114yd.pdf
MMUN2114LT1G
Hersteller: ON Semiconductor
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 836 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 404 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH