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MMUN2211LT1 (Bipolartransistor NPN)

MMUN2211LT1 (Bipolartransistor NPN) ON

MMUN2211LT1-D.PDF
Produktcode: 28336
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 60
Bem.: 10K+10K
ZCODE: SMD
auf Bestellung 231 Stück:
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10+0.034 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 735000 Stücke:
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10753+0.013 EUR
Mindestbestellmenge: 10753
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 306000 Stücke:
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6250+0.023 EUR
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 138000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.038 EUR
6000+0.034 EUR
9000+0.032 EUR
15000+0.029 EUR
21000+0.028 EUR
30000+0.026 EUR
75000+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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2977+0.17 EUR
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
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91+0.19 EUR
148+0.12 EUR
237+0.074 EUR
500+0.054 EUR
1000+0.047 EUR
Mindestbestellmenge: 91
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : onsemi DTC114E-D.PDF Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 67713 Stücke:
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14+0.21 EUR
23+0.12 EUR
100+0.077 EUR
500+0.056 EUR
1000+0.049 EUR
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 14
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013749946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 102112 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013749946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 102112 Stücke:
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ON Semiconductor 473703159066984dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 147000 Stücke:
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ONSEMI dtc114e-d.pdf Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
auf Bestellung 39000 Stücke:
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MMUN2211LT1G Hersteller : ON-Semiconductor dtc114e-d.pdf NPN 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2211LT1G TMMUN2211lt1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.074 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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MMUN2211LT1G Hersteller : ONSEMI dtc114e-d.pdf MMUN2211LT1G NPN SMD transistors
auf Bestellung 15011 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
656+0.11 EUR
4855+0.015 EUR
5155+0.014 EUR
Mindestbestellmenge: 656
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MMUN2111
Produktcode: 4078
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MMUN2111.pdf
MMUN2111
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
U, V: 50
U, V: 50
I, А: 0.1
h21,max: 60
Bem.: 10K+10К
auf Bestellung 1593 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.032 EUR
100+0.03 EUR
1000+0.028 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2402TRPBF
Produktcode: 1173
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irlml2402pbf.pdf
IRLML2402TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 01.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.25
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 5655 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 100 Stück:
Anzahl Preis
1+0.24 EUR
10+0.2 EUR
100+0.12 EUR
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470uF 25V EXR 10x16mm (EXR471M25B-Hitano)
Produktcode: 3481
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EXR_080421.pdf
470uF 25V EXR 10x16mm (EXR471M25B-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 470uF
Nennspannung: 25V
Reihe: EXR-niedrige Impedanz
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 10x16mm
Lebensdauer: 5000 Stunden
№ 8: 5000 годин
8532 22 00 00
verfügbar: 461 Stück
erwartet: 10000 Stück
10000 Stück - erwartet 30.04.2026
Anzahl Preis
1+0.26 EUR
10+0.22 EUR
100+0.19 EUR
1000+0.076 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Batt. CR2032 Lithium, 3V, GP, U5
Produktcode: 25721
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Batt. CR2032 Lithium, 3V, GP, U5
Hersteller: GP Batteries
Batterien
Material: Lithium
Größe: Disk D=20mm, h=3,2mm
Spannung: 3 V
Таблетка
auf Bestellung 318 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
erwartet 20 Stück:
Anzahl Preis
1+0.64 EUR
10+0.56 EUR
100+0.48 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BCP53-16.115
Produktcode: 25808
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BCP51,52,53.pdf
BCP53-16.115
Hersteller: Philips
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-223
fT: 114 MHz
U, V: 80
U, V: 100
I, А: 1
h21,max: 250
ZCODE: 8541 21 00 90
auf Bestellung 1160 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.17 EUR
10+0.12 EUR
100+0.097 EUR
1000+0.069 EUR
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