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MMUN2211LT1 (Bipolartransistor NPN)

MMUN2211LT1 (Bipolartransistor NPN) ON

MMUN2211LT1-D.PDF
Produktcode: 28336
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Hersteller: ON
Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0,1
h21: 60
Bem.: 10K+10K
ZCODE: SMD
auf Bestellung 891 St.:
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1+0.06 EUR
10+0.034 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 546000 Stücke:
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7937+0.018 EUR
Mindestbestellmenge: 7937
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 546000 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 7937
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 186000 Stücke:
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6250+0.023 EUR
Mindestbestellmenge: 6250
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 72000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.039 EUR
6000+0.034 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 78000 Stücke:
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Anzahl Preis
3000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ONSEMI MUN2211.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.246W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.246W
Case: SOT23; TO236AB
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 10kΩ
Current gain: 35...60
auf Bestellung 20368 Stücke:
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Anzahl Preis
625+0.11 EUR
863+0.083 EUR
1257+0.057 EUR
1480+0.048 EUR
1812+0.039 EUR
2093+0.034 EUR
2451+0.029 EUR
2660+0.027 EUR
3013+0.024 EUR
Mindestbestellmenge: 625
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : onsemi dtc114e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
auf Bestellung 106311 Stücke:
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15+0.2 EUR
23+0.12 EUR
100+0.077 EUR
500+0.056 EUR
1000+0.049 EUR
3000+0.039 EUR
Mindestbestellmenge: 15
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : onsemi dtc114e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 246 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
auf Bestellung 75243 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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84+0.21 EUR
137+0.13 EUR
222+0.079 EUR
500+0.057 EUR
1000+0.05 EUR
Mindestbestellmenge: 84
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ON Semiconductor dtc114ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
auf Bestellung 125 Stücke:
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013749946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 79208 Stücke:
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ONSEMI ONSM-S-A0013749946-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 79208 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMUN2211LT1G MMUN2211LT1G Hersteller : ONSEMI dtc114e-d.pdf Description: ONSEMI - MMUN2211LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 9000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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MMUN2211LT1G Hersteller : ON-Semiconductor dtc114e-d.pdf NPN 100mA 50V 246mW + res. 10k+10k MMUN2211LT1G TMMUN2211lt1g
Anzahl je Verpackung: 500 Stücke
auf Bestellung 205 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.073 EUR
Mindestbestellmenge: 500
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MMUN2211LT1G Hersteller : On Semiconductor MUN%282%2C5%29211_MMUN2211L_DTC114Exx_NSBC114EF3.PDF Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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MMUN2111
Produktcode: 4078
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MMUN2111.pdf
MMUN2111
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-23
U, V: 50
U, V: 50
I, А: 0.1
h21,max: 60
Bem.: 10K+10К
auf Bestellung 1563 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.032 EUR
100+0.03 EUR
1000+0.028 EUR
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IRLML2402TRPBF
Produktcode: 1173
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irlml2402pbf.pdf
IRLML2402TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 20
Idd,A: 01.02.2015
Rds(on), Ohm: 0.25
Ciss, pF/Qg, nC: 06.02.110
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
auf Bestellung 3707 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.24 EUR
10+0.2 EUR
100+0.12 EUR
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MMUN2232LT1G
Produktcode: 34988
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MMUN2232LT1G.pdf
MMUN2232LT1G
Hersteller: ON
Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN
Gehäuse: SOT-23
Uceo,V: 50
Ucbo,V: 50
Ic,A: 0.1
h21: 30
Bem.: 4,7K+ 4,7K
ZCODE: SMD
auf Bestellung 1351 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.03 EUR
10+0.028 EUR
100+0.023 EUR
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Spannungswandler 5V в 3,3V
Produktcode: 115457
5 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
Spannungswandler 5V в 3,3V
Modulare Elemente > Arduino und andere modulare Elemente
Beschreibung: Wandler von 5V in 3,3V, Eingangsspannung: 4,5...7V, Belastungsstrom: 800mA
Kategorie: Spannungswandler
Bestimmung: Перетворювач напруги 3,3 VDC
auf Bestellung 515 St.:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.52 EUR
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1N5408
Produktcode: 2135
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1N5400-1N5408.pdf
1N5408
Hersteller: YJ/MIC
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: DO-201
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 3
Beschreibung: GleichrichterVR=1000 B, IF =3A, IFSM =200A
Austauschbar: 1N5400, 1N5401, 1N5402, 1N5403, 1N5404, 1N5405, 1N5406, 1N5407
Монтаж: THT
Падіння напруги Vf: 1,2 V
verfügbar: 7298 St.
65 St. - stock Köln
7233 St. - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 300 St.
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100+0.044 EUR
1000+0.042 EUR
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