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MMUN2211LT1 (Bipolartransistor NPN)

MMUN2211LT1 (Bipolartransistor NPN) ON

MMUN2211LT1-D.PDF
Produktcode: 28336
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 60
Bem.: 10K+10K
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1410 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.06 EUR
10+0.034 EUR
100+0.022 EUR
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 744000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
6667+0.022 EUR
7093+0.02 EUR
9000+0.015 EUR
24000+0.011 EUR
Mindestbestellmenge: 6667
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 315000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
4902+0.029 EUR
6000+0.027 EUR
9000+0.021 EUR
15000+0.013 EUR
21000+0.012 EUR
24000+0.011 EUR
75000+0.0098 EUR
150000+0.0095 EUR
Mindestbestellmenge: 4902
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 42000 Stücke:
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3000+0.039 EUR
6000+0.034 EUR
9000+0.032 EUR
15000+0.029 EUR
21000+0.028 EUR
30000+0.027 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10277 Stücke:
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9494+0.046 EUR
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 129652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2809+0.057 EUR
12000+0.029 EUR
24000+0.021 EUR
48000+0.019 EUR
Mindestbestellmenge: 2809
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91C2091FB92040CE&compId=MUN2211.PDF?ci_sign=414c3c3e3685fa2f362efb0e2f3ec37af6d380b4 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 17909 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
750+0.095 EUR
1064+0.067 EUR
1498+0.048 EUR
1737+0.041 EUR
2381+0.03 EUR
3876+0.018 EUR
4099+0.017 EUR
Mindestbestellmenge: 750
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDC91C2091FB92040CE&compId=MUN2211.PDF?ci_sign=414c3c3e3685fa2f362efb0e2f3ec37af6d380b4 Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
auf Bestellung 17909 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
750+0.095 EUR
1064+0.067 EUR
1498+0.048 EUR
1737+0.041 EUR
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 42779 Stücke:
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91+0.19 EUR
145+0.12 EUR
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500+0.054 EUR
1000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : onsemi DTC114E_D-1773690.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 82401 Stücke:
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Anzahl Preis
15+0.2 EUR
28+0.1 EUR
100+0.063 EUR
500+0.055 EUR
1000+0.048 EUR
3000+0.037 EUR
6000+0.033 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 124 Stücke:
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 155 Stücke:
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013749946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 120413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013749946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 120413 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ON Semiconductor 473703159066984dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 147000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ONSEMI dtc114e-d.pdf Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 60000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMUN2211LT1G Hersteller : ON-Semicoductor dtc114e-d.pdf NPN 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2211LT1G TMMUN2211lt1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.072 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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MMUN2111
Produktcode: 4078
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MMUN2111.pdf
MMUN2111
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
U, V: 50
U, V: 50
I, А: 0.1
h21,max: 60
Bem.: 10K+10К
auf Bestellung 1773 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.032 EUR
100+0.03 EUR
1000+0.028 EUR
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MMUN2232LT1G
Produktcode: 34988
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MMUN2232LT1G.pdf
MMUN2232LT1G
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0.1
h21: 30
Bem.: 4,7K+ 4,7K
ZCODE: SMD
auf Bestellung 2680 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.03 EUR
10+0.028 EUR
100+0.023 EUR
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IRLML2402TRPBF
Produktcode: 1173
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irlml2402pbf.pdf
IRLML2402TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 01.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.25
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 9594 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.24 EUR
10+0.2 EUR
100+0.12 EUR
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Kontakte "Weibchen" für BLD und BLS (NDR-T)(BLS-T)(BLD-T)(KLS1-540A-2.54-T)
Produktcode: 3895
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ndr-t-datashet.pdf
Kontakte "Weibchen" für BLD und BLS (NDR-T)(BLS-T)(BLD-T)(KLS1-540A-2.54-T)
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Kontakt "Weibchen" für BLD und BLS
Stecker/Buchse: Kontakte/Kappen
Anzahl Kontakte: -
0.03
Серія роз’єма: Контакти для BLD і BLS
Монтаж: на провід
verfügbar: 3025 Stück
erwartet: 300000 Stück
300000 Stück - erwartet
Anzahl Preis
1+0.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC817-40 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 17873
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BC817-40.pdf
BC817-40 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,5
h21: 600
ZCODE: SMD
auf Bestellung 29533 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.026 EUR
1000+0.023 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH