auf Bestellung 2505 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 606+ | 0.12 EUR |
| 2505+ | 0.029 EUR |
| 2839+ | 0.026 EUR |
| 75000+ | 0.015 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details MMUN2136LT1G ONSEMI
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: PNP - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 246 mW, Resistor - Base (R1): 100 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms.
Weitere Produktangebote MMUN2136LT1G
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
 |
MMUN2136LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
MMUN2136LT1G | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
MMUN2136LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
|
|
MMUN2136LT1G | Hersteller : onsemi |
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 246 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms |
Produkt ist nicht verfügbar |
|
 |
MMUN2136LT1G | Hersteller : onsemi |
Digital Transistors PNP DIGITAL TRANSISTOR |
Produkt ist nicht verfügbar |