Produkte > ONSEMI > MMUN2134LT1G
MMUN2134LT1G

MMUN2134LT1G ONSEMI


MMUN2134.PDF Hersteller: ONSEMI
Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Anzahl je Verpackung: 5 Stücke
auf Bestellung 3412 Stücke:

Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1065+0.067 EUR
1965+ 0.036 EUR
2225+ 0.032 EUR
2565+ 0.028 EUR
2705+ 0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 1065
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details MMUN2134LT1G ONSEMI

Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 246 mW, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Weitere Produktangebote MMUN2134LT1G nach Preis ab 0.026 EUR bis 0.46 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
MMUN2134LT1G MMUN2134LT1G Hersteller : ONSEMI MMUN2134.PDF Category: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23; R1: 22kΩ
Type of transistor: PNP
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 22kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
auf Bestellung 3412 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
1065+0.067 EUR
1965+ 0.036 EUR
2225+ 0.032 EUR
2565+ 0.028 EUR
2705+ 0.026 EUR
Mindestbestellmenge: 1065
MMUN2134LT1G MMUN2134LT1G Hersteller : onsemi dta124x-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 15000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
3000+0.078 EUR
6000+ 0.074 EUR
9000+ 0.063 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
MMUN2134LT1G MMUN2134LT1G Hersteller : onsemi dta124x-d.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
auf Bestellung 19190 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
59+0.44 EUR
82+ 0.32 EUR
151+ 0.17 EUR
500+ 0.14 EUR
1000+ 0.094 EUR
Mindestbestellmenge: 59
MMUN2134LT1G MMUN2134LT1G Hersteller : onsemi DTA124X_D-2310661.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT PNP
auf Bestellung 21258 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
113+0.46 EUR
162+ 0.32 EUR
371+ 0.14 EUR
1000+ 0.081 EUR
3000+ 0.07 EUR
9000+ 0.052 EUR
99000+ 0.042 EUR
Mindestbestellmenge: 113
MMUN2134LT1G MMUN2134LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013775421-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2134LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
auf Bestellung 9860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
MMUN2134LT1G MMUN2134LT1G Hersteller : ON Semiconductor dta124x-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar
MMUN2134LT1G MMUN2134LT1G Hersteller : ON Semiconductor dta124x-d.pdf Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
Produkt ist nicht verfügbar