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MMUN2213LT1G

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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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    Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
    MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G ON Semiconductor dtc144ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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    MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G ON Semiconductor dtc144ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
    auf Bestellung 1606900 Stücke:
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    MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G onsemi dtc144e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
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    500+0.075 EUR
    1000+0.067 EUR
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    MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G onsemi dtc144e-d.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN - Pre-Biased
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
    Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
    DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
    Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
    Part Status: Active
    Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
    Power - Max: 246 mW
    Resistor - Base (R1): 47 kOhms
    Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
    Resistors Included: R1 and R2
    auf Bestellung 436 Stücke:
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    MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G ONSEMI dtc144e-d.pdf Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
    tariffCode: 85412100
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    rohsCompliant: YES
    DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
    Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
    Verlustleistung: 400mW
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: SOT-23
    Dauerkollektorstrom: 100mA
    Anzahl der Pins: 3 Pins
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Wandlerpolarität: Einfach NPN
    usEccn: EAR99
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
    auf Bestellung 21 Stücke:
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    		 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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    MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G ONSEMI dtc144e-d.pdf Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
    tariffCode: 85412100
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    rohsCompliant: YES
    DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
    isCanonical: N
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
    Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
    Verlustleistung: 400mW
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: SOT-23
    Dauerkollektorstrom: 100mA
    Anzahl der Pins: 3 Pins
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Wandlerpolarität: Einfach NPN
    usEccn: EAR99
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
    auf Bestellung 21 Stücke:
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    		 Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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    MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G ON Semiconductor dtc144ed.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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    		 Mindestbestellmenge: 141 Stücke
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    MMUN2213LT1G ON-Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2213LT1G TMMUN2213
    Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
    auf Bestellung 100 Stücke:
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    100+0.33 EUR
    Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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    MMUN2213LT1G dtc144ed.pdf
    MMUN2213LT1G
    Hersteller: ON Semiconductor
    Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
    auf Bestellung 1606900 Stücke:
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    AnzahlPrivatkunde
    9804+0.018 EUR
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    MMUN2213LT1G dtc144ed.pdf
    MMUN2213LT1G
    Hersteller: ON Semiconductor
    Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
    auf Bestellung 1606900 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    AnzahlPrivatkunde
    4445+0.039 EUR
    7519+0.023 EUR
    9804+0.017 EUR
    Mindestbestellmenge: 4445 Stücke
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    MMUN2213LT1G dtc144e-d.pdf
    MMUN2213LT1G
    Hersteller: onsemi
    Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
    auf Bestellung 8107 Stücke:
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    13+0.27 EUR
    20+0.17 EUR
    100+0.1 EUR
    500+0.075 EUR
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    MMUN2213LT1G dtc144e-d.pdf
    MMUN2213LT1G
    Hersteller: onsemi
    Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT23-3
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
    Mounting Type: Surface Mount
    Transistor Type: NPN - Pre-Biased
    Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
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    Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
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    Resistor - Base (R1): 47 kOhms
    Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
    Resistors Included: R1 and R2
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    MMUN2213LT1G
    Hersteller: ONSEMI
    Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
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    Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
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    Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
    Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
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    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: SOT-23
    Dauerkollektorstrom: 100mA
    Anzahl der Pins: 3 Pins
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Wandlerpolarität: Einfach NPN
    usEccn: EAR99
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
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    MMUN2213LT1G
    Hersteller: ONSEMI
    Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
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    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
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    DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
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    Qualifikation: -
    Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
    isCanonical: N
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
    Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
    Verlustleistung: 400mW
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: SOT-23
    Dauerkollektorstrom: 100mA
    Anzahl der Pins: 3 Pins
    Produktpalette: -
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    Wandlerpolarität: Einfach NPN
    usEccn: EAR99
    Betriebstemperatur, max.: 150°C
    Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
    auf Bestellung 21 Stücke:
    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Mindestbestellmenge: 21 Stücke
    Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
    MMUN2213LT1G dtc144ed.pdf
    MMUN2213LT1G
    Hersteller: ON Semiconductor
    Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 400mW 3-Pin SOT-23 T/R
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    Lieferzeit 14-21 Tag (e)
    Mindestbestellmenge: 141 Stücke
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    MMUN2213LT1G dtc144e-d.pdf
    Hersteller: ON-Semiconductor
    Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2213LT1G TMMUN2213
    Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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