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MMUN2213LT1G

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Transistoren > Bipolar-Transistoren NPN

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MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G onsemi dtc144e-d.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
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MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G ONSEMI dtc144e-d.pdf Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
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MMUN2213LT1G MMUN2213LT1G ONSEMI dtc144e-d.pdf Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
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Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 400mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
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Wandlerpolarität: Einfach NPN
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
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MMUN2213LT1G ON-Semiconductor dtc144e-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 400mW Automotive 3-Pin SOT-23 MMUN2213LT1G TMMUN2213
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MMUN2213LT1G
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
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MMUN2213LT1G
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Description: ONSEMI - MMUN2213LT1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
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Bauform - Transistor: SOT-23
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Wandlerpolarität: Einfach NPN
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