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MMUN2211LT1 (Bipolartransistor NPN)

MMUN2211LT1 (Bipolartransistor NPN) ON

MMUN2211LT1-D.PDF
Produktcode: 28336
Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 60
Bem.: 10K+10K
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1638 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.06 EUR
10+0.03 EUR
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 786000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
5465+0.03 EUR
6000+0.03 EUR
9000+0.02 EUR
24000+0.01 EUR
Mindestbestellmenge: 5465
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 306000 Stücke:
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6000+0.03 EUR
9000+0.02 EUR
27000+0.02 EUR
51000+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 6000
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 39000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.04 EUR
6000+0.04 EUR
9000+0.04 EUR
15000+0.03 EUR
21000+0.03 EUR
30000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 10277 Stücke:
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Anzahl Preis
9837+0.06 EUR
Mindestbestellmenge: 9837
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 132912 Stücke:
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Anzahl Preis
2718+0.10 EUR
12000+0.07 EUR
24000+0.05 EUR
96000+0.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2718
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 15925 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
424+0.17 EUR
977+0.07 EUR
1220+0.06 EUR
2009+0.04 EUR
3185+0.02 EUR
3356+0.02 EUR
Mindestbestellmenge: 424
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
auf Bestellung 15925 Stücke:
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Anzahl Preis
424+0.17 EUR
977+0.07 EUR
1220+0.06 EUR
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9000+0.02 EUR
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 40130 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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84+0.21 EUR
132+0.13 EUR
216+0.08 EUR
500+0.06 EUR
1000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 84
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : onsemi dtc114e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
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100+0.06 EUR
1000+0.05 EUR
3000+0.04 EUR
9000+0.03 EUR
24000+0.03 EUR
Mindestbestellmenge: 13
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 155 Stücke:
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 156 Stücke:
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013749946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 130262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013749946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 130262 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ON Semiconductor 473703159066984dtc114e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 147000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMUN2211LT1G Hersteller : ON-Semicoductor dtc114e-d.pdf NPN 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2211LT1G TMMUN2211lt1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.07 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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MMUN2111
Produktcode: 4078
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MMUN2111.pdf
MMUN2111
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
U, V: 50
U, V: 50
I, А: 0.1
h21,max: 60
Bem.: 10K+10К
auf Bestellung 1878 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.03 EUR
1000+0.03 EUR
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MMUN2232LT1G
Produktcode: 34988
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MMUN2232LT1G.pdf
MMUN2232LT1G
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0.1
h21: 30
Bem.: 4,7K+ 4,7K
ZCODE: SMD
auf Bestellung 2730 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.03 EUR
10+0.03 EUR
100+0.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLML2402TRPBF
Produktcode: 1173
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irlml2402pbf.pdf
IRLML2402TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 01.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.25
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 10744 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.24 EUR
10+0.20 EUR
100+0.12 EUR
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Kontakte "Weibchen" für BLD und BLS (NDR-T)(BLS-T)(BLD-T)(KLS1-540A-2.54-T)
Produktcode: 3895
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ndr-t-datashet.pdf
Kontakte "Weibchen" für BLD und BLS (NDR-T)(BLS-T)(BLD-T)(KLS1-540A-2.54-T)
Hersteller: KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Kleinleistungs Steckverbinder
Beschreibung: Kontakt "Weibchen" für BLD und BLS
Stecker/Buchse: Kontakte/Kappen
Anzahl Kontakte: -
0.03
Серія роз’єма: Контакти для BLD і BLS
Монтаж: на провід
verfügbar: 40251 Stück
3025 Stück - stock Köln
37226 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 996 Stück
996 Stück - erwartet
Anzahl Preis
1+0.03 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
BC817-40 (Bipolartransistor NPN)
Produktcode: 17873
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BC817-40.pdf
BC817-40 (Bipolartransistor NPN)
Hersteller: NXP
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
fT: 100 MHz
Uceo,V: 45
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,5
h21: 600
ZCODE: SMD
auf Bestellung 37899 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.03 EUR
1000+0.02 EUR
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